SiC MOSFET ili Si MOSFET, koji je bolji?

U tom trenu u neverovjatnom svijetu nazvanom elektronika, postojala su dvije vrlo važne materije stalno konkurujuće jedna protiv druge, a to je bilo SiC MOSFET vs. Si MOSFET oba od Allswell Možda se čudite što ove riječi znače. U potpunosti se ne brinite! Zbog toga smo ovdje da sve objasnimmo vrlo brzo i jednostavno.

Što je poluprovodnički materijal?

Sada skočimo u ono što su zapravo poluprovodnički materijali. Postoje sirove materijale koje možete koristiti, a to je vrlo posebno i daje život bilo kojem elektroničkom uređaju tamo vani, poput pametnog telefona, laptopa ili čak i robota! Zamislite da morate imati zasebne alate za svaki igračak koji ste spajali. Također, koristimo različite resurse za izgradnju više vrsta elektroničkih uređaja.

Kремnиjум, oznaka Si, bio je glavni materijal koji se koristi u elektroničkim uređajima već dugo vrijeme. Kremnijum je bio u velikom zahtjevu uglavnom zato što je prigodan za korištenje u mnogim primjenama. Ali pogodite što? SiC, ili karbid kremnija. Ti materijali su relativno novi, s njihovim višim radnim temperaturama (preko 1200 stupnjeva) i boljim učinkovitostima što ih čini privlačnim za bioplinske motore posebno. SiC ima neke fantastične prednosti korištenja SiC umjesto Si; na primjer, brže radi i radi učinkovitije. Stoga su ovi dva u trku međusobne konkurencije. mosfet SiC i Si MOSFET da biste vidjeli koji je bolji!

Koji je učinkovitiji?

Sada, do pitanja učinkovitosti. Učinkovitost je ključna točka u elektronici. Govori nam koliko dobro uređaj koristi energiju. Razmotrite ovo: kada radite domaće zadaće, vjerojatno želite završiti brzo kako biste se vratili na igre ili provedu vrijeme s prijateljima. Također, elektronika želi biti pažljiva s energijom koju koristi kako bi mogla bolje raditi i služiti nama.

SiC MOSFET je učinkovitiji u usporedbi s Si MOSFET. Dakle, bolje iskorištava energiju! Zbog nulte gubitka energije, SiC može raditi s višim naprezima i temperaturama. To je razlog zašto SiC mosfet  bi vam bio odgovarajući, ako želite da vaše elektroničke uređaje troše manje energije i rade brže nego ikad!

Razumijevanje kompromisa

Odabir pravog poluprovodničkog materijala nije trivijalna vježba. Svaki ima svoje dobre i loše strane. Odlučivanje je malo poput izbora između dviju strana prilikom odabira ručne jelovnice. Možda je nekad sušnjak bolji za tebe, ali pretpostavimo situaciju da ti se druga omiljena hrana čini neverovatno ukusnom. Stoga morate težinsko procijeniti što želite više.

SiC MOSFET u ovom slučaju je lijep jer koristi energiju bolje, ali dolazi i s cijenom. Viša cijena SiC-a može biti izazov za neke primjene, posebno u vrijeme kada su budžeti ograničeni. Si MOSFET, s druge strane, je jeftiniji i dostupniji za kupnju, ali ne radi toliko učinkovito kao SiC MOSFET.

Također, SiC MOSFET-i su novija tehnologija, pa postoji manje upoznatosti među inženjerima o tome kako ih koristiti. To može činiti teškim pronaći nekoga tko će vam pomoći ako imate problema pri njihovom korištenju. Stoga morate uzeti u obzir sve ove faktore pri donošenju odluke.

Koji od njih radi bolje?

Dakle, idemo dalje na performanse. Još jedan aspekt kojeg morate analizirati prilikom izbora materijala za poluprovodnike je performanse. Jednostavno rečeno – performanse su kvaliteta kako nešto radi. To je koliko dobro će se materijal odnositi na svoje zadatke i dobro obavljati te zadatke.

SiC MOSFET vs Si MOSFET Stoga, ako bismo se odnosili na karakteristike SiC-a i ne uspoređivali ih s drugim parametrima materijala poput GaN u općem slučaju, to bi bilo točnije, jer kada usporedite jedan jedinični snaga poput čistog si MOSFET protiv iste veličine neobradjenih SiC MOSFET tranzistora, čak iako su oba potpuno obrađena proizvoda, onda imaju Trench Power SiC MOSFET blizu 1/4-ina upaljene otpornosti u odnosu na Epi planarni ili Schottky barrier tip I-V karakteristike, također će vrijeme prebacivanja biti manje drastično u usporedbi s epi epitaksijom rastom pripremne slojeve za uređajnu strukturu koji može napuniti visoki/nizi vakuum nakon što se postigne vrhunski koncentracija difuzije iona polja na kraju prema suvoj strani sučelja prilagođenog ulaza vratnice. Na primjer, može obavljati veći protok struje zbog viših izlaznih napona i termički je učinkovit zahvaljujući podršci visokim temperaturama. To omogućava da ove jedinstvene značajke SiC MOSFET-a se koriste u strožim okolnostima kao što su električni automobili (EV) i sunčana energija, gdje su visoka pouzdanost i učinkovitost ključne.

Odabir materijala za vaš uređaj

Pronalazak optimalnog poluprovodničkog materijala za uređaj može biti izazov. vrlo je slično odabiru igračke s kojom biste najbolje trebali igrati. Želite odabrati nešto što ćete voljeti koristiti, a što se neće odmah pokvariti.

Dakle, ako tražite uređaj koji je vrlo performantni i energijski učinkovit, odaberite SiC MOSFET. Međutim, ako je minimiziranje cijene ključno i ako ne tražite maksimalnu performansu, Si MOSFET možda je vaša najbolja opcija.

Imajte na umu da je svaki slučaj korištenja drugačiji i da možda nema jedne odgovarajuće rješenja za sve primjene prilikom odabira poluprovodničkog materijala. Stoga razmislite što su vaše lične potrebe i uložite neku napore da pronađete više odgovora te podršku kako biste mogli donijeti odluku.