SiC MOSFET

SiC MOSFET אוטומובילי 650V 25mΩ דור 2

הקדמה

הקדמה

מקום מוצא:	צגיאנג
שם מותג:	טכנולוגיהchnology
מספר דגם:	IV2Q06025T4Z
הסמכה:	AEC-Q101

תכונות

2 דור SiC טכנולוגיית MOSFET עם
+18V מתח שער
מתח חסימה גבוה עם התנגדות נמוכה בעת פעילות
החלפת מהירות גבוהה עם קיבול נמוך
יכולת טמפרטורה גבוהה של נקודה החיבור
דיאוד גוף פנימי מהיר וחזק מאוד
קלט שער קלווין המקל על תכנון מעגל הדרייב

יישומים

מונחי מנועים
הופכי סולרי
המרות DC/DC אוטומובילי
הופכני דחיסה למכוניות
מתקנים של אספקת חשמל במצב סוויטשינג

תבנית:

דיאגרמת סימון:

ערכי מקסימום מוחלטים (Tc=25°C אלא אם נאמר אחרת)

סימן	פרמטר	ערך	יחידה	תנאי בדיקה	הערה
VDS	מתח דrain-Source	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	מתח DC מקסימלי	-5 עד 20	V	סטטי (DC)
VGSmax (קיצור)	מתח שיא מרבי	-10 עד 23	V	מחזוריות<1%, ורוחב פולס<200ns
VGSon	מתח הפעלה מומלץ	18±0.5	V
VGSoff	מתח כיבוי מומלץ	-3.5 עד -2	V
תעודת זהות	זרם דrain (רציף)	99	א	VGS =18V, TC =25°C	איור 23
		72	א	VGS =18V, TC =100°C
IDM	זרם דrain (מופעל בדפנות)	247	א	רוחב נפיצה מוגבל על ידי SOA	תבנית 26
Ptot	הפרת כוח כוללת	454	ר	TC = 25°C	תרש. 24
Tstg	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 175	°C
Tj	טמפרטורת מפגש בפעולה	-55 עד 175	°C
TL	טמפרטורת חיבוט	260	°C	הסגרת גל מותרת רק בקצוות, 1.6 מ"מ מהמקרה למשך 10 שניות

נתונים תרמיים

סימן	פרמטר	ערך	יחידה	הערה
Rθ(J-C)	התנגד Resistivity תרמית מנקודת החיבור לקופסה	0.33	°C/W	תרשים 25

מאפיינים חשמליים (TC =25。C אלא אם כן צוין אחרת)

סימן	פרמטר	ערך			יחידה	תנאי בדיקה	הערה
סימן	פרמטר	מינימלי	נורמה	מקס.	יחידה	תנאי בדיקה	הערה
IDSS	זרם דrain בהפרש גייט אפס		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	זרם שפיכת גייט			±100	לא זמין	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	מתחשע תרגרמ יתג	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	מתחשע תרגרמ יתג		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	התנגדstance חסימת מקור-מגזר על-		25	33	מΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	תבליט 4, 5, 6, 7
RON	התנגדstance חסימת מקור-מגזר על-		38		מΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	תבליט 4, 5, 6, 7
Ciss	קיבול קלט		3090		פה	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	תבליט 16
Coss	קיבפנות יציאה		251		פה
Crss	קיבפנות העברה הפוכה		19		פה
Eoss	אנרגיהנרגיה מאוחסנת של Coss		52		מ'ג		תב. 17
Qg	מטען שער כולל		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 עד 18V	תב. 18
Qgs	מטען מקור-שער		35.7		nC
Qgd	מטען שער-דרן		38.5		nC
Rg	התנגדومة קלט של השער		1.5		Ω	f=1MHz
EON	אנרגיהרGI תזוזה להפעלה		218.8		מ'ג	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 עד 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	תבליט 19, 20
EOFF	אנרגיה אנרגיה של חילופי כיבוי		95.0		מ'ג
td(על)	זמן התעכב של הפעלה		12.9		NS
tr	זמן עלייה		26.5
td(כבה)	זמן התעכב של כיבוי		23.2
TF	זמן נפילה		11.7
EON	אנרגיהרGI תזוזה להפעלה		248.5		מ'ג	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 עד 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	תמונה 22
EOFF	אנרגיה אנרגיה של חילופי כיבוי		99.7		מ'ג		תמונה 22

מאפייני דיאוד הפוך (TC =25。C אלא אם כן צוין אחרת)

סימן	פרמטר	ערך			יחידה	תנאי בדיקה	הערה
סימן	פרמטר	מינימלי	נורמה	מקס.	יחידה	תנאי בדיקה	הערה
וי.אס.די	מתח דיאוד קדימה		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	תמונה 10, 11, 12
וי.אס.די	מתח דיאוד קדימה		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175.°C	תמונה 10, 11, 12
trr	זמן שיקום הפוך		32		NS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	מטען שיקום הפוך		195.3		nC
IRRM	זרם שיקום הפוך מקסימלי		20.2		א