Az elektromos járművek környezetbarát kialakításuk miatt az elmúlt néhány évben egyre szélesebb körben elterjedtek. Mindenesetre az elektromos autóknak továbbra is kihívást jelent az alacsony hatótáv és a hosszú töltési idő. A SiC MOSFET-ek azonban képesek megoldani ezeket a problémákat, és új korszakot nyitnak az elektromos járművek technológiájában.
A SiC MOSFET-ek egyfajta új generációs teljesítményelektronika, és feszültség, frekvencia, hatásfok és hőmérséklet tekintetében kiváló teljesítményt nyújtanak a szilícium-alternatívákhoz képest. A SiC MOSFET-ek nagymértékben javíthatják az elektromos járművek konverziós hatékonyságát és teljesítményét, mivel képesek magasabb frekvencián és hőmérsékleten működni. Más szóval, a SiC MOSFET-ek kikövezhetik az utat a gyorsabban tölthető és gyorsabb/hatékonyabb akkumulátor-hatótávú elektromos autók előtt, csökkentve az olyan negatív hatásokat, mint a hűtési követelmények.
A SiC MOSFET-ek azonban nem kizárólag elektromos járművekhez valók. A technológiát úgy tervezték, hogy a hibrid járművekben is haszonnal járjon, amelyek a belső égésű motorokat elektromos motorokkal párosítják az üzemanyag-hatékonyság növelése érdekében. A motorhajtások teljesítménysűrűségének növelésével és az akkumulátortöltő/kisütési rendszerek SiC MOSFET-ekkel történő javításával a hibrid autók javíthatják a hatékonyságot és a teljesítményt. Ezek az innovációk javítják az üzemanyag-fogyasztást, és csökkentik a szén-dioxid-kibocsátást a hibrid járművek életciklusa során.
A hibridek mellett a régebbi, belső égésű motorral hajtott járművek – amelyek napjainkban a legnagyobb üvegházhatású gázok kibocsátói – a SiC MOSFET integráció révén javulást érhetnek el. A SiC MOSFET-ek javíthatják az erőátviteli rendszerek hatékonyságát, ami növeli az üzemanyag-fogyasztást, ami lehetővé teszi a hagyományos járművek számára, hogy globális szinten csökkentsék a károsanyag-kibocsátást. Ezenkívül a segédrendszerekben, például az elektromos szervokormányban és a légkondicionálóban található SiC MOSFET-ek szintén hozzájárulhatnak a magasabb üzemanyag-hatékonysághoz és a szén-dioxid-kibocsátás csökkentéséhez.
Csitt a jövőről, az autonóm vezetési technológia egy megállíthatatlan hullámot állít fel az autóiparban – a rendkívül hatékony és megbízható teljesítményelektronika áldását ígéri. Ezt az átállást a SiC MOSFET-ek vagy az autonóm járművekhez készült Power Electronics fogják irányítani, amely felgyorsította az autóipari fejlesztéseket. Eközben a SiC MOSFET-ek nagyobb feszültség- és áramerősséget tesznek lehetővé, és csökkentik a kapcsolási veszteségeket, miközben javítják a hőteljesítményt az autonóm vezetés biztonságosabbá tétele érdekében.
Összefoglalva, a SiC MOSFET-ek széles körű alkalmazása az elektromos/hibrid/autonóm járművekben várhatóan jelentős szerepet fog játszani a globális szén-dioxid-kibocsátás csökkentésében és a megnövelt hatótávolságban/üzemanyag-fogyasztásban. Az autópiac rohamosan a fordulóponthoz közeledik, a gyártók versenyeznek az energiahatékony és környezetbarát járművek előállításáért. E problémák megoldása fontos egy olyan jövő eléréséhez, ahol a járművek környezetbarátak és megbízhatóak, így a SiC MOSFET technológia felülmúlhatatlan.