1200V 40mΩ Gen2 Otomotif SiC MOSFET

Fitur

Aplikasi

Garis Besar:

Diagram Penandaan:

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transient)	Tegangan transient maksimum	-10 hingga 23	V	Rasio siklus<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	15 hingga 18	V
VGSoff	Tegangan matikan yang direkomendasikan	-5 hingga -2	V	Tipikal -3.5V
id	Arus drain (kontinu)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Gambar. 23
id	Arus drain (kontinu)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Gambar. 23
IDM	Arus drain (berdenyut)	162	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
ISM	Arus dioda body (berdenyut)	162	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
Ptot	Total dissipasi daya	375	W	TC =25°C	Gambar. 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu operasi junction	-55 hingga 175	°C
TL	Suhu solder	260	°C	hanya pengelasan gelombang diperbolehkan pada pin, 1.6mm dari casing selama 10 detik

Data termal

Simbol	Parameter	nilai	unit	Catatan
Rθ(J-C)	Hambatan Termal dari Junction ke Case	0.4	°C/W	Gambar. 25

Karakteristik Listrik (TC = 25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit	Kondisi pengujian	Catatan
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Gambar 8, 9
VTH	Tegangan ambang gerbang		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Gambar 8, 9
Ron	Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Gambar 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Kapasitas input		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Gambar. 16
Coss	Kapasitansi Output		100		PF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		5.8		PF
Eoss	Energi tersimpan Coss		40		μJ		Gambar. 17
Qg	Muatan gerbang total		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 hingga 18V	Gambar. 18
Qgs	Muatan gate-source		25		nC
Qgd	Muatan gate-drain		59		nC
Rg	Hambatan input gate		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Gambar. 19, 20
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		70.0		μJ
Td (on)	Waktu penundaan menyala		9.6		n
tr	Waktu naik		22.1
Td (off)	Waktu penundaan pemutus		19.3
TF	Waktu musim gugur		10.5
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Gambar. 22
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		73.8		μJ		Gambar. 22

Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit	Kondisi pengujian	Catatan
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Gambar. 10, 11, 12
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Gambar. 10, 11, 12
adalah	Arus maju dioda (kontinu)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
adalah	Arus maju dioda (kontinu)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Waktu Pemulihan Kembali		42.0		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		198.1		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		17.4		A