IV1B12013HA1L – MODULO SiC 1200V 13mohm Solare Italia

Luogo di origine:	Zhejiang
Marca:	Tecnologia InventChip
Numero di modello:	IV1B12013HA1L
Certificazione:	AEC-Q101

Caratteristiche

• Elevata tensione di blocco con bassa resistenza

• Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

• Elevata capacità di temperatura di giunzione operativa

• Diodo body intrinseco molto veloce e robusto

Applicazioni

• Applicazioni solari

• Sistema UPS

• Autisti del motore

• Convertitori DC/DC ad alta tensione

CONFEZIONE

Diagramma di marcatura

Valutazioni massime assolute(TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Condizioni di prova	Note:
VDS	Tensione Drain-Source	1200	V
VGSmax (CC)	Massima tensione CC	-5 a 22	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione di picco	-10 a 25	V	Ciclo di lavoro <1% e larghezza dell'impulso <200 ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	20 0.5 ±	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente di scarico (continua)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corrente di scarico (impulsiva)	204	A	Ampiezza dell'impulso limitata dalla SOA	Fig.26
PTOT	Dissipazione di potenza totale	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a 150	° C
TJ	Temperatura massima della giunzione virtuale in condizioni di commutazione	-40 a 150	° C	Funzionamento
		-55 a 175	° C	Intermittente con durata ridotta

Dati termici

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Note:
Rθ(JH)	Resistenza termica dalla giunzione al dissipatore di calore	0.596	° C / O	Fig.25

Caratteristiche elettriche(TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
		Min.	Tip.	Max.
IDSS	Corrente di drenaggio della tensione di gate zero		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente di dispersione del gate			± 200	nA	VDS = 0 V, VGS = -5~20 V
VTH CARTA	Tensione di soglia del gate	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, ID=24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID =24mA @ TC =150。C
RON	Resistenza on-source statica drain		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Capacità di ingresso		11		nF	VDS=800V, VGS=0V, f=100kHZ, VCA=25mV	Fig.16
Cos	Capacità di uscita		507		pF
Crs	Capacità di trasferimento inverso		31		pF
Eoss	Costo dell'energia immagazzinata		203		μJ		Fig.17
Qg	Addebito totale al cancello		480		nC	VDS =800 V, ID =80 A, VGS = da -5 a 20 V	Fig.18
Qg	Addebito gate-source		100		nC
Qgd	Addebito di scolo del cancello		192		nC
Rg	Resistenza di ingresso del cancello		1.0		Ω	f=100kHz
EON	Accendi l'energia di commutazione		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Spegnere l'energia di commutazione		182		μJ
td(attivo)	Ritardo all'accensione		30		ns
tr	Ora di alzarsi		5.9
td(spento)	Ritardo alla disattivazione		37
tf	Tempo di caduta		21
LsCE	Induttanza parassita		7.6		nH

Caratteristiche del diodo inverso(TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
		Min.	Tip.	Max.
VSD	Tensione diretta del diodo		4.9		V	ISD = 80 A, VGS = 0 V	Fig.10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
TRR	Tempo di recupero inverso		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Carica di recupero inverso		1095		nC
IRRM	Corrente di picco di recupero inverso		114		A

Caratteristiche del termistore NTC

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
		Min.	Tip.	Max.
RNTC	Resistenza nominale		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
∆R/R	Tolleranza alla resistenza a 25 ℃	-5		5	%
β25/50	Valore beta		3380		K	± 1%
Pmax	Dissipazione di potenza		5		mW

Prestazioni tipiche (curve)

         

Dimensioni imballo (mm)