מתג מוספט יִשְׂרָאֵל

יתרונות וחסרונות של מתגי MOSFET

ישנם יתרונות רבים בכל הנוגע לשימוש במתגי MOSFET בהשוואה לחלופות אחרות. יתרונות אלה כוללים התנגדות נמוכה במצב ON, מהירויות מיתוג מהירות ודרישות מופחתות של הנעת שער. כמו כן התנגדות הכניסה הגבוהה הופכת אותו למתאים היטב להתממשקות עם מעגלי שנאי בקרת הספק נמוך.

עם זאת, חשוב לא פחות להזכיר גם כמה מהחסרונות שמגיעים יד ביד עם רובי MOSFET. החיסרון הבולט של אלה הוא שהם חלקיים ליציאה לבריחה תרמית. הפעלת MOSFET במתחים וזרמים גבוהים יכולה לייצר יותר חום ובכך להפחית את ההתנגדות כאשר זה קורה זה גם יגרום להתחממות יתר שיוביל לכשל.

ישנו חיסרון נוסף למתגי MOSFET, הרגישים לפריקה אלקטרוסטטית (המכונה לרוב ESD), שעלולים לשבור את שכבת תחמוצת השער של מכשיר ה-MOS עצמו; אולם סביר להניח שזה ידרדר ביצועים מסוימים או הורס אותם.

בחירת המתג המתאים לאפליקציה שלך

בחירה בין הטעמים השונים של מתגים כרוכה בגורמים כגון רמות מתח וזרם נחוצות, תדירות שבה אתה צריך להפעיל/לכבות אותם וכו'. באופן כללי, מתגי MOSFET עובדים היטב ביישומים בעלי הספק גבוה הדורשים מהירויות מיתוג מהירות והפעלה נמוכה -התנגדות של המדינה.

עבור יישומים שמתעדפים יכולת שליטה, BJT יכול להיות אופציה. BJTs פופולריים ביישומי הספק נמוך מכיוון שהם בדרך כלל בעלי רווח זרם גבוה ומתח רוויה נמוך יותר מאשר MOSFETs45, מה שהופך אותם למועדפים בהתאם למצב.

כאבי ראש עקב מתגי MOSFET וכיצד לתקן אותם

אתגר נפוץ עם מתגי MOSFET הוא בריחת תרמית. ניתן לחשמל את ה-MOSFET רק על ידי דופק מהיר, אחרת הוא עשוי לעבוד שניות או אפילו דקות לפני שריפה. או השתמש בגוף קירור ב-MOSFET שלך כדי למנוע זאת - בדירוג של כמה וואטים שהנגדים מתחממים איתם אם אתה מתכוון לנהוג בקצב אש רציף ומהיר (אם כי הם לא יהפכו לאופטימליים במיוחד) - או להפחית את המתח/הזרם בזמן עבודה מאריך,-`ccc

יתר על כן, פגיעות מקריות של פריקה אלקטרוסטטית (ESD) יכולות להזיק לשכבת תחמוצת השער במתגי MOSFET. הסיכון הוא ש-ESD יכול להתרחש אם ה-MOSFET נסדק ויש לו מגע עם מסוף השער, מה שמחייב טיפול זהיר.

מתח כונן שער לא מספיק (Vs) חיווט שגוי קצרי מעגלים בכל בעיה כזו שנצפתה, איתור התקלות יתבצע על חוטים ורכיבים אחרים, כיוון שייתכן שהתקשרות תתבצע בזמן הנגרר בחיפוש אחר רכיב מעורפל.

מעגל מתג MOSFET למתחילים שלב אחר שלב הדרכה

MOSFET למרות שזה עשוי להיות מפחיד למדי עבור חובבי אלקטרוניקה מתחילים שרק התחילו, אבל זה יכול להיות פרויקט פשוט שלוקח שעות בלבד עם החלקים הנכונים וסבלנות. להלן מדריך מעמיק יותר כיצד לבנות מעגל מתג MOSFET בסיסי משלך צעד אחר צעד.

מה אתה צריך: הנה מה שאתה צריך, טרנזיסטור MOSFET, IC של מנהל השער (2 חלקים), דיודת שוטקי ושלבי מחולל LF.

חבר את ה-MOSFET: השתמש בנגד בטור (מחובר על פני) השער והמקור של ה-IGBT/MOSFET שלך כדי להגביל את זרם הכונן. הכנס את דיודת ה-schottky במקביל ל-MOSFET.

יש לחבר את ה-IC Driver של השער למקור מתח ולאות הבקרה, כאשר ביניהם ממוקם נגד מגביל פריצה.

שלב 2: חבר את עומס ה-LoadAttach ל-mosfet ודא שחיבור ההארקה תקין.

בדיקת מעגלים: הפעל את אות בקרת הכונן של ה-IC של מנהל השער כדי לבדוק את המעגל. ה-MOSFET יוכל להדליק ולכבות בקלות, ולאפשר זרם לזרוק את העומס.

מסקנה מתגי MOSFET הם גאדג'טים בעלי יכולת מרובת המשמשים להחלפת כמויות גדולות של חשמל ומגיעים בתצורות רבות. אלה כוללים יתרונות כמו התנגדות נמוכה במצב ON, מהירות מיתוג גבוהה ודרישות נמוכות מאוד להנעת שער, אך גם אתגרים כמו בריחת תרמית או רגישות לפריקה אלקטרוסטטית. אם תבחר את הסוג הנכון של טרנזיסטור MOSFET בשילוב עם מעגל מתוכנן היטב הכל יעבוד ללא רבב וניתן להימנע ממלכודות רגילות.