1200V 160mΩ Gen2 車載用 SiC MOSFET 日本

特徴

アプリケーション

概要：

マーキング図:

絶対最大定格(特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値	ユニット	試験条件	注意
VDS	ドレイン・ソース間電圧	1200	V	VGS =0V、ID =100μA
VGSmax (DC)	最大直流電圧	-5～20	V	静的 (DC)
VGSmax (スパイク)	最大スパイク電圧	-10～23	V	デューティサイクル<1%、パルス幅<200ns
VGソン	推奨ターンオン電圧	18 0.5±	V
VGSオフ	推奨ターンオフ電圧	-3.5 ～ -2	V
ID	ドレイン電流（連続）	19	A	VGS =18V、TC =25℃	図23
		14	A	VGS =18V、TC =100℃
IDM	ドレイン電流（パルス）	47	A	SOAによって制限されるパルス幅	図26
ピートット	総電力損失	136	W	TC =25℃	図24
TSTG	保存温度範囲	-55～175	℃で
TJ	動作ジャンクション温度	-55～175	℃で
TL	はんだ温度	260	℃で	ウェーブはんだ付けは、ケースから 1.6mm のリードでのみ許可され、10 秒間

熱データ

シンボル		値	ユニット	注意
Rθ(JC)	ジャンクションからケースまでの熱抵抗	1.1	°C / W	図25

電気的特性(特に指定のない限り、TC =25.C)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
		ミン。	Typ。	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		5	100	μA	VDS =1200V、VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±100	nA	VDS = 0V、VGS = -5～20V
VTHカード	ゲート閾値電圧	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS、ID =2mA	図8、9
			2.1			VGS =VDS、ID =2mA @ TJ =175.C
RON	静的なドレイン・ソース間オン抵抗		160	208	mΩ	VGS =18V、ID =5A @TJ =25.C	図4、5、6、7
			285		mΩ	VGS =18V、ID =5A @TJ =175.C
シス	入力容量		575		pF	VDS=800V、VGS=0V、f=1MHz、VAC=25mV	図16
コス	出力容量		34		pF
クロス	逆伝達容量		2.3		pF
イオス	コスト貯蔵エネルギー		14		μJ		図17
Qg	総ゲートチャージ		29		nC	VDS=800V、ID=10A、VGS=-3～18V	図18
Qgs	ゲートソース電荷		6.6		nC
Qgd	ゲート・ドレイン電荷		14.4		nC
Rg	ゲート入力抵抗		10		Ω	f=1MHz
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	図19、20
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		22		μJ
td(オン)	ターンオン遅延時間		2.5		ns
tr	立ち上がり時間		9.5
td(オフ)	ターンオフ遅延時間		7.3
tf	立ち下がり時間		11.0
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	図22
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		19		μJ

逆方向ダイオード特性(特に指定のない限り、TC =25.C)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
シンボル		ミン。	Typ。	マックス。	ユニット	試験条件	注意
VSD	ダイオード順電圧		4.0		V	ISD = 5A、VGS = 0V	図10、11、12
VSD	ダイオード順電圧		3.7		V	ISD = 5A、VGS = 0V、TJ = 175.C	図10、11、12
てら	逆回復時間		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	逆回復チャージ		92		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		10.6		A