Alimentatori ausiliari 1700V 1000mΩ SiC MOSFET Italia

Luogo di origine:	Zhejiang
Marca:	Inventchip
Numero di modello:	IV2Q171R0D7
Quantità minima di imballaggio:	450

Caratteristiche

⚫ Tecnologia MOSFET SiC di seconda generazione con

+15~+18V azionamento cancello

⚫ Elevata tensione di blocco con bassa resistenza di accensione

⚫ Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

⚫ Capacità di temperatura di giunzione operativa di 175℃

⚫ Diodo intrinseco ultraveloce e robusto

⚫ Progettazione del circuito di driver di ingresso di facilitazione della porta Kelvin

Applicazioni

⚫ Inverter solari

⚫ Alimentatori ausiliari

⚫ Alimentatori switching

⚫ Contatori intelligenti

Outline:

Diagramma di marcatura:

Valutazioni massime assolute (TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Condizioni di prova	Note:
VDS	Tensione Drain-Source	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (transitorio)	Massima tensione di picco	-10 a 23	V	Ciclo di lavoro <1% e larghezza di impulso <200 ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	da 15 a 18	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	Da -5 a -2	V	Valore tipico -3.5V
ID	Corrente di scarico (continua)	6.3	A	Temperatura di funzionamento: 18V, TC: 25°C	Fig. 23
ID	Corrente di scarico (continua)	4.8	A	Temperatura di funzionamento: 18V, TC: 100°C	Fig. 23
IDM	Corrente di scarico (impulsiva)	15.7	A	Larghezza di impulso limitata da SOA e Rθ(JC) dinamico	Figura 25, 26
ISM	Corrente del diodo corporeo (pulsata)	15.7	A	Larghezza di impulso limitata da SOA e Rθ(JC) dinamico	Figura 25, 26
PTOT	Dissipazione di potenza totale	73	W	Temperatura ambiente = 25°C	Fig. 24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	° C
TJ	Temperatura di giunzione operativa	-55 a 175	° C

Dati termici

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Note:
Rθ(JC)	Resistenza termica dalla giunzione alla custodia	2.05	° C / O	Fig. 25

Caratteristiche elettriche (TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
Simbolo	Parametro	Min.	Tip.	Max.	Unità	Condizioni di prova	Note:
IDSS	Corrente di drenaggio della tensione di gate zero		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Corrente di dispersione del gate			± 100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH CARTA	Tensione di soglia del gate	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Figura 8, 9
VTH CARTA	Tensione di soglia del gate		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Figura 8, 9
RON	Static drain-source on resistance		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Figura 4, 5, 6, 7
RON	Static drain-source on resistance		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Figura 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacità di ingresso		285		pF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Cos	Capacità di uscita		15.3		pF
Crs	Capacità di trasferimento inversa		2.2		pF
Eoss	Coss ha immagazzinato energia		11		μJ		Fig. 17
Qg	Costo totale del cancello		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 a 18V	Fig. 18
Qg	Addebito gate-source		2.7		nC
Qgd	Addebito di scolo del cancello		12.5		nC
Rg	Resistenza di ingresso del cancello		13		Ω	f=1MHz
EON	Accendi l'energia di commutazione		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V a 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Figura 19, 20
EOFF	Spegnere l'energia di commutazione		17.0		μJ
td(attivo)	Ritardo all'accensione		4.8		ns
tr	Ora di alzarsi		13.2
td(spento)	Ritardo alla disattivazione		12.0
tf	Tempo di caduta		66.8
EON	Accendi l'energia di commutazione		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V a 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Spegnere l'energia di commutazione		22.0		μJ		Fig. 22

Caratteristiche del diodo inverso (TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
Simbolo	Parametro	Min.	Tip.	Max.	Unità	Condizioni di prova	Note:
VSD	Tensione diretta del diodo		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fico. 10, 11, 12
VSD	Tensione diretta del diodo		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fico. 10, 11, 12
IS	Corrente diretta del diodo (continua)			11.8	A	Temperatura ambiente = -2V, Temperatura ambiente = 25°C
IS	Corrente diretta del diodo (continua)			6.8	A	Temperatura ambiente = -2V, Temperatura ambiente = 100°C
TRR	Tempo di recupero inverso		20.6		ns	VGS=-3.5 V/+18 V, ISD=2 A, VR=1000 V, RG(ext)=10 Ω L=2330 μH di/dt=5000 A/μs
Qrr	Addebito di recupero inverso		54.2		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		8.2		A