Halaman Utama / Produk / Komponen / SiC Modul
Tempat asal: | Zhejiang |
Nama Merek: | Inventchip Technology |
Nomor Model: | IV1B12025HC1L |
Sertifikasi: | AEC-Q101 |
Fitur
Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah
Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah
Kemampuan suhu sambungan operasional tinggi
Dioda tubuh intrinsik yang sangat cepat dan kokoh
Aplikasi
Aplikasi Tenaga Surya
Sistem UPS
Pengemudi Motor
Konverter DC/DC tegangan tinggi
Paket
Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Kondisi pengujian | Catatan |
VDS | Tegangan Drain-Source | 1200 | V | VGS =0V, ID =200μA | |
VGSmax (DC) | Tegangan DC Maksimum | -5 hingga 22 | V | Statis (DC) | |
VGSmax (Pancaran) | Tegangan puncak maksimum | -10 hingga 25 | V | <1% siklus kerja, dan lebar pulsa<200ns | |
VGSon | Tegangan nyalakan yang direkomendasikan | 20±0.5 | V | ||
VGSoff | Tegangan mati yang direkomendasikan | -3.5 hingga -2 | V | ||
id | Arus drain (kontinu) | 74 | A | VGS =20V, TC =25°C | |
50 | A | VGS =20V, TC =94°C | |||
IDM | Arus drain (berdenyut) | 185 | A | Lebar pulsa dibatasi oleh SOA | Gambar 26 |
Ptot | Total dissipasi daya | 250 | W | TC =25°C | Gambar 24 |
TSTG | Rentang suhu penyimpanan | -40 hingga 150 | °C | ||
Tj | Suhu maksimum virtual junction dalam kondisi switching | -40 hingga 150 | °C | Operasi | |
-55 hingga 175 | °C | Intermiten dengan umur yang berkurang |
Data termal
Simbol | Parameter | nilai | unit | Catatan |
Rθ(J-C) | Hambatan Termal dari Junction ke Case | 0.5 | °C/W | Gambar 25 |
Karakteristik Listrik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Kondisi pengujian | Catatan | ||
Min. | - Tempel. | Maks. | |||||
IDSS | Arus drain pada tegangan gerbang nol | 10 | 200 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
IGSS | Listrik kebocoran gerbang | 2 | ±200 | NA | VDS =0V, VGS = -5~20V | ||
VTH | Tegangan ambang gerbang | 3.2 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Gambar 9 | ||
2.3 | VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C | ||||||
Ron | Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup | 25 | 33 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C | Gambar 4-7 | |
36 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C | |||||
Ciss | Kapasitas input | 5.5 | NF | VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV | Gambar 16 | ||
Coss | Kapasitansi Output | 285 | PF | ||||
Crss | Kapasitas transfer terbalik | 20 | PF | ||||
Eoss | Energi tersimpan Coss | 105 | μJ | Gambar.17 | |||
Qg | Muatan gerbang total | 240 | nC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 hingga 20V | Gambar.18 | ||
Qgs | Muatan gate-source | 50 | nC | ||||
Qgd | Muatan gate-drain | 96 | nC | ||||
Rg | Hambatan input gate | 1.4 | Ω | f=100kHZ | |||
EON | Menghidupkan Energi Pemancar | 795 | μJ | VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH | Gambar.19-22 | ||
EOFF | Penutupan Energi Pemanas | 135 | μJ | ||||
Td (on) | Waktu penundaan menyala | 15 | n | ||||
tr | Waktu naik | 4.1 | |||||
Td (off) | Waktu penundaan pemutus | 24 | |||||
TF | Waktu musim gugur | 17 | |||||
LsCE | Induktansi Sisa | 8.8 | nH |
Karakteristik Dioda Balik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Kondisi pengujian | Catatan | ||
Min. | - Tempel. | Maks. | |||||
VSD | Tegangan dioda ke depan | 4.9 | V | ISD =40A, VGS =0V | Gambar.10- 12 | ||
4.5 | V | ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C | |||||
trr | Waktu Pemulihan Kembali | 18 | n | VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH | |||
Qrr | Biaya Pemulihan Kembali | 1068 | nC | ||||
IRRM | Arus pulsa balik pemulihan maksimum | 96.3 | A |
Karakteristik Termistor NTC
Simbol | Parameter | nilai | unit | Kondisi pengujian | Catatan | ||
Min. | - Tempel. | Maks. | |||||
RNTC | Rentang Rating | 5 | kΩ | TNTC =25℃ | Gambar.27 | ||
ΔR/R | Toleransi Hambatan pada 25℃ | -5 | 5 | % | |||
β25/50 | Nilai Beta | 3380 | k | ±1% | |||
Pmax | Disipasi Daya | 5 | mW |
Kinerja Tipikal (kurva)
Dimensi Kemasan (mm)
CATATAN
Untuk informasi lebih lanjut, silakan hubungi Kantor Penjualan IVCT.
Hak Cipta©2022 InventChip Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Informasi dalam dokumen ini dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tautan Terkait
http://www.inventchip.com.cn