1700V 1000mΩ SiC MOSFET Inverter Surya

Tempat asal:	Zhejiang
Nama Merek:	Inventchip Technology
Nomor Model:	IV2Q171R0D7Z
Sertifikasi:	AEC-Q101 terkualifikasi

Fitur

• Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan +15~+18V gate drive

• Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah

• Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah

• Kemampuan suhu sambungan operasi 175℃

• Dioda tubuh intrinsik ultra cepat dan tangguh

• Input gerbang Kelvin mempermudah desain rangkaian penggerak

• AEC-Q101 terkualifikasi

Aplikasi

• Inverter surya

• Sumber daya bantuan

• Sumber Daya Mode Pengalihan

• Meter pintar

Garis Besar:

 

Diagram Penandaan:

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transient)	Tegangan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	15 hingga 18	V
VGSoff	Tegangan matikan yang direkomendasikan	-5 hingga -2	V	Nilai tipikal -3,5V
id	Arus drain (kontinu)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Gambar. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus drain (berdenyut)	15.7	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
ISM	Arus dioda body (berdenyut)	15.7	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
Ptot	Total dissipasi daya	73	W	TC =25°C	Gambar. 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu operasi junction	-55 hingga 175	°C

Data termal

Simbol	Parameter	nilai	unit	Catatan
Rθ(J-C)	Hambatan Termal dari Junction ke Case	2.05	°C/W	Gambar. 25

Karakteristik Listrik (TC =25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Gambar 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Gambar 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Kapasitas input		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Gambar. 16
Coss	Kapasitansi Output		15.3		PF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		2.2		PF
Eoss	Energi tersimpan Coss		11		μJ		Gambar. 17
Qg	Muatan gerbang total		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 hingga 18V	Gambar. 18
Qgs	Muatan gate-source		2.7		nC
Qgd	Muatan gate-drain		12.5		nC
Rg	Hambatan input gate		13		Ω	f=1MHz
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Gambar. 19, 20
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		17.0		μJ
Td (on)	Waktu penundaan menyala		4.8		n
tr	Waktu naik		13.2
Td (off)	Waktu penundaan pemutus		12.0
TF	Waktu musim gugur		66.8
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Gambar. 22

Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Gambar. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
adalah	Arus maju dioda (kontinu)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Waktu Pemulihan Kembali		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		54.2		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		8.2		A

Kinerja Tipikal (kurva)

 

Dimensi Paket

Catatan:

1. Referensi Kemasan: JEDEC TO263, Variasi AD

2. Semua Dimensi dalam mm

3. Dapat Berubah Tanpa Pemberitahuan