MOSFET SiC automobilistico Gen1200 da 30 V 2 mΩ Italia

Caratteristiche

Applicazioni

Outline:

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Diagramma di marcatura:

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Valutazioni massime assolute(TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Condizioni di prova	Note:
VDS	Tensione Drain-Source	1200	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (CC)	Massima tensione CC	-5 a 20	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione di picco	-10 a 23	V	Ciclo di lavoro <1% e larghezza dell'impulso <200 ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	18 0.5 ±	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente di scarico (continua)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente di scarico (impulsiva)	198	A	Ampiezza dell'impulso limitata dalla SOA	Fig. 26
PTOT	Dissipazione di potenza totale	395	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	° C
TJ	Temperatura di giunzione operativa	-55 a 175	° C
TL	Temperatura di saldatura	260	° C	saldatura ad onda consentita solo ai conduttori, 1.6 mm dalla custodia per 10 s

Dati termici

Simbolo	Parametro	Valore	Unità	Note:
Rθ(JC)	Resistenza termica dalla giunzione alla custodia	0.38	° C / O	Fig. 23

Caratteristiche elettriche(TC =25。C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
Simbolo	Parametro	Min.	Tip.	Max.	Unità	Condizioni di prova	Note:
IDSS	Corrente di drenaggio della tensione di gate zero		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente di dispersione del gate			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5~20 V
VTH CARTA	Tensione di soglia del gate	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, ID=12mA	Figura 8, 9
VTH CARTA	Tensione di soglia del gate		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175。C	Figura 8, 9
RON	Sorgente di drenaggio statico attiva - resistenza		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Capacità di ingresso		3000		pF	VDS=800V, VGS=0V, f=1MHz, VCA=25mV	Fig. 16
Cos	Capacità di uscita		140		pF
Crs	Capacità di trasferimento inverso		7.7		pF
Eoss	Costo dell'energia immagazzinata		57		μJ		Fig. 17
Qg	Addebito totale al cancello		135		nC	VDS =800 V, ID =40 A, VGS = da -3 a 18 V	Fig. 18
Qg	Addebito gate-source		36.8		nC
Qgd	Addebito di scolo del cancello		45.3		nC
Rg	Resistenza di ingresso del cancello		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Accendi l'energia di commutazione		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figura 19, 20
EOFF	Spegnere l'energia di commutazione		118.0		μJ
td(attivo)	Ritardo all'accensione		15.4		ns
tr	Ora di alzarsi		24.6
td(spento)	Ritardo alla disattivazione		28.6
tf	Tempo di caduta		13.6

Caratteristiche del diodo inverso(TC =25。C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valore			Unità	Condizioni di prova	Note:
Simbolo	Parametro	Min.	Tip.	Max.	Unità	Condizioni di prova	Note:
VSD	Tensione diretta del diodo		4.2		V	ISD = 30 A, VGS = 0 V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensione diretta del diodo		4.0		V	ISD = 30 A, VGS = 0 V, TJ = 175。C	Fig. 10, 11, 12
TRR	Tempo di recupero inverso		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Carica di recupero inverso		470.7		nC
IRRM	Corrente di picco di recupero inverso		20.3		A