1700V 1000mΩ Sumber Daya Bantu SiC MOSFET

Fitur

⚫ Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan

+15~+18V penggerak gerbang

⚫ Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah

⚫ Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah

⚫ Kapabilitas suhu simpul operasi 175℃

⚫ Dioda tubuh intrinsik ultra cepat dan kokoh

⚫ Input gerbang Kelvin mempermudah desain rangkaian penggerak

Aplikasi

⚫ Inverter surya

⚫ Sumber daya auxiliari

⚫ Sumber daya mode switch

⚫ Meter pintar

Garis Besar:

Diagram Penandaan:

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transient)	Tegangan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	15 hingga 18	V
VGSoff	Tegangan matikan yang direkomendasikan	-5 hingga -2	V	Nilai tipikal -3,5V
id	Arus drain (kontinu)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Gambar. 23
id	Arus drain (kontinu)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Gambar. 23
IDM	Arus drain (berdenyut)	15.7	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
ISM	Arus dioda body (berdenyut)	15.7	A	Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C)	Gambar. 25, 26
Ptot	Total dissipasi daya	73	W	TC=25°C	Gambar. 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu Junction Operasi	-55 hingga 175	°C

Data termal

Simbol	Parameter	nilai	unit	Catatan
Rθ(J-C)	Hambatan Termal dari Junction ke Case	2.05	°C/W	Gambar. 25

Karakteristik Listrik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit	Kondisi pengujian	Catatan
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Gambar 8, 9
VTH	Tegangan ambang gerbang		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Gambar 8, 9
Ron	Hambatan statis drain-sumber pada kondisi hidup		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Gambar 4, 5, 6, 7
Ron	Hambatan statis drain-sumber pada kondisi hidup		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Gambar 4, 5, 6, 7
Ciss	Kapasitas input		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Gambar. 16
Coss	Kapasitansi Output		15.3		PF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		2.2		PF
Eoss	Energi tersimpan Coss		11		μJ		Gambar. 17
Qg	Muatan gerbang total		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 hingga 18V	Gambar. 18
Qgs	Muatan gate-source		2.7		nC
Qgd	Muatan gate-drain		12.5		nC
Rg	Hambatan input gate		13		Ω	f=1MHz
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V hingga 18V, RG(eksternal)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Gambar. 19, 20
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		17.0		μJ
Td (on)	Waktu penundaan menyala		4.8		n
tr	Waktu naik		13.2
Td (off)	Waktu penundaan pemutus		12.0
TF	Waktu musim gugur		66.8
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V hingga 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Gambar. 22
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		22.0		μJ		Gambar. 22

Karakteristik Dioda Balik (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit	Kondisi pengujian	Catatan
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Gambar. 10, 11, 12
VSD	Tegangan dioda ke depan		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Gambar. 10, 11, 12
adalah	Arus maju dioda (kontinu)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
adalah	Arus maju dioda (kontinu)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Waktu Pemulihan Kembali		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		54.2		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		8.2		A