1700V 1000mΩ SiC MOSFET Naptárgenerátorok

Származási hely:	Zhejiang
Márkaneve:	Inventchip Technology
Modell száma:	IV2Q171R0D7Z
Tanúsítvány:	AEC-Q101 minősítve

Jellemzők

• 2. generáció SiC MOSFET Technológia +15~+18V kapcsolóerőforrással

• Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással

• Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással

• 175℃ működési csatolóhőmérsékleti képesség

• Ultra gyors és erős belső testdiód

• Kelvin kapcsoló bemenet vezérlő áramkör tervezésének megkönnyítése

• AEC-Q101 minősítve

A kérelmek

• Napfény-átváltó

• Segédenergiakészülékek

• Váltóáramos Tápegységek

• Okos számlálók

Vázlat:

 

Jelölési diagram:

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	érték	egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	1700	V.	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Tranzien)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 23	V.	Működési arány <1%, és impuls szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	15 to 18	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-5 to -2	V.	Tipikus érték -3.5V
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Ábr. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Csatott áram (impulzus)	15.7	A	Impulzus szélesség a SOA és a dinamikus Rθ(J-C) korlátozza	Ábr. 25, 26
ISM	Test dióda-áram (impulzus)	15.7	A	Impulzus szélesség a SOA és a dinamikus Rθ(J-C) korlátozza	Ábr. 25, 26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	73	W	TC =25°C	Ábr. 24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csomóponti hőmérséklet	-55 to 175	°C

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	érték	egység	Megjegyzés
Rθ(J-C)	Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez	2.05	°C/W	Ábra 25

Elektromos jellemzők (TC =25°C kivéve, ha másik érték van megadva)

Szimbólum	Paraméter	érték			egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség	1.8	3.0	4.5	V.	VGS =VDS , ID =380uA	Ábra 8, 9
			2.0		V.	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
ron	Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Ábra 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Bevezető kapacitás		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		15.3		PF
Crss	Visszafordító kapacitás		2.2		PF
Eoss	Coss tárolt energia		11		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		16.5		NC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 to 18V	Ábr. 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		2.7		NC
Qgd	Csapó-drain töltés		12.5		NC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		13		Ó	f=1MHz
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(külső) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Ábr. 19, 20
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		17.0		μJ
Tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		4.8		cs
tr	Felemelkedési idő		13.2
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		12.0
Tf	Őszidő		66.8
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(külső) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Ábr. 22

Fordított dió jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	érték			egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
VSD	Diódás előrehajtás		4.0		V.	ISD =1A, VGS =0V	Ábr. 10, 11, 12
			3.8		V.	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175. C
van	Dió előreirányított áram (folyamatos)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25. C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100. C
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		20.6		cs	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		54.2		NC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		8.2		A

Tipikus teljesítmény (görbék)

 

Csomag méretei

Megjegyzés:

1. Csomag terjesztési referencia: JEDEC TO263, AD változat

2. Minden méret milliméterben van megadva

3. Változtatható figyelmi nélkül