Confronto tra MOSFET SiC e MOSFET al silicio da 1200 V: prestazioni ed efficienza

Quando si scelgono le parti per sviluppare dispositivi elettronici, una realizzazione essenziale è il confronto tra due transistor ordinari: 1200V SiC e Si MOSFET. Ci sono due tipi di transistor che funzionano in modo diverso e sono coinvolti nelle prestazioni del dispositivo. Scegliere quello corretto può influenzare significativamente l'efficienza delle prestazioni del dispositivo.

Che cosa è un transistor SiC da 1200 V

I MOSFET SiC hanno una tensione di rottura maggiore rispetto ai Si igbt e possono funzionare a temperature molto più elevate rispetto ai MOSFET in silicio. Ciò li rende adatti all'applicazione in applicazioni che richiedono alta potenza come veicoli elettrici e sistemi di energia solare. Questi sistemi richiedono dispositivi che possono funzionare in modo sicuro ed efficiente in condizioni difficili. D'altro canto, i MOSFET in silicio sono stati utilizzati ampiamente nel tempo in milioni di dispositivi elettronici di consumo. Li vedi in così tanti gadget perché sono in genere meno costosi e più semplici da produrre.

Come funzionano?

Le prestazioni di un transistor sono essenziali per determinare quanto efficacemente può regolare il flusso di elettricità all'interno di un dispositivo. Poiché i transistor SiC hanno una resistenza molto più bassa, è più facile per l'elettricità fluire attraverso di essi. Si accendono e si spengono più rapidamente dei MOSFET al silicio. Ciò consente loro di utilizzare meno energia totale e produrre meno calore quando sono in funzione. Ecco perché i transistor SiC sono in grado di essere parzialmente più efficienti. I MOSFET al silicio, tuttavia, possono diventare troppo caldi e aver bisogno di dispositivi di raffreddamento aggiuntivi nella speranza di non surriscaldarsi. In questo modo, quando vengono realizzati dispositivi elettronici, hanno anche un'idea di cosa devono adattarsi.

Quanto sono efficienti?

E l'efficienza è il livello a cui un programma, un servizio, un prodotto o un'organizzazione fa ciò che intende fare. Questo transistor è SiC, che è efficiente rispetto al MOSFET al silicio. La ridotta resistenza e velocità dei transistor SiC fa sì che i dispositivi funzionino con prestazioni migliori utilizzando meno energia. Ciò equivale a poter pagare meno bollette elettriche a lungo termine tramite i transistor SiC. È qualcosa come una lampadina a basso consumo che illumina comunque la stanza!

Cosa confrontare tra i due?

Ci sono alcune caratteristiche importanti da confrontare tra i MOSFET SiC e in silicio da 1200 V. Queste sono la tensione che possono sopportare, la temperatura che possono sopportare, le loro velocità di commutazione e la loro efficienza in potenza. In tutti questi, i transistor SiC sono generalmente migliori delle loro alternative MOSFET in silicio. Ciò li rende ideali per l'uso in applicazioni in cui elevata potenza e affidabilità sono estremamente importanti, come nei veicoli elettrici e nei sistemi di energia rinnovabile.

Perché questa scelta è importante?

Il sacrificio tra i MOSFET SiC e al silicio da 1200 V potrebbe essere una scelta di progettazione che ha un effetto di vasta portata sulle prestazioni del sistema. Gli ingegneri possono quindi sviluppare componenti elettronici più efficienti e affidabili scegliendo i transistor SiC. Ciò consente a tali dispositivi di funzionare a tensioni e temperature maggiori, con conseguente miglioramento delle prestazioni complessive del sistema. Tuttavia, la selezione del transistor appropriato potrebbe anche ridurre drasticamente il consumo di energia, il che è positivo per l'ambiente e riduce al minimo i costi per i clienti.

Infine, se si stanno prendendo in considerazione i MOSFET SiC o al silicio da 1200 V fari a led per auto per l'uso nei tuoi dispositivi elettronici, analizza completamente ciò di cui il sistema ha bisogno e quanto efficientemente dovrebbe funzionare. Se non ti dispiace spendere di più e risparmiare tramite l'uso del transistor, usa i transistor SiC da 1200 V perché sono in genere più efficienti dal punto di vista energetico, il che alla fine aumenta l'intera funzionalità dei tuoi dispositivi più di quanto non facciano i MOSFET al silicio in determinati scenari. Spero che questo piccolo boccone ti abbia illuminato sul prossimo agente di dispositivi elettronici che stai sviluppando e ti abbia effettivamente aiutato a fare quella scelta tra SiC da 1200 V o MOSFET al silicio per adattarla al design che stai sviluppando.