650V 25mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Hrvatska

Značajke

Aplikacije

Outline:

slika

Dijagram označavanja:

Apsolutna maksimalna ocjena(TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva	Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
VDS	Napon odvod-izvor	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimalni istosmjerni napon	-5 do 20	V	Statički (DC)
VGSmax (šiljak)	Maksimalni udarni napon	-10 do 23	V	Duty cycle<1%, and pulse width<200ns
VGSin	Preporučeni napon uključivanja	18 0.5 ±	V
VGSoff	Preporučeni napon za isključivanje	-3.5 do -2	V
ID	Struja odvoda (kontinuirano)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Sl. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja odvoda (impulsna)	247	A	Širina impulsa ograničena SOA-om	Sl. 26
PTOT	Ukupna disipacija snage	454	W	TC =25°C	Sl. 24
Tstg	Raspon temperature skladištenja	-55 do 175	° C
TJ	Radna temperatura spoja	-55 do 175	° C
TL	Temperatura lemljenja	260	° C	valovito lemljenje dopušteno samo na vodovima, 1.6 mm od kućišta tijekom 10 s

Toplinski podaci

Simbol	Parametar	Još malo brojeva	Jedinica	bilješke
Rθ(JC)	Toplinski otpor od spojnice do kućišta	0.33	° C / Z	Sl. 25

Električka svojstva(TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva			Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
Simbol	Parametar	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KARTICA	Napon praga vrata	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, ID =12mA	sl. 8, 9
VTH KARTICA	Napon praga vrata		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175。C	sl. 8, 9
RON	Statički drejn-izvor uključeni otpor		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Slika 4, 5, 6, 7
RON	Statički drejn-izvor uključeni otpor		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Slika 4, 5, 6, 7
Ciss	Ulazni kapacitet		3090		pF	VDS=600V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Sl. 16
Coss	Izlazni kapacitet		251		pF
Crss	Obrnuti prijenosni kapacitet		19		pF
Eoss	Cossova pohranjena energija		52		μJ		Sl. 17
Qg	Ukupna naknada za ulaz		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 do 18V	Sl. 18
Qgs	Gate-source naboj		35.7		nC
Qgd	Gate-drain punjenje		38.5		nC
Rg	Ulazni otpor vrata		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Uključite sklopnu energiju		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	sl. 19, 20
EOFF	Isključite preklopnu energiju		95.0		μJ
td(on)	Vrijeme odgode uključivanja		12.9		ns
tr	Vrijeme podizanja		26.5
td (isključeno)	Vrijeme odgode isključivanja		23.2
tf	Vrijeme jeseni		11.7
EON	Uključite sklopnu energiju		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Sl. 22
EOFF	Isključite preklopnu energiju		99.7		μJ		Sl. 22

Karakteristike reverzne diode(TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva			Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
Simbol	Parametar	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
VSD	Prednji napon diode		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Slika 10, 11, 12
VSD	Prednji napon diode		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Slika 10, 11, 12
trr	Obrnuto vrijeme oporavka		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Povratna naknada za oporavak		195.3		nC
IRRM	Vršna povratna struja oporavka		20.2		A