L'elettronica di potenza è sempre alla ricerca di tecnologie più efficienti e, credetemi, questo mondo dei sistemi di alimentazione non ne ha mai abbastanza. Un MOSFET SiC BIC da 1200 Volt ha inaugurato quello che è probabilmente lo sviluppo più rivoluzionario nell'elettronica di potenza. Ci sono molti controesempi di questo tipo. I vantaggi di questi nuovi MOSFET SiC rispetto ai tradizionali switch basati su IGBT/MOS basati su silicio (Si) includono tensioni nominali più elevate; commutazione più rapida e perdite di commutazione inferiori.
Come già accennato, il vantaggio principale dei MOSFET SiC da 1200 V rispetto al silicio tradizionale (Si) è la loro capacità di tensione più elevata. Questi nuovi MOSFET possono gestire tensioni fino a 1200 V, che è molto più alto del limite convenzionale di circa 600 V per i MOSFET al silicio e i cosiddetti dispositivi a supergiunzione. Questa è una caratteristica rilevante per applicazioni ad alta tensione come veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e alimentatori industriali.
I MOSFET SiC da 1200 V hanno capacità di tensione più elevate e velocità di commutazione più elevate. Ciò consente loro di accendersi e spegnersi molto più rapidamente, il che equivale a una maggiore efficienza e a minori perdite di potenza. Inoltre, i MOSFET SiC hanno una resistenza di accensione inferiore rispetto ai FET di potenza basati su silicio, il che aiuta anche a ridurre l'efficienza della conversione CC/CA.
I MOSFET SiC da 1200 V offrono una tensione più elevata e velocità di commutazione più elevate, il che li rende ideali per la maggior parte delle applicazioni. I MOSFET SiC possono essere utilizzati nei veicoli elettrici per migliorare l'efficienza e le prestazioni dell'elettronica di potenza per tali applicazioni azionate da motore. La velocità di commutazione dei MOSFET SiC è più rapida e possono anche trovare applicazione su azionamenti di motori industriali e alimentatori in cui il calore eccessivo dell'inverter half-bridge potrebbe rappresentare una sfida.
Un segmento in cui i MOSFET SiC stanno trovando la loro strada è quello dei sistemi di energia rinnovabile. Ad esempio, i MOSFET SiC nei sistemi di energia solare hanno il potenziale per consentire una maggiore densità di potenza e una maggiore durata per gli inverter che convertono la potenza CC dei pannelli solari in una rete CA. Grazie alle capacità di tensione più elevate dei MOSFET SiC, sono ideali per questa applicazione perché i pannelli solari generano tensioni elevate e i MOSFET al silicio tradizionali hanno difficoltà con questo.
Vantaggi dei MOSFET SiC da 1200 V per l'uso in ambienti ad alta temperatura
Soprattutto, i MOSFET SiC possono anche funzionare ad alte temperature. I MOSFET al silicio, d'altro canto, sono ampiamente inefficienti ad alte temperature e possono surriscaldarsi fino a smettere di funzionare. A differenza dei MOSFET al silicio, i MOSFET SiC possono funzionare fino a 175°C, che è una temperatura superiore alla massima per una classe di isolamento di potenza del motore più comunemente utilizzata.
Questa elevata capacità termica potrebbe rappresentare un cambio di paradigma nei casi d'uso industriali. Ad esempio, i MOSFET SiC possono essere impiegati per regolare la velocità e la coppia di un motore in azionamenti motore. In un ambiente ad alta temperatura in cui il motore è in funzione, i MOSFET SiC possono essere più efficienti e affidabili dei tradizionali MOSFET basati sul silicio.
I sistemi di energia rinnovabile sono un'area particolarmente ampia e in crescita per l'impatto dei MOSFET SiC da 1200 V. Il mondo sta puntando su fonti di energia rinnovabile sotto forma di energia solare o eolica e questo ha aumentato la necessità di ottenere un'elettronica di potenza buona ed efficiente.
L'uso di MOSFET SiC può anche risolvere molti problemi aziendali ordinari con sistemi di energia rinnovabile. Ad esempio, possono essere utilizzati nell'inverter per convertire la corrente continua dai pannelli solari in corrente alternata per la rete. I MOSFET SiC rendono la conversione più vantaggiosa, il che significa che l'inverter è in grado di funzionare con un'efficienza maggiore e una minore perdita di potenza.
I MOSFET SiC possono anche aiutare ad affrontare alcuni altri problemi associati all'integrazione in rete dei sistemi di energia rinnovabile. Ad esempio, se si crea un grande aumento tramite energia solare o eolica, si modifica digitalmente la quantità di carico che la rete può caricare. Inverter collegati alla rete: i MOSFET SiC utilizzati negli inverter collegati alla rete consentono il controllo attivo della potenza reattiva, contribuendo alla stabilizzazione della rete e a una fornitura affidabile di energia.
Sblocca la potenza dei MOSFET SiC da 1200 V nell'elettronica moderna
I MOSFET si basano sul carburo di silicio e sulle sue proprietà di ampio bandgap per funzionare a temperature, frequenze e tensioni molto più elevate rispetto ai loro predecessori in silicio più semplici. Questa classificazione di 1200 V è particolarmente importante per applicazioni di conversione ad alta potenza come veicoli elettrici (EV), inverter fotovoltaici e azionamenti di motori industriali. I MOSFET SiC riducono le perdite di commutazione e le perdite di conduzione, consentendo un nuovo regno di efficienza che a sua volta consente sistemi di raffreddamento più piccoli, consumi energetici inferiori e al contempo risparmi sui costi nel tempo.
I sistemi di energia rinnovabile basati su turbine eoliche e solari fotovoltaiche integrati nella rete sono sensibili alle variazioni di tensione, frequenza di corrente ecc., e richiedono anche componenti in grado di resistere alla bassa efficienza inerente alle fluttuazioni della potenza in ingresso. I MOSFET SiC da 1200 V raggiungono questo risultato vantando frequenze di commutazione più rapide, offrendo un migliore controllo della conversione di potenza. Ciò non si traduce solo in una maggiore efficienza complessiva del sistema, ma anche in una migliore stabilità della rete e capacità di integrazione, svolgendo un ruolo significativo nel promuovere un panorama di distribuzione energetica più ecosostenibile.
Autonomia più lunga e ricarica più rapida grazie alla tecnologia MOSFET SiC da 1200 V [Italiano]init (1)
Queste sono le parole magiche nel settore dei veicoli elettrici (EV), dove marchi proprietari e design all'avanguardia esistono principalmente per alimentare un'elevata priorità nel raggiungere sia autonomie maggiori rispetto ai rivali sia tempi di ricarica più rapidi. I MOSFET SiC da 1200 V di Cree consentono di risparmiare spazio e peso nei gruppi propulsori EV quando installati nei caricabatterie di bordo e nei sistemi di guida. Il loro funzionamento a temperature più elevate riduce i requisiti di raffreddamento, il che libera spazio e peso per più batterie o migliora il design del veicolo. Inoltre, l'aumento dell'efficienza facilita l'estensione dell'autonomia e tempi di ricarica più rapidi, due fattori chiave nell'adozione dei veicoli elettrici da parte dei consumatori che ne accelereranno la proliferazione globale.
Risolvere la sfida delle alte temperature in sistemi più piccoli e affidabili
La gestione termica e i vincoli di spazio sono vere e proprie insidie in molti sistemi elettronici ad alte prestazioni. Poiché il MOSFET SiC da 1200 V è così resistente alle temperature più elevate, ciò significa che anche i sistemi di raffreddamento possono essere ridotti in termini di dimensioni e packaging, senza alcuna perdita di affidabilità. I MOSFET SiC svolgono un ruolo fondamentale in settori quali aerospaziale, esplorazione di petrolio e gas, macchinari pesanti, dove le condizioni operative sono impegnative e lo spazio è limitato per ingombri più ridotti e peso inferiore, offrendo resilienza in ambienti difficili, riducendo gli sforzi di manutenzione.
Ampia gamma di utilizzi dei MOSFET al carburo di silicio a 1200 V
Ma le applicazioni dei MOSFET SiC da 1200 V vanno ben oltre l'energia rinnovabile e la mobilità elettrica. Sono utilizzati nello sviluppo di convertitori DC/DC ad alta frequenza per data center e apparecchiature per telecomunicazioni per fornire efficienza energetica, densità di potenza ecc. Aiutano a miniaturizzare i sistemi di imaging e gli strumenti chirurgici nei dispositivi medici. La tecnologia SiC alimenta caricabatterie e adattatori nell'elettronica di consumo, con conseguenti dispositivi più piccoli, più freddi e più efficienti. Con la continua ricerca e sviluppo, le applicazioni per questi materiali avanzati dovrebbero sembrare virtualmente illimitate.
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Per riassumere, l'emergere dei MOSFET SiC da 1200 V è un punto di svolta nell'elettronica di potenza e porta a un'efficacia, un'affidabilità e un sistema miniaturizzato senza precedenti. Le loro applicazioni sono molto diffuse, spaziando dalla rivoluzione dell'energia verde all'industria automobilistica e ai progressi tecnologici all'avanguardia, ad esempio. Ciò fa ben sperare per un futuro della tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) che continuerà a superare i confini e il suo utilizzo sarà davvero trasformativo mentre guardiamo al mondo da qui tra 50 anniapatkan/