1200V 160mΩ Gen2 autóipari SiC MOSFET Magyarország

Minimális rendelési mennyiség:	450PCS
Ár:
Csomagolás Részletek:
Szállítási határidő:
Fizetési feltételek:
Supply Ability:

Jellemzők

Alkalmazási területek

Vázlat:

kép

Jelölési diagram:

kép

Maximális abszolút értéke(TC=25°C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
VDS	Drain-Source feszültség	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximális egyenfeszültség	-5 és 20 között	V	Statikus (DC)
VGSmax (tüske)	Maximális tüskefeszültség	-10-től 23-ig	V	Felhasználási ciklus <1%, impulzusszélesség <200n
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	18 ± 0.5	V
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5-től -2-ig	V
ID	Leeresztőáram (folyamatos)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	23. ábra
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Leeresztő áram (impulzus)	47	A	Az impulzusszélességet a SOA korlátozza	26. ábra
PTOT	Teljes teljesítmény disszipáció	136	W	TC = 25 °C	24. ábra
Tstg	Tárolási hőmérséklet-tartomány	-55-től 175-ig	° C
TJ	Működési csomópont hőmérséklete	-55-től 175-ig	° C
TL	Forrasztási hőmérséklet	260	° C	hullámforrasztás csak a vezetékeknél megengedett, 1.6 mm-re a háztól 10 másodpercig

Hőadatok

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték	Egység	Megjegyzések
Rθ(JC)	Hőállóság a csatlakozástól a házig	1.1	° C / W	25. ábra

Elektromos jellemzők(TC = 25 °C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték			Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
		Min.	Típus	Max.
IDSS	Nulla kapufeszültség leeresztő áram		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapu szivárgó áram			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH KÁRTYA	Kapuküszöb feszültség	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID = 2mA	8., 9. ábra
			2.1			VGS =VDS, ID = 2mA @ TJ =175。C
RON	Statikus leeresztő forrás bekapcsolva - ellenállás		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	4., 5., 6., 7. ábra
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Bemeneti kapacitás		575		pF	VDS=800V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	16. ábra
Coss	Kimeneti kapacitás		34		pF
Crss	Fordított átviteli kapacitás		2.3		pF
Eoss	Tárolt energia		14		μJ		17. ábra
Qg	Teljes kapudíj		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3-18V	18. ábra
Qgs	Kapu-forrás töltés		6.6		nC
Qgd	Kapu-elvezető töltés		14.4		nC
Rg	Kapu bemeneti ellenállás		10		Ω	f = 1 MHz
EON	Bekapcsolási kapcsolási energia		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	19., 20. ábra
EOFF	Kapcsolja ki a kapcsolási energiát		22		μJ
td (be)	Bekapcsolási késleltetési idő		2.5		ns
tr	Növekszik az idő		9.5
td(ki)	Kikapcsolási késleltetési idő		7.3
tf	Őszi idő		11.0
EON	Bekapcsolási kapcsolási energia		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	22. ábra
EOFF	Kapcsolja ki a kapcsolási energiát		19		μJ

Fordított dióda jellemzői(TC = 25 °C, hacsak nincs másképp megadva)

Szimbólum	Vizsgált paraméter	Érték			Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
Szimbólum	Vizsgált paraméter	Min.	Típus	Max.	Egység	Teszt feltételek	Megjegyzések
VSD	Dióda előremenő feszültség		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	10., 11., 12. ábra
VSD	Dióda előremenő feszültség		3.7		V	ISD = 5 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C	10., 11., 12. ábra
trr	Visszaállási idő		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
QRr	Fordított helyreállítási díj		92		nC
IRRM	Csúcs fordított helyreállítási áram		10.6		A