1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solarni pretvarači Hrvatska

Mjesto podrijetla:	Zhejiang
Brand Name:	Tehnologija Inventchip
Broj modela:	IV2Q171R0D7Z
Certifikacija:	AEC-Q101 kvalificiran

Značajke

• 2. generacija SiC MOSFET tehnologije s +15~+18V gate pogonom

• Visoki napon blokiranja s niskim otporom pri uključivanju

• Brzo prebacivanje s malim kapacitetom

• Mogućnost radne temperature spoja od 175 ℃

• Ultra brza i robusna dioda s unutarnjim tijelom

• Dizajn upravljačkog sklopa za olakšavanje unosa Kelvinovih vrata

• AEC-Q101 kvalificiran

Aplikacije

• Solarni pretvarači

• Pomoćni izvori napajanja

• Prebacivanje načina napajanja

• Pametna brojila

Outline:

 

Dijagram označavanja:

Apsolutna maksimalna ocjena(TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva	Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
VDS	Napon odvod-izvor	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (prolazni)	Maksimalni udarni napon	-10 do 23	V	Radni ciklus <1%, a širina impulsa <200ns
VGSin	Preporučeni napon uključivanja	15 do 18	V
VGSoff	Preporučeni napon za isključivanje	-5 do -2	V	Tipična vrijednost -3.5V
ID	Struja odvoda (kontinuirano)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Sl. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja odvoda (impulsna)	15.7	A	Širina impulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(JC)	Slika 25, 26
ISM	Struja tjelesne diode (impulsna)	15.7	A	Širina impulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(JC)	Slika 25, 26
PTOT	Ukupna disipacija snage	73	W	TC =25°C	Sl. 24
Tstg	Raspon temperature skladištenja	-55 do 175	° C
TJ	Radna temperatura spoja	-55 do 175	° C

Toplinski podaci

Simbol	Parametar	Još malo brojeva	Jedinica	bilješke
Rθ(JC)	Toplinski otpor od spojnice do kućišta	2.05	° C / Z	Sl. 25

Električka svojstva(TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva			Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
		Min.	Tip.	Maks.
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KARTICA	Napon praga vrata	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS, ID =380uA	sl. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS, ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Statički drain-source on - otpor		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Slika 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Ulazni kapacitet		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Sl. 16
Coss	Izlazni kapacitet		15.3		pF
Crss	Obrnuti prijenosni kapacitet		2.2		pF
Eoss	Cossova pohranjena energija		11		μJ		Sl. 17
Qg	Ukupna naknada za ulaz		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 do 18V	Sl. 18
Qgs	Gate-source naboj		2.7		nC
Qgd	Gate-drain punjenje		12.5		nC
Rg	Ulazni otpor vrata		13		Ω	f=1MHz
EON	Uključite sklopnu energiju		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	sl. 19, 20
EOFF	Isključite preklopnu energiju		17.0		μJ
td(on)	Vrijeme odgode uključivanja		4.8		ns
tr	Vrijeme podizanja		13.2
td (isključeno)	Vrijeme odgode isključivanja		12.0
tf	Vrijeme jeseni		66.8
EON	Uključite sklopnu energiju		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Sl. 22

Karakteristike reverzne diode(TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva			Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
		Min.	Tip.	Maks.
VSD	Prednji napon diode		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Slika 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Prednja struja diode (kontinuirana)			11.8	A	VGS = -2V, TC =25°C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Obrnuto vrijeme oporavka		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Povratna naknada za oporavak		54.2		nC
IRRM	Vršna povratna struja oporavka		8.2		A

Tipična izvedba (krivulje)

 

paket Dimenzije

Bilješka:

1. Referenca paketa: JEDEC TO263, Variation AD

2. Sve su dimenzije u mm

3. Podložno promjenama bez prethodne najave