Minden Kategória
Lépjen Kapcsolatba
SiC MOSFET

Főoldal /  Termékek  /  Komponensek /  SiC MOSFET

SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET
1200V 30mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET

  • Bevezetés

Bevezetés
Származási hely: Zhejiang
Márkaneve: Inventchip Technology
Modell száma: IV2Q12030D7Z
Tanúsítvány: AEC-Q101 minősítve


Jellemzők

  • 2. generációs SiC MOSFET technológia +18V kapcsoló feszültség

  • Magas blokkoló feszültség alacsony bekapcsolt ellenállással

  • Magas sebességű kapcsolás alacsony kapacitással

  • Magas működési csatkapocs hőmérsékleti képesség

  • Nagyon gyors és robust belső testdiód

  • Kelvin kapcsoló bemenet vezérlő áramkör tervezésének megkönnyítése

A kérelmek

  • Motor meghajtók

  • Napfény-átváltó

  • Autó DC/DC átalakítók

  • Autó szivattyú inverterek

  • Váltóáramos Tápegységek


Vázlat:

image

Jelölési diagram:

image

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C különleges megadás nélkül)

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
VDS Dren-Sz supply feszültség 1200V. VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Maximális DC feszültség -5 to 20 V. Statikus (DC)
VGSmax (Spik) Maximális csücsfeszültség -10 to 23 V. Töltési arány<1%, és impulzus szélesség<200ns
VGSon Ajánlott bekapcsolási feszültség 18±0.5 V.
VGSoff Ajánlott kikapcsolási feszültség -3.5 to -2 V.
ID Folyamatos áram (folyamatos) 79A VGS =18V, TC =25°C Ábr. 23
58A VGS =18V, TC =100°C
IDM Csatott áram (impulzus) 198A Impulzus szélesség a SOA-től függ Ábra 26
Ptot Összes teljesítményveszteség 395W TC =25°C Ábr. 24
TSTG Tárolóhőmérséklet-tartomány -55 to 175 °C
Tj Működési csomóponti hőmérséklet -55 to 175 °C
TL Sövődési hőmérséklet 260°C csak vezetéken engedélyezett hullámös sövő, 1.6mm a fedélztől 10 másodpercig


Hőmérsékleti adatok

Szimbólum Paraméter érték egység Megjegyzés
Rθ(J-C) Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez 0.38°C/W Ábr. 23


Elektromos jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
Min. - Tipikus. - Max, kérlek!
IDSS Nulla kapu feszültségű drain áram 5100μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS A kapu szivárgási áram ±100 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH A kapcsoló küszöbfeszültség 1.82.84.5V. VGS=VDS , ID =12mA Ábra 8, 9
2.0VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
ron Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás 3039VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C Ábra 4, 5, 6, 7
55VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
3647VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
58VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss Bevezető kapacitás 3000PF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Ábra 16
Coss Kibocsátási kapacitás 140PF
Crss Visszafordító kapacitás 7.7PF
Eoss Coss tárolt energia 57μJ Ábra 17
Qg Teljes kapcsoló töltés 135NC VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 to 18V Ábr. 18
Qgs Csapó-forrás töltés 36.8NC
Qgd Csapó-drain töltés 45.3NC
Rg Csapó bemeneti ellenállás 2.3Ó f=1MHz
EON Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor 856.6μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25°C Ábr. 19, 20
EOFF Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor 118.0μJ
Tg ((on) Beállítási késleltetési idő 15.4cs
tr Felemelkedési idő 24.6
csv (ki) A kikapcsoló késleltetési idő 28.6
Tf Őszidő 13.6


Fordított dió jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum Paraméter érték egység A vizsgálati feltételek Megjegyzés
Min. - Tipikus. - Max, kérlek!
VSD Diódás előrehajtás 4.2V. ISD =30A, VGS =0V Ábr. 10, 11, 12
4.0V. ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C
trr Visszafelé Helyreállító Idő 54.8cs VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Visszafelé Helyreállító Töltés 470.7NC
IRRM Csúcsos fordított helyreálló áram 20.3A


Tipikus teljesítmény (görbék)

image

image

image

image

image

image

image

image

image


KAPCSOLÓDÓ TERMÉK