Minden Kategória
Lépjen Kapcsolatba
SiC Modul

Főoldal /  Termékek  /  Komponensek /  SiC Modul

SiC Modul

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Naptárgép
IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Naptárgép

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Naptárgép

  • Bevezetés

Bevezetés

Származási hely: Zhejiang
Márkaneve: Inventchip Technology
Modell száma: IV1B12013HA1L
Tanúsítvány: AEC-Q101


Jellemzők

  • Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással

  • Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással

  • Magas működési csatkapocs hőmérsékleti képesség

  • Nagyon gyors és robust belső testdiód


A kérelmek

  • Naplóenergia-alkalmazások

  • ups rendszer

  • Motor meghajtók

  • Magas feszültségű DC/DC átalakítók


Csomag

image


Jelölési diagram

image


Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)


Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
VDS Dren-Sz supply feszültség 1200V.
VGSmax (DC) Maximális DC feszültség -5 to 22 V. Statikus (DC)
VGSmax (Spik) Maximális csücsfeszültség -10 to 25 V. <1% munkaarány, és impulzus szélesség<200ns
VGSon Ajánlott bekapcsolási feszültség 20±0.5 V.
VGSoff Ajánlott kikapcsolási feszültség -3.5 to -2 V.
ID Folyamatos áram (folyamatos) 96A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
102A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM Csatott áram (impulzus) 204A Impulzus szélesség a SOA-től függ Ábr.26
Ptot Összes teljesítményveszteség 210W Tvj≤150℃ Ábr.24
TSTG Tárolóhőmérséklet-tartomány -40 to 150 °C
Tj Maximális virtuális csatlakozási hőmérséklet kapcsolási feltételek között -40 to 150 °C Működés
-55 to 175 °C Köztes időszakonként a élettartam csökkentve


Hőmérsékleti adatok

Szimbólum Paraméter érték egység Megjegyzés
Rθ(J-H) Hőellenállás a csatolástól a hőszivattyúig 0.596°C/W Ábr.25


Elektromos jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
Min. - Tipikus. - Max, kérlek!
IDSS Nulla kapu feszültségű drain áram 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS A kapu szivárgási áram ±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH A kapcsoló küszöbfeszültség 1.83.25V. VGS=VDS , ID =24mA Ábr.9
2.3VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
ron Statikus drain-forrás köztes bekapcsolt ellenállás 12.516.3VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C Ábra 4-7
18VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss Bevezető kapacitás 11NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV Ábra 16
Coss Kibocsátási kapacitás 507PF
Crss Visszafordító kapacitás 31PF
Eoss Coss tárolt energia 203μJ Ábra 17
Qg Teljes kapcsoló töltés 480NC VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 to 20V Ábra 18
Qgs Csapó-forrás töltés 100NC
Qgd Csapó-drain töltés 192NC
Rg Csapó bemeneti ellenállás 1.0Ó f=100kHZ
EON Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor 783μJ VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Ábr.19-22
EOFF Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor 182μJ
Tg ((on) Beállítási késleltetési idő 30cs
tr Felemelkedési idő 5.9
csv (ki) A kikapcsoló késleltetési idő 37
Tf Őszidő 21
LsCE Sétáló induktancia 7.6nH


Fordított dió jellemzők (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
Min. - Tipikus. - Max, kérlek!
VSD Diódás előrehajtás 4.9V. ISD =80A, VGS =0V Ábr.10-12
4.5V. ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Visszafelé Helyreállító Idő 17.4cs VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH

Qrr

Visszafelé Helyreállító Töltés 1095NC
IRRM Csúcsos fordított helyreálló áram 114A


NTC Termisztor Jellemzők

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
Min. - Tipikus. - Max, kérlek!
RNTC Névleges ellenállás 5TNTC =25℃ Ábr.27
ΔR/R Tűrés ellenállás 25℃-nél -55%
β25/50 Beta Érték 3380K ±1%
Pmax Tápegység kiesztetése 5mW


Tipikus teljesítmény (görbék)

image


image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Csomag méretei (mm)

image

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK