Tutte le Categorie
CONTATTACI
Sic bd

Pagina principale /  Prodotti  /  Componenti /  Sic bd

Diodo Schottky SiC automobilistico 1200V 40A
Diodo Schottky SiC automobilistico 1200V 40A

Diodo Schottky SiC automobilistico 1200V 40A

  • Introduzione

Introduzione

Luogo di origine: Zhejiang
Nome del marchio: Inventchip Technology
Numero di modello: IV1D12040U3Z
Certificazione: AEC-Q101 qualificato


Quantità minima di imballaggio: 450pezzi
Prezzo:
Dettagli Imballaggio:
Tempo di consegna:
Termini di pagamento:
Capacità di fornitura:


Caratteristiche

  • Temperatura Massima della Giunzione 175°C

  • Alta Capacità di Corrente di Surge

  • Corrente di Recupero Inverso Zero

  • Tensione di Recupero Diretto Zero

  • funzionamento ad alta frequenza

  • Comportamento di Commutazione Indipendente dalla Temperatura

  • Coefficiente di Temperatura Positivo su VF

  • AEC-Q101 qualificato


Applicazioni

  • Diodi di Rovescio per Invertitori Automobilistici

  • Punti di ricarica per VE

  • Vienna PFC a Tre Fasi

  • Potenziamento Energetico Solare

  • Alimentatori a Modalità Commutata


Outline

image


Diagramma di Marcatura

image



Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo Parametro valore unità
VRRM Tensione inversa (picco ripetitivo) 1200V
VDC Tensione di blocco CC 1200V
IF Corrente in avanti (continua) @Tc=25°C 54* A
Corrente in avanti (continua) @Tc=135°C 28* A
Corrente in avanti (continua) @Tc=151°C 20* A
IFSM Picco di corrente non ripetitivo @Tc=25°C tp=10ms onda semiseno 140* A
IFRM Picco di corrente ripetitivo (Freq=0.1Hz, 100 cicli) onda semiseno @Tamb =25°C tp=10ms 115* A
Ptot Dissipazione totale di potenza @ Tc=25°C 272* W
Dissipazione totale di potenza @ Tc=150°C 45*
Valore I2t @Tc=25°C tp=10ms 98* A2s
TSTG Intervallo di temperatura di conservazione -55 a 175 °C
Tj Intervallo di temperatura di funzionamento -55 a 175 °C

*Per Gambo

Sforzi superiori a quelli elencati nella tabella dei Valori Massimi possono danneggiare il dispositivo. Se uno qualsiasi di questi limiti viene superato, non si può assumere che il dispositivo funzioni correttamente, potrebbe verificarsi un danno e ne risulterebbe compromessa la affidabilità.

la funzionalità del dispositivo non deve essere presa per scontata, potrebbero verificarsi danni e l'affidabilità potrebbe essere compromessa.


Caratteristiche Elettriche

Il simbolo Parametro Tipo. Max. unità Condizioni di prova Nota
VF Voltaggio di avanzamento 1,48* 1,8* V IF = 20 A TJ = 25°C Fig. 1
2,1* 3,0* IF = 20 A TJ =175°C
Ir Corrente inversa 10* 200* μA VR = 1200 V TJ =25°C Fig. 2
45* 800* VR = 1200 V TJ =175°C
C Capacità Totale 1114* PF VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz Fig. 3
100* VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
77* VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Controllo di qualità Carica Capacitiva Totale 107* nC VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv Fig. 4
ec Energia di Capacitanza 31* μJ VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv Fig. 5

*Per Gambo


Caratteristiche Termiche (Per Gamba)


Il simbolo Parametro Tipo. unità Nota
Rth(j-c) Resistenza termica dal giunzione al caso 0.55°C/W Fig.7


Prestazioni Tipiche (Per Gamba)

image

image

image

image


Dimensioni della confezione

image

    imageimage


Note:

1. Riferimento del Pacchetto: JEDEC TO247, Variazione AD

2. Tutte le Dimensioni sono in mm

3. Si Richiede una Fessura, l'Incasso Può Essere Arrotondato o Rettagolare

4. Le Dimensioni D&E Non Includono il Flash di Molding

5. Soggetto a Cambiamenti Senza Preavviso

PRODOTTO CORRELATO