SiC MOSFET

1700V 1000mΩ 辅助電源装置用 SiC MOSFET

はじめに

はじめに

原産地：	浙江
ブランド名：	Inventchip
型番：	IV2Q171R0D7
最小パッキング数量:	450

特徴

⚫ 第2世代 SiC MOSFET 技術を使用して

+15～+18V ゲート駆動

⚫ 高耐圧かつ低オン抵抗

⚫ 高速スイッチングかつ低容量

⚫ 175℃の動作接合温度能力

⚫ 超高速で堅牢な内部ボディダイオード

⚫ ケルビンゲート入力でドライバ回路設計を容易に

申請

⚫ 太陽光発電インバータ

⚫ 補助電源

⚫ スイッチング電源

⚫ スマートメーター

概要：

マーク付き図：

絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	試験条件	注記
VDS	ドレイン-ソース間電圧	1700	v	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (トランジェント時)	最大スパイク電圧	-10 から 23	v	動作サイクル <1%, パルス幅<200ns
VGSon	推奨されるオン電圧	15 から 18	v
VGSoff	推奨されるオフ電圧	-5 から -2	v	典型的な値 -3.5V
id	ドレイン電流（連続）	6.3	A について	VGS=18V, TC=25°C	図23
id	ドレイン電流（連続）	4.8	A について	VGS=18V、TC=100°C	図23
IDM	ドレイン電流（パルス）	15.7	A について	SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限	図25、26
ISM	ボディダイオード電流（パルス）	15.7	A について	SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限	図25、26
Ptot	総電力損失	73	W について	TC=25°C	図24
ターゲット・ストーブ	保管温度範囲	-55から175	°C
Tj	交差点の動作温度	-55から175	°C

熱データ

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	注記
Rθ(J-C)	接合部からケースまでの熱抵抗	2.05	°C/W	図25

電気的特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット	試験条件	注記
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		1	10	微分数	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	ゲート限界電圧	1.8	3.0	4.5	v	VGS=VDS、ID=380uA	図8、9
VTH	ゲート限界電圧		2.0		v	VGS=VDS、ID=380uA @ TJ=175°C	図8、9
ロン	静的なドレイン-ソースオン抵抗		700 1280	910	mΩ	VGS=18V、ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	図4、5、6、7
ロン	静的なドレイン-ソースオン抵抗		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V、ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	図4、5、6、7
Ciss	入力容量		285		PF	VDS=1000V、VGS=0V、f=1MHz、VAC=25mV	図16
Coss	輸出容量		15.3		PF
Crss	逆転移容量		2.2		PF
Eoss	Cossに蓄えられたエネルギー		11		μJ		図17
司令部	総ゲート電荷		16.5		nC	VDS=1000V、ID=1A、VGS=-5〜18V	図18
Qgs	ゲート-ソース充電量		2.7		nC
Qgd	ゲート-ドレイン充電量		12.5		nC
Rg	ゲート入力抵抗		13		Ω	f=1MHz
エオン	オンスイッチングエネルギー		51.0		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V〜18V、RG(外部)=10Ω、L=2330μH Tj=25°C	図19、20
オーフ	オフスイッチングエネルギー		17.0		μJ
オン (オン)	オンする遅延時間		4.8		NS
について	昇る時間		13.2
消して	オフ遅延時間		12.0
TF	秋の時間		66.8
エオン	オンスイッチングエネルギー		90.3		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V〜18V、RG(外部)=10Ω、L=2330μH、Tj=175°C	図22
オーフ	オフスイッチングエネルギー		22.0		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V〜18V、RG(外部)=10Ω、L=2330μH、Tj=175°C	図22

逆ダイオード特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット	試験条件	注記
VSD	ダイオード前向き電圧		4.0		v	ISD=1A、VGS=0V	図10、11、12
VSD	ダイオード前向き電圧		3.8		v	ISD=1A、VGS=0V、TJ=175°C	図10、11、12
は	ダイオード正向電流（連続）			11.8	A について	VGS=-2V、TC=25°C
は	ダイオード正向電流（連続）			6.8	A について	VGS=-2V、TC=100°C
trr	逆回復時間		20.6		NS	VGS=-3.5V／+18V、ISD=2A、VR=1000V、RG(外部)=10Ω L=2330μH di／dt=5000A／μs
Qrr	逆回復電荷		54.2		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		8.2		A について