ホームペーじ / 製品 / コンポーネント / SiC MOSFET
| 原産地： | 浙江 |
| ブランド名： | Inventchip Technology |
| 型番： | IV2Q12160T4Z |
| 認証： | AEC-Q101 |
| 最低注文数量： | 450個 |
| 価格: | |
| パッケージ詳細： | |
| 配送時間： | |
| 支払い条件： | |
| 供給能力： |
特徴
+18Vゲート駆動に対応する第2世代SiC MOSFET技術
高いブロック電圧と低いオン抵抗
低容量による高速スイッチング
高い接合温度動作能力
非常に高速で堅牢なインヒンティブダイオード
ドライバ回路設計を容易にするケルビングエート入力
申請
自動車用 DC/DC コンバーター
オンボードチャージャー
太陽光インバーター
自動車運転手
自動車用コンプレッサーインバーター
スイッチング電源
概要：
マーク付き図：
絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 |
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 1200 | v | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (DC) | 最大DC電圧 | -5 から 20 | v | 静的 (DC) | |
| VGSmax (スパイク) | 最大スパイク電圧 | -10 から 23 | v | 動作サイクル<1%、パルス幅<200ns | |
| VGSon | 推奨されるオン電圧 | 18±0.5 | v | ||
| VGSoff | 推奨されるオフ電圧 | -3.5 から -2 | v | ||
| id | ドレイン電流（連続） | 19 | A について | VGS =18V、TC =25°C | 図23 |
| 14 | A について | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | ドレイン電流（パルス） | 47 | A について | SOAによってパルス幅が制限される | 図26 |
| Ptot | 総電力損失 | 136 | W について | TC =25°C | 図24 |
| ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -55から175 | °C | ||
| Tj | 動作時の接合温度 | -55から175 | °C | ||
| 翻訳 | はんだ付け温度 | 260 | °C | リード部でのみ波動はんだ付けを許可、本体から1.6mm離して10秒間 |
熱データ
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 注記 |
| Rθ(J-C) | 接合部からケースまでの熱抵抗 | 1.1 | °C/W | 図25 |
電気的特性 (TC =25℃、特に指定がない場合)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | 5 | 100 | 微分数 | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | ゲート漏れ電流 | ±100 | NA | VDS =0V, VGS = -5～20V | |||
| VTH | ゲート 限界電圧 | 1.8 | 2.8 | 4.5 | v | VGS =VDS , ID =2mA | 図8、9 |
| 2.1 | VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175℃ | ||||||
| ロン | 静的なドレイン・ソース間オン抵抗 | 160 | 208 | mΩ | VGS =18V, ID =5A @TJ =25℃ | 図4、5、6、7 | |
| 285 | mΩ | VGS =18V、ID =5A @TJ =175℃ | |||||
| Ciss | 入力容量 | 575 | PF | VDS=800V、VGS =0V、f=1MHz、VAC=25mV | 図16 | ||
| Coss | 輸出容量 | 34 | PF | ||||
| Crss | 逆転移容量 | 2.3 | PF | ||||
| Eoss | Cossに蓄えられたエネルギー | 14 | μJ | 図17 | |||
| 司令部 | 総ゲート電荷 | 29 | nC | VDS =800V、ID =10A、VGS =-3〜18V | 図18 | ||
| Qgs | ゲート-ソース充電量 | 6.6 | nC | ||||
| Qgd | ゲート-ドレイン充電量 | 14.4 | nC | ||||
| Rg | ゲート入力抵抗 | 10 | Ω | f=1MHz | |||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 115 | μJ | VDS =800V、ID =10A、VGS =-3.5から18V、RG(外部) =3.3Ω、L=300μH、TJ =25℃ | 図19、20 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 22 | μJ | ||||
| オン (オン) | オンする遅延時間 | 2.5 | NS | ||||
| について | 昇る時間 | 9.5 | |||||
| 消して | オフ遅延時間 | 7.3 | |||||
| TF | 秋の時間 | 11.0 | |||||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 194 | μJ | VDS =800V、ID =10A、VGS =-3.5から18V、RG(外部) =3.3Ω、L=300μH、TJ =175℃ | 図22 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 19 | μJ | ||||
逆ダイオード特性 (TC =25℃、特に指定がない場合)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| VSD | ダイオード前向き電圧 | 4.0 | v | ISD =5A、VGS =0V | 図10、11、12 | ||
| 3.7 | v | ISD =5A、VGS =0V、TJ =175℃ | |||||
| trr | 逆回復時間 | 26 | NS | VGS =-3.5V/＋18V、ISD =10A、VR =800V、RG(外部) =15Ω、L=300μH、di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | 逆回復電荷 | 92 | nC | ||||
| IRRM | ピーク逆回復電流 | 10.6 | A について | ||||
典型的性能（カーブ）
JA
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
