SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky dióda AC/DC átalakítók Magyarország

Bevezetés

Bevezetés

Származási hely:	Zhejiang
Márkanév:	Inventchip technológia
Modell száma:	IV1D12010T2
Tanúsítvány:

Minimális csomagolási mennyiség:	450PCS
Ár:
Csomagolás Részletek:
Szállítási határidő:
Fizetési feltételek:
Supply Ability:

Jellemzők

Maximális csatlakozási hőmérséklet 175°C
Nagy túlfeszültségű áramkapacitás
Nulla fordított helyreállítási áram
Zero Forward Recovery Voltag
Nagyfrekvenciás működés
hőmérséklet független kapcsolási viselkedés
Pozitív hőmérsékleti együttható a VF-en

Alkalmazási területek

Solar Power Boost
Invertermentes kerékdiódák
Bécs 3-fázisú PFC
AC/DC átalakítók
Kapcsolóüzemű tápegységek

Vázlat

kép

Jelölési diagram

kép

Maximális abszolút értéke(Tc=25°C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték	Egység
VRRM	Fordított feszültség (ismétlődő csúcs)	1200	V
VDC	DC blokkoló feszültség	1200	V
IF	Előremenő áram (folyamatos) @Tc=25°C	30	A
	Előremenő áram (folyamatos) @Tc=135°C	15.2	A
	Előremenő áram (folyamatos) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Túlfeszültség, nem ismétlődő előremenő áram szinusz félhullám @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Túlfeszültség ismétlődő előremenő áram (Freq = 0.1 Hz, 100 ciklus) szinusz félhullám @Tamb = 25 ° C tp = 10 ms	56	A
Ptot	Teljes teljesítmény disszipáció @ Tc=25°C	176	W
	Teljes teljesítmény disszipáció @ Tc=150°C	29
	I2t érték @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Tárolási hőmérséklet-tartomány	-55-től 175-ig	° C
Tj	Működési csomópont hőmérsékleti tartomány	-55-től 175-ig	° C

A Maximális besorolási táblázatban felsoroltakat meghaladó igénybevételek károsíthatják a készüléket. Ha ezen határértékek bármelyikét túllépik, az eszköz működőképességét nem szabad feltételezni, kár keletkezhet, és a megbízhatóság is csökkenhet.

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Típus	Max.	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
VF	Előre feszültség	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ = 25°C	1. ábra
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ = 175°C
IR	Fordított áram	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	2. ábra
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Teljes kapacitás	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz	3. ábra
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Teljes kapacitív töltés	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	4. ábra
EC	Kapacitásban tárolt energia	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	5. ábra