SiC MOSFET

1700V 1000mΩ 補助電源 SiC MOSFET 日本

概要

概要

原産地：	浙江省
ブランド名：	インベントチップ
モデル番号：	IV2Q171R0D7
最小梱包数量:	450

特徴

⚫ 第2世代SiC MOSFETテクノロジー

+15~+18Vゲートドライブ

⚫ 低いオン抵抗で高いブロッキング電圧

⚫ 低静電容量で高速スイッチング

⚫ 175℃の動作接合部温度能力

⚫ 超高速かつ堅牢な内蔵ボディダイオード

⚫ ケルビンゲート入力緩和ドライバ回路設計

アプリケーション

⚫ 太陽光発電インバータ

⚫ 補助電源

⚫ スイッチング電源

⚫ スマートメーター

概要：

マーキング図:

絶対最大定格 (特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値	ユニット	試験条件	注意
VDS	ドレイン・ソース間電圧	1700	V	VGS=0V、ID=10μA
VGSmax（過渡）	最大スパイク電圧	-10～23	V	デューティサイクル<1%、パルス幅<200ns
VGソン	推奨ターンオン電圧	15〜18	V
VGSオフ	推奨ターンオフ電圧	-5から-2	V	標準値 -3.5V
ID	ドレイン電流（連続）	6.3	A	VGS=18V、TC=25°C	図23
ID	ドレイン電流（連続）	4.8	A	VGS=18V、TC=100°C	図23
IDM	ドレイン電流（パルス）	15.7	A	パルス幅はSOAと動的Rθ(JC)によって制限される	図25、26
ISM	ボディダイオード電流（パルス）	15.7	A	パルス幅はSOAと動的Rθ(JC)によって制限される	図25、26
ピートット	総電力損失	73	W	温度=25℃	図24
TSTG	保管温度範囲	-55～175	℃で
TJ	動作ジャンクション温度	-55～175	℃で

熱データ

シンボル		値	ユニット	注意
Rθ(JC)	接合部からケースまでの熱抵抗	2.05	°C / W	図25

電気的特性 (特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
シンボル		ミン。	Typ。	マックス。	ユニット	試験条件	注意
IDSS	ゲート電圧ゼロドレイン電流		1	10	μA	VDS=1700V、VGS=0V
IGSS	ゲートリーク電流			±100	nA	VDS=0V、VGS=-5~20V
VTHカード	ゲート閾値電圧	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS、ID=380uA	図8、9
VTHカード	ゲート閾値電圧		2.0		V	VGS=VDS、ID=380uA @ TJ=175°C	図8、9
RON	Static drain-source on resistance		700 1280	910	mΩ	VGS=18V、ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	図4、5、6、7
RON	Static drain-source on resistance		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V、ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	図4、5、6、7
シス	入力容量		285		pF	VDS=1000V、VGS=0V、f=1MHz、VAC=25mV	図16
コス	出力容量		15.3		pF
クロス	逆伝達容量		2.2		pF
イオス	コス蓄積エネルギー		11		μJ		図17
Qg	総ゲート料金		16.5		nC	VDS=1000V、ID=1A、VGS=-5～18V	図18
Qgs	ゲートソース電荷		2.7		nC
Qgd	ゲート・ドレイン電荷		12.5		nC
Rg	ゲート入力抵抗		13		Ω	f=1MHz
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		51.0		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V～18V、RG(ext)=10Ω、L=2330μH、Tj=25°C	図19、20
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		17.0		μJ
td(オン)	ターンオン遅延時間		4.8		ns
tr	立ち上がり時間		13.2
td(オフ)	ターンオフ遅延時間		12.0
tf	立ち下がり時間		66.8
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		90.3		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V～18V、RG(ext)=10Ω、L=2330μH、Tj=175°C	図22
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		22.0		μJ	VDS=1000V、ID=2A、VGS=-3.5V～18V、RG(ext)=10Ω、L=2330μH、Tj=175°C	図22

逆方向ダイオード特性 (特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
シンボル		ミン。	Typ。	マックス。	ユニット	試験条件	注意
VSD	ダイオード順電圧		4.0		V	ISD=1A、VGS=0V	図10、11、12
VSD	ダイオード順電圧		3.8		V	ISD=1A、VGS=0V、TJ=175°C	図10、11、12
IS	ダイオード順方向電流（連続）			11.8	A	VGS=-2V、TC=25°C
IS	ダイオード順方向電流（連続）			6.8	A	VGS=-2V、TC=100°C
てら	逆回復時間		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V、ISD=2A、VR=1000V、RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	リバースリカバリーチャージ		54.2		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		8.2		A