1200V 30mΩ Gen2 Automotivo SiC MOSFET

Caratteristiche

Applicazioni

Contorno:

Diagramma di marcatura:

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non specificato diversamente)

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Condizioni di prova	Nota
VDS	Tensione Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	tensione massima in corrente continua	-5 a 20	V	Statico (CC)
VGSmax (Picco)	Massima tensione a picco	-10 a 23	V	Ciclo di lavoro <1%, e larghezza impulso <200ns
VGSon	Tensione di accensione consigliata	18±0.5	V
VGSoff	Tensione di spegnimento consigliata	-3.5 a -2	V
ID	Corrente al draino (continua)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente del drain (a impulsi)	198	A	Larghezza dell'impulso limitata da SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipazione totale di potenza	395	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura di funzionamento della giunzione	-55 a 175	°C
In breve	Temperatura di saldatura	260	°C	saldatura a onda consentita solo sui terminali, 1,6 mm dal caso per 10 s

Dati termici

Il simbolo	Parametro	valore	unità	Nota
Rθ(J-C)	Resistenza termica dal giunzione al caso	0.38	°C/W	Fig. 23

Caratteristiche Elettriche (TC =25。C se non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità	Condizioni di prova	Nota
IDSS	Corrente del draino a tensione zero della griglia		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente di perdita di portata			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensione di soglia di ingresso	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Tensione di soglia di ingresso		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Resistenza statica di drenaggio-origine accesa		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Capacità di ingresso		3000		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacità di uscita		140		PF
Crss	Capacità di trasferimento inverso		7.7		PF
Eoss	Energia immagazzinata in Coss		57		μJ		Fig. 17
CdG	Carica totale del gate		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carica gate-source		36.8		nC
Qgd	Carica gate-drain		45.3		nC
Rg	Resistenza di ingresso gate		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Accensione di energia di commutazione		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3,5 a 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Disattivazione Energia di commutazione		118.0		μJ
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		15.4		NS
tr	Tempo di risalita		24.6
Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento		28.6
TF	Tempo di caduta		13.6

Caratteristiche del Diode Inverso (TC =25。C se non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	valore			unità	Condizioni di prova	Nota
Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità	Condizioni di prova	Nota
VSD	Tensione di diodo in avanti		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensione di diodo in avanti		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tempo di recupero inverso		54.8		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Importo di recupero inverso		470.7		nC
IRRM	Corrente di recupero inversa di picco		20.3		A