1700V 1000mΩ SiC MOSFET Inverter Solari

Luogo di origine:	Zhejiang
Nome del marchio:	Inventchip Technology
Numero di modello:	IV2Q171R0D7Z
Certificazione:	AEC-Q101 qualificato

Caratteristiche

• Tecnologia SiC MOSFET di 2ª generazione con drive della porta +15~+18V

• Alta tensione di blocco con bassa resistenza accesa

• Alta velocità di commutazione con bassa capacitanza

• Capacità di temperatura di giunzione operativa a 175℃

• Diodo intrinseco ultra rapido e robusto

• Ingresso Kelvin per il gate che semplifica la progettazione del circuito driver

• AEC-Q101 qualificato

Applicazioni

• inverter solari

• Alimentatori ausiliari

• Alimentatori a Modalità Commutata

• Contatori intelligenti

Contorno:

 

Diagramma di marcatura:

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Condizioni di prova	Nota
VDS	Tensione Drain-Source	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transitorio)	Massima tensione a picco	-10 a 23	V	Ciclo di lavoro <1%, e larghezza del pulsante<200ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	15 a 18	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-5 a -2	V	Valore tipico -3,5V
ID	Corrente al draino (continua)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente del drain (a impulsi)	15.7	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA e Rθ(J-C) dinamica	Fig. 25, 26
ISM	Corrente del diodo di corpo (a impulsi)	15.7	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA e Rθ(J-C) dinamica	Fig. 25, 26
Ptot	Dissipazione totale di potenza	73	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura di funzionamento della giunzione	-55 a 175	°C

Dati termici

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Nota
Rθ(J-C)	Resistenza termica dal giunzione al caso	2.05	°C/W	Fig. 25

Caratteristiche Elettriche (TC =25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
IDSS	Corrente del draino a tensione zero della griglia		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Corrente di perdita di portata			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensione di soglia di ingresso	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Resistenza statica di drenaggio-origine accesa		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Capacità di ingresso		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacità di uscita		15.3		PF
Crss	Capacità di trasferimento inverso		2.2		PF
Eoss	Energia immagazzinata in Coss		11		μJ		Fig. 17
CdG	Carica totale del gate		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carica gate-source		2.7		nC
Qgd	Carica gate-drain		12.5		nC
Rg	Resistenza di ingresso gate		13		Ω	f=1MHz
EON	Accensione di energia di commutazione		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V a 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		17.0		μJ
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		4.8		NS
tr	Tempo di risalita		13.2
Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento		12.0
TF	Tempo di caduta		66.8
EON	Accensione di energia di commutazione		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V a 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Caratteristiche del Diode Inverso (TC =25。C se non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
VSD	Tensione di diodo in avanti		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
è	Corrente in avanti del diodo (continua)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Tempo di recupero inverso		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Importo di recupero inverso		54.2		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		8.2		A

Prestazioni Tipiche (curve)

 

Dimensioni della confezione

Note:

1. Riferimento del pacchetto: JEDEC TO263, Variazione AD

2. Tutte le Dimensioni sono in mm

3. Soggetto a modifiche senza preavviso