EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
SiC Շոտկի սահմանափակ դիոդներ
Այդպիսի մեկ դիոդը ունեցավ իր արմատները էլեկտրոնիկայի աշխարհում՝ հայտնի որպես Silicone Carbide Շոտկի սահմանափակ դիոդներ կամ SiC SBD-ներ։ Դրանք մինչ այժմ ամենահեղինակավոր դիոդներն են ունենալու համար ուժային էլեկտրոնիկայի ոլորտում։ SiC SBD-ները արդյունավետորեն փոխակերպում են և տրանսֆերում են էներգիան շրջանագծերում՝ հակառակ դասական դիոդներին։
SiC SBD-ների առավելությունները ուժային էլեկտրոնիկայում
Մի ուրիշ ամենահասկացված կիրառությունը էլեկտրոնական տեխնոլոգիայում SiC SBD-ներն են: Այն ունի միակ արժեքավոր արժեքավորություն, որը թույլ է տալիս այն արագ փոխանցվել ավելի արագ, քան դադարական դիոդները՝ չօգտագործելով ավելի շատ էներգիա: Սա թույլ է տալիս ավելի շատ էներգիա պարտադիր լինելու և ավելի արագ պատասխանելու համար դեռևս առաջին։ SiC SBD-ների արդյունավետության բարձրացումը իրականում է անհասանելի, ինչպես հատուկ է այն գործունեությունների համար, որոնք կախված են բարձր արագությամբ հաղորդագրություններից և տվյալների փոխանցման վրա։
Բարձր էներգետիկ արդյունավետություն SiC SBD-ների հետ
ՍիC SBD-ները դառնալու են հայտնի իրենց ադամանությամբ ուժի կորստից անցնող գործառույթների նվազումը ռադիո հաճախականության (RF) կիրառումներից առաջացնելու համար: Ինչ է տալիս SiC SBD-ներին գեղարվեստություն սովորական դիոդներից, դա անդամների առաջացող նյութերն են, որոնք օգտագործվում են նրա դիզայնում: Սիլիկոն-աساس բարձր ուժի կիսահաղորդիչ սարքերը հանգեցնում են ամենագործնակի օգտագործմանը էներգիայի բարձր արագության դեպքում, որը նշանակում է, որ էներգիայի գործնականությունը փոքր է: Դա կարևոր է փոքր չափսերով և ավելի արժեքավոր դիզայնների հարցում - սեփական դրանք շատ գործունեություններում, որոնք սեղմվում են՝ արժեքավորություն չի ավելացնելու դեպքում:
Ենթարկությունը լուծելու համար SiC SBD տեխնոլոգիայի միջոցովԵրես սարքերը դառնում են ինչքան ուժեղ, այնքան դժվար է ջերմությունը կառավարել: SiC SBD-ները հավատելիորեն գերազանցում են այս բարդություններում, քանի որ դրանք արդյունավետ են աշխատում բարձր ջերմաստիճաններում՝ չունենալով արդյունավետության կորուստ: Ավելի ուժեղ ջերմապահանջական արդյունավետությունը նաև համապատասխանում է համակարգի արդյունավետությանը և ավելացնում է կիրառման համար: Տարածական և ավտոմոբայլ էլեկտրոնիկայի արդյունավետության դեպքում SiC SBD-ն բավականին հավատելիորեն կարող է արդյունավետ լինել և արդյունավետություն չունենալ։
Գերազանց փոխանցման արագություն SiC SBD-ներով
SiC SBD-ները կարող են փոխանցվել արդյունավետորեն բարձր արագությամբ, ինչը գերազանցում է հասարակ դիոդների հնարավորություններից։ Դիոդների դեպքում շատ էլեկտրոէներգիա է կորուստվում փոխանցման ժամանակ, սակայն SiC-ից կազմված SBD-ները ունեն շատ ցածր կոնդուկտիվ կորուստներ, որը նվազում է արդյունավետության կորուստը և թույլ է տալիս արագ գործողություն՝ նվազեցնելով համակարգի էներգիայի կորուստը։ Այս գերազանցումը շատ առավել հատուկ է, մասնավորապես բարձր հասարակության սարքերի դեպքում, քանի որ դա թույլ կտա էլեկտրոէներգիայի կամ RF համակարգերին ավելի արդյունավետ գործադրություն:
ՍիC SBD արդյունքների ժողովրդություն ուժական էլեկտրոնիկայում
Սա դարձնում է SiC SBD-ները լավ համապատասխանող լայն շարքի էլեկտրոնային համակարգերին, մասնավորապես այն կիրառումներում, որտեղ բարձր վավերություն պահանջվում է անցուցացի միջավայրերում: Դա կարևոր է հարթությունների համար հարթ էներգիայի համակարգերի և առաջադարձ ռազմական տեխնոլոգիաների, որոնք պահանջում են բարձր արդյունքներով դիոդներ: SiC-ն աساسավոր է ուժական էլեկտրոնիկայի համար՝ որը նաև օգնում է աջակցել էլեկտրական մեքենաների հետագա զարգացումը: Այսպիսով, SiC SBD-ների զարգացումները և արժեքների նվազումը կարող են հանգեցնել առաջին ալիքին բարձր ուժի կիրառումներին ապագա էլեկտրոնային իննովացիաների համար:
SiC SBD-ները ունեն նշանական ազդեցություն ուժական էլեկտրոնիկայի դերավարության վրա, ունեցելով բարձր արագության կիրառումներին: Նրանց ցածր ուժային հանգումը, ջերմության համարժեքությունը և տերահերցյան հաճախության գործումը ցույց են տալիս նյութագիտության կոմպոնենտները՝ առաջադարձ էլեկտրոնիկա նախագծելիս: Կոնկրետ ապագայում - տեխնոլոգիան վայելիքով կտեսնում է ավելի շատ զարգացումներ՝ շնորհիկից SiC SBD-ի ուժային արդյունքներին և արդյունքներին: