השגת אופטימיזציה בהמרת אנרגיה באמצעות SiC MOSFETs וחדשנות בדרייברים של שערים

אנחנו זקוקים לחשמל כדי לעשות מספר דברים בחיינו. חשמל הוא מה שאנו משתמשים בו להאיר ולהתחמם בבתים שלנו, שימושים בחשמל כמו מטענים לטלפונים ניידים או טבלטים אנדרואיד ונסיעות ברכבים שלנו. זה מסדר את עולמנו. אבל החשמל האמיתי צריך להתרגם למשהו שניתן להשתמש בו. תהליך שינוי החשמל הזה ידוע בשם המרה.

אנרגיה אנרגיה יכולה להפוך לצורה אחרת, וזה מה שאנו קוראים לו המרה של אנרגיה כמו לטעון את הסמארטפונים שלנו למשל, אנו מזיזים את האנרגיה שמוחזקת בתוך בטריה לאנרגיה חשמלית. זו האנרגיה החשמלית שמשמרת את הסמארטפונים שלנו בחיים ועוסקים. גם אור השמש, אנחנו לא יכולים להישאר מאחור בהמרה שלו לאנרגיה חשמלית; תבליטי שמש הם גם חברינו. הם עוזרים לנו לנצל את כוח השמש ולהשתמש בו כדי להאיר את הבתים שלנו או לתמוך בעלות של המכשירים שלנו.

כדי להקל על המעבר הזה, אנו מכניסים SiC MOSFETs לתוך יישומים שלנו. ה-SiC MOSFET הוא התקן יוצא דופן עשוי מחומר שונה, בעיקר סיליקון קרבייד. אלה הפכו ללהיט החדש אלקטרוניקה, במיוחד לדברים שדורשים הרבה המרת מוצק חזקה לעשות עם.

חדשנות מעניינות בהמרה של אנרגיה

מחזורי כוח חדשים ולא רק SiC MOSFETs, אז, מדענים ומהנדסים מוציאים הרבה זמן כדי לנסות למצוא דרכים קרות יותר שבהן הכוח נמוך ושומש. מכשירים שהם רוצים שיהיו קטנים, קלים וחזקים ככל האפשר, אך גם חזקים יותר ובזמן זה משתמשים בפחות אנרגיה.

SiC MOSFETs הוא דוגמה מושלמת של טכנולוגיה זו. מהנדסים קבעו שהסיליקון קרבייד היה הרבה יותר טוב מהטכנולוגיות הקדומות של צורת-הכוח הקיימת באמצעות שימוש בטיפוס II, חבילת מסדר D. זה אומר שהם יכולים להמיר יותר אנרגיה כדי לעשות את העבודה במקום לאבד חלק גדול מהאנרגיה במהלך ההמרה.

שיפורשפרות בגט דרייברים

גט דרייברס - עוד חלק מפתח בטכנולוגיית המרה של כוח הוא איבר שנקרא גט דרייברס. 1200v mosfet נשלטים על ידי מונחי שערים. הם מפקחים על הכוח שמופעל ונסגר על-ידי כל מכשיר או באופן חלופי מנהלים (מכוונים) את זרימת החשמל העוברת דרך. זה הכרחי, שכן ללא מונחי שערים לא היה אפשר לשלוט בהחלפת ה-MOSFETs.

MOSFETs מסיליקון קרביד פשוט לא עבדו טוב עם מונחי שערים קיימים כמו שהם עובדים עכשיו בשל שיפורים חדשים בתכנית שלהם. התפתחויות אלו מאפשרות למונחי שערים לשלוט ב-MOSFETs בצורה תקיפה יותר ובדיוק גבוה יותר. היתרון של זה הוא שהכל יכול להיפעל ולהיסגר הרבה מהר יותר בעת שימוש ב-MOSFETs מסיליקון קרביד.

קרא עוד: MOSFETs מסיליקון קרביד חדשים משפרים את הביצועים

אפילו טוב יותר, הוכרזו ה-MOSFETs החדשים ביותר מסיליקון קרביד. למעשה, מהנדסים בונים אותם כדי לטפל בכוח ובמתח אפילו גדולים יותר מאשר בעבר. אחד המזונות שהובאו על-ידי אלה החדשים 1200v sic mosfet על ידי Allswell זה שהם הרבה יותר יעילים בלהעביר את הכוח לאן אתה רוצה שהוא ילך ולא לשחרר אותו כאנרגיה שמשוחררת כחום. הם יכולים לעשות זאת כי יש להם מה שאנו קוראים לו התנגדות נמוכה. פחות התנגדות = קל יותר להכניס את האנרגיה, וזה גורם לכל דבר לרוץ בצורה חלקה יותר.

ה-SiC MOSFETs החדשות גם יכולות להיפטר על ולחזור למחצה במהירות הרבה גבוהה יותר. אז הן פועלות בצורה יעילה יותר ומשתמשות באנרגיה פחות בתהליך. הן יותר יעילות ככל שהן יכולות להחליף מהר יותר וזה חשוב עבור הרבה מכשירי אלקטרוניים.

השגת שימוש טוב יותר באנרגיה

בהחלט, כל הרעיונות והטכנולוגיהולוגיות החדשות האלו יכולות לחסוך לנו אנרגיה. השיטה מבטיחה שככל שהדבק החשמלי שלנו יהיה יעיל יותר, כך שנחסוך את האנרגיה שאנו מפסידים בכלל. כולם מתועבים בסיטואציה זו.

השימוש בחוכמה באנרגיהnergie הוא חשוב, מכיוון שהוא עוזר להציל את הסביבה שלנו ומאפשר לנו להוציא מינימום על חשבוני החשמל. לדוגמה, רכבים חשמליים (EVs) והנעה תקינה הם תלויים מאוד בהקטנת ה-EROEI (האנרגיהnERGY שוחזר על ההשקיעnERGY שהושקעו בהפקתם ובשימוש בהם.

MOSFETs של SiC ומנגנוני שער חדשים מאפשרים יותר את אימוץ התפתחויות אלו, כיוון שהם מאפשרים התקנים חזקים ויעילים יותר. למעשה, הם עוזרים לשנות את הדרך בה אנו ממירים ומפעילים אנרגיה בחיים היומיומיים שלנו.