Պահպանության էլեկտրական փոխանցման օպտիմիզացիա SiC MOSFET-ներով և _GATE_DRIVER իննովացիաներով

Մեզ անհրաժեշտ է էներգիան մեր կյանքի շատ բաների համար։ Էներգիան օգտագործվում է տան մեր տուները լուսավորելու և ջերմացնելու համար, ապա էներգիայի օգտագործումն է դիմացվում հեռուստափոնների կամ android աղյուսակների վերցնելու և մեր մեքանիկաներում ճանապարհում։ Այն դասավորում է մեր աշխարհը։ Բայց իրական էներգիան պետք է փոխակերպվի ինչ-որ օգտագործելի ինչ-որ բան։ Այս էներգիայի փոխակերպման գործընթացը հայտնի է որպես փոխակերպում։

Էներգիան կարող է փոխվել մեկ ձևից մյուս, և դա կոչվում է էներգիայի տransformation, օրինակ, երբ մենք հավաքում ենք հեռախոսները: Մենք փոխում ենք ակումուլյատորի մեջ պահված էներգիան էլեկտրական էներգիայի, որը պահպանում է մեր հեռախոսները աշխատող և գործող: Անուն էլ արևաթաթևը՝ այն էլ կարող է փոխվել էլեկտրական էներգիայի, և այս գործունեությունը կատարում են սոլար панելները, որոնք մեզ օգնում են հավաքել արևի ուժը և օգտագործել այն մեր տուները աclairage կամ մեր սարքերը charge-ելու համար:

Դուրս գալու համար մենք ներդրում ենք SiC MOSFET-եր մեր կիրառումներում: SiC MOSFET-ը սարք է, որը կազմված է տարբեր նյութից, հիմնականում silicon carbide-ից: Նրանք դարձել են նոր հավանաբար էլեկտրոնիկայում, ինչպես նաև այն բաների համար, որոնք պետք է շատ powmosfet deal-ելու համար։

Երաշխավոր էներգիայի փոխակերպման նորություններ

Նոր էլեկտրակինետիկ պիստոններ և ոչ միայն SiC MOSFET-ներ։ Այդպիսով, գիտնականները և ինժեներն շատ ժամանակ ծախսում են փորձելու համար գտնել ավելի հեղինակային եղանակներ, որոնք կփոխեն և կօգտագործեն էլեկտրակինետիկ էներգիան։ Սարքեր, որոնք ցանկանում են լինեն փոքր, 軽 և ուժեղ ամենավերջում, բայց ավելի ուժեղ և պարզապես պակաս էներգիայի օգտագործմամբ։

SiC MOSFET-ները ստորև նշված տեխնոլոգիայի լավագույն օրինակն են։ Ինժեներն որոշեցին, որ սիլիցիում կարբիդը շատ ավելի լավ է գոյության և անամուն տեխնոլոգիայից՝ այսպիսի II տիպի D դասի փաթեթներով օգտագործելով։ Դա նշանակում է, որ դրանք կարող են փոխել ավելի շատ էներգիան աշխատանքի համար, ինչպես նաև կորցնելու ավելի քիչ մասը։

Գեյթ դրայվերի դրամատիկ դարձնումը

Գեյթ դրայվերը․ Երկրաչափական տեխնոլոգիայի մեկ այլ կարևոր մաս է գեյթ դրայվերի տարրը։ 1200v mosfet կառուցված են _GATE_ դրաիվերի կողմից։ Դրանք կառավարում են էլեկտրական հոսքի բաց/փակ գործողությունները յուրաքանչյուր սարքում, կամ հակառակը՝ կառավարում (ուղղում) են էլեկտրական հոսքը, որը անցնում է սարքով։ Սա անհրաժեշտ է, քանի որ առանց _GATE_ դրաիվերի կամայական կրթագրական սարքերի բաց/փակ գործողությունները կլինեն անհնար։

SiC MOSFET-ները պարզապես չգործացում էին այնքան լավ, ինչքան գործացում են այժմ՝ նոր դիզայնի առկայությամբ։ Այս զարգացումները թույլ են տալիս _GATE_ դրաիվերներին կառավարել MOSFET-ները ավելի ճշգրիտ և արագ։ Այս գործառույթի առավելությունը այն է, որ ամենինքն կարող է բացվել և փակվել շատ արագ, օգտագործելով SiC MOSFET-ներ։

ԿԱՐԵՆ Նέրում SiC MOSFET-ները Համեմատությունը Գործարարություն

Եվ դեռևս լավագույնը՝ հրապարակվել են նոր SiC MOSFET-ներ։ Իրականում, ինժեներն ստեղծում են դրանց ավելի շատ էլեկտրական ուժ և լարում կառավարելու համար, քան անցկացված ժամանակում։ Նոր սարքերից մեկը՝ 1200v sic mosfet Allswell-ի կողմից այս տեխնոլոգիան ավելի արդյունավետ է, քանի որ համարժեքը դուրս է գալիս ճշգրիտ այն վայրում, որտեղ ցանկանում եք, և չի փոխվում ջերմության ձևով: Դրանք կարող են այսպիսի բան անել, քանի որ ցածր ռեզիստանսի ունեն: Կم ռեզիստանս = ավելի հեշտ է էներգիան անցնել, և դա անցնում է ավելի սովորեցված:

Նոր SiC MOSFET-ները նաև կարող են ավելի արագ բացվել և փակվել: Այսպիսով, դրանք ավելի արդյունավետ են և օգտագործում են պակաս էներգիա՝ այդ գործողությունների ընթացքում: Դրանք ավելի արդյունավետ են, քանի որ ավելի արագ կարող են փոխանցվել, և դա կարևոր է շատ էլեկտրոնային սարքերի համար:

Էներգիայի օգտագործման բարելավում

Համարյալ, բոլոր այս նոր գաղափարները և տեխնոլոգիաները կարող են մեզ պահել էներգիա: Այս մոտեցումը համոզում է, որ ավելի արդյունավետ է մեր էլեկտրական կպչումը, այնքան պակաս էներգիա չենք հարթանքում: Բոլորը հաշվարկում են այս սենարիոյից:

Կարևոր է, որ մենք խելացրենք էներգիան հասարակորդությամբ, քանի որ դա օգնում է պահպանել մեր միջավայրը և թույլ է տալիս մեզ վճարել նվազագույնը էլեկտրական հաշիվների վրա: Օրինակ, էլեկտրական միջավայրապահման վարժումները (EV) և erneable էներգիան շատ կախված են ցանկացած ցանցի EROEI-ից (Energy Returned On Energy Invested), որը ներառում է նրանց ստեղծումը և օգտագործումը:

SiC MOSFET-ները և նոր դադարիչները դարձնում են այս նորությունների օգտագործումը ավելի հնարավոր, քանի որ դրանք թույլ են տալիս ստեղծել ավելի արդյունավետ և ուժադրությամբ սարքեր: Իրականում, դրանք փոխում են մեր միջավայրի էներգիայի փոխակերպման և սահմանումը սովորական կյանքում: