650V 25mΩ Gen2 autóipari SiC MOSFET Magyarország

Jellemzők

Alkalmazási területek

Vázlat:

kép

Jelölési diagram:

Maximális abszolút értéke(TC=25°C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
VDS	Drain-Source feszültség	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximális egyenfeszültség	-5 és 20 között	V	Statikus (DC)
VGSmax (tüske)	Maximális tüskefeszültség	-10-től 23-ig	V	Felhasználási ciklus <1%, impulzusszélesség <200n
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	18 ± 0.5	V
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5-től -2-ig	V
ID	Leeresztőáram (folyamatos)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	23. ábra
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Leeresztő áram (impulzus)	247	A	Az impulzusszélességet a SOA korlátozza	26. ábra
PTOT	Teljes teljesítmény disszipáció	454	W	TC = 25 °C	24. ábra
Tstg	Tárolási hőmérséklet-tartomány	-55-től 175-ig	° C
TJ	Működési csomópont hőmérséklete	-55-től 175-ig	° C
TL	Forrasztási hőmérséklet	260	° C	hullámforrasztás csak a vezetékeknél megengedett, 1.6 mm-re a háztól 10 másodpercig

Hőadatok

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték	Egység	Megjegyzések
Rθ(JC)	Hőállóság a csatlakozástól a házig	0.33	° C / W	25. ábra

Elektromos jellemzők(TC = 25 °C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték			Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
Szimbólum	Vizsgált paraméter	Min.	Típus	Max.	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
IDSS	Nulla kapufeszültség leeresztő áram		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Kapu szivárgó áram			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH KÁRTYA	Kapuküszöb feszültség	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, ID=12mA	8., 9. ábra
VTH KÁRTYA	Kapuküszöb feszültség		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175。C	8., 9. ábra
RON	Statikus leeresztő-forrás bekapcsolási ellenállás		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	4., 5., 6., 7. ábra
RON	Statikus leeresztő-forrás bekapcsolási ellenállás		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	4., 5., 6., 7. ábra
Ciss	Bemeneti kapacitás		3090		pF	VDS=600V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	16. ábra
Coss	Kimeneti kapacitás		251		pF
Crss	Fordított átviteli kapacitás		19		pF
Eoss	Tárolt energia		52		μJ		17. ábra
Qg	Teljes kapudíj		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3-18V	18. ábra
Qgs	Kapu-forrás töltés		35.7		nC
Qgd	Kapu-elvezető töltés		38.5		nC
Rg	Kapu bemeneti ellenállás		1.5		Ω	f = 1 MHz
EON	Bekapcsolási kapcsolási energia		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	19., 20. ábra
EOFF	Kapcsolja ki a kapcsolási energiát		95.0		μJ
td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő		12.9		ns
tr	Növekszik az idő		26.5
td(ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		23.2
tf	Őszi idő		11.7
EON	Bekapcsolási kapcsolási energia		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	22. ábra
EOFF	Kapcsolja ki a kapcsolási energiát		99.7		μJ		22. ábra

Fordított dióda jellemzői(TC = 25 °C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték			Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
Szimbólum	Vizsgált paraméter	Min.	Típus	Max.	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
VSD	Dióda előremenő feszültség		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	10., 11., 12. ábra
VSD	Dióda előremenő feszültség		3.5		V	ISD = 20 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C	10., 11., 12. ábra
trr	Visszaállási idő		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
QRr	Fordított helyreállítási díj		195.3		nC
IRRM	Csúcs fordított helyreállítási áram		20.2		A