650V 25mΩ Gen2 Automotivo SiC MOSFET

Caratteristiche

Applicazioni

Contorno:

Diagramma di marcatura:

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Condizioni di prova	Nota
VDS	Tensione Drain-Source	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	tensione massima in corrente continua	-5 a 20	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione a picco	-10 a 23	V	Ciclo di lavoro <1%, e larghezza impulso <200ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	18±0.5	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente al draino (continua)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente del drain (a impulsi)	247	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipazione totale di potenza	454	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura di funzionamento della giunzione	-55 a 175	°C
In breve	Temperatura di saldatura	260	°C	saldatura a onda consentita solo sui terminali, 1,6 mm dal caso per 10 s

Dati termici

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Nota
Rθ(J-C)	Resistenza termica dal giunzione al caso	0.33	°C/W	Fig. 25

Caratteristiche Elettriche (TC =25。C se non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità	Condizioni di prova	Nota
IDSS	Corrente del draino a tensione zero della griglia		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Corrente di perdita di portata			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensione di soglia di ingresso	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Tensione di soglia di ingresso		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Resistenza di conduzione drain-source statica		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Resistenza di conduzione drain-source statica		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacità di ingresso		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacità di uscita		251		PF
Crss	Capacità di trasferimento inverso		19		PF
Eoss	Energia immagazzinata in Coss		52		μJ		Fig. 17
CdG	Carica totale del gate		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carica gate-source		35.7		nC
Qgd	Carica gate-drain		38.5		nC
Rg	Resistenza di ingresso gate		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Accensione di energia di commutazione		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 a 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		95.0		μJ
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		12.9		NS
tr	Tempo di risalita		26.5
Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento		23.2
TF	Tempo di caduta		11.7
EON	Accensione di energia di commutazione		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175°C	Fig. 22
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		99.7		μJ		Fig. 22

Caratteristiche del Diode Inverso (TC =25。C se non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità	Condizioni di prova	Nota
VSD	Tensione di diodo in avanti		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensione di diodo in avanti		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tempo di recupero inverso		32		NS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Importo di recupero inverso		195.3		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		20.2		A