Semua Kategori
HUBUNGI KAMI
SiC Modul

Halaman Utama /  Produk  /  Komponen /  SiC Modul

SiC Modul

1200V 25mohm SiC MODUL Penggerak Motor
1200V 25mohm SiC MODUL Penggerak Motor

1200V 25mohm SiC MODUL Penggerak Motor

  • Pengenalan

Pengenalan

Tempat asal: Zhejiang
Nama Merek: Inventchip Technology
Nomor Model: IV1B12025HC1L
Sertifikasi: AEC-Q101


Fitur

  • Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah

  • Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah

  • Kemampuan suhu sambungan operasional tinggi

  • Dioda tubuh intrinsik yang sangat cepat dan kokoh


Aplikasi

  • Aplikasi Tenaga Surya

  • Sistem UPS

  • Pengemudi Motor

  • Konverter DC/DC tegangan tinggi


Paket

image


image


Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol Parameter nilai unit Kondisi pengujian Catatan
VDS Tegangan Drain-Source 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Tegangan DC Maksimum -5 hingga 22 V Statis (DC)
VGSmax (Pancaran) Tegangan puncak maksimum -10 hingga 25 V <1% siklus kerja, dan lebar pulsa<200ns
VGSon Tegangan nyalakan yang direkomendasikan 20±0.5 V
VGSoff Tegangan mati yang direkomendasikan -3.5 hingga -2 V
id Arus drain (kontinu) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Arus drain (berdenyut) 185A Lebar pulsa dibatasi oleh SOA Gambar 26
Ptot Total dissipasi daya 250W TC =25°C Gambar 24
TSTG Rentang suhu penyimpanan -40 hingga 150 °C
Tj Suhu maksimum virtual junction dalam kondisi switching -40 hingga 150 °C Operasi
-55 hingga 175 °C Intermiten dengan umur yang berkurang


Data termal

Simbol Parameter nilai unit Catatan
Rθ(J-C) Hambatan Termal dari Junction ke Case 0.5°C/W Gambar 25


Karakteristik Listrik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol Parameter nilai unit Kondisi pengujian Catatan
Min. - Tempel. Maks.
IDSS Arus drain pada tegangan gerbang nol 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Listrik kebocoran gerbang 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Tegangan ambang gerbang 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Gambar 9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Gambar 4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Kapasitas input 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Gambar 16
Coss Kapasitansi Output 285PF
Crss Kapasitas transfer terbalik 20PF
Eoss Energi tersimpan Coss 105μJ Gambar.17
Qg Muatan gerbang total 240nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 hingga 20V Gambar.18
Qgs Muatan gate-source 50nC
Qgd Muatan gate-drain 96nC
Rg Hambatan input gate 1.4Ω f=100kHZ
EON Menghidupkan Energi Pemancar 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Gambar.19-22
EOFF Penutupan Energi Pemanas 135μJ
Td (on) Waktu penundaan menyala 15n
tr Waktu naik 4.1
Td (off) Waktu penundaan pemutus 24
TF Waktu musim gugur 17
LsCE Induktansi Sisa 8.8nH


Karakteristik Dioda Balik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol Parameter nilai unit Kondisi pengujian Catatan
Min. - Tempel. Maks.
VSD Tegangan dioda ke depan 4.9V ISD =40A, VGS =0V Gambar.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Waktu Pemulihan Kembali 18n VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Biaya Pemulihan Kembali 1068nC
IRRM Arus pulsa balik pemulihan maksimum 96.3A


Karakteristik Termistor NTC

Simbol Parameter nilai unit Kondisi pengujian Catatan
Min. - Tempel. Maks.
RNTC Rentang Rating 5TNTC =25℃ Gambar.27
ΔR/R Toleransi Hambatan pada 25℃ -55%
β25/50 Nilai Beta 3380k ±1%
Pmax Disipasi Daya 5mW


Kinerja Tipikal (kurva)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Dimensi Kemasan (mm)

image



CATATAN


Untuk informasi lebih lanjut, silakan hubungi Kantor Penjualan IVCT.

Hak Cipta©2022 InventChip Technology Co., Ltd. All rights reserved.

Informasi dalam dokumen ini dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.


Tautan Terkait


http://www.inventchip.com.cn


PRODUK TERKAIT