1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solarni inverteri

Mjesto podrijetla:	Zhejiang
Naziv marke:	Inventchip Technology
Broj modela:	IV2Q171R0D7Z
Certifikacija:	Odobren prema AEC-Q101

Osobine

• 2. generacija SiC MOSFET tehnologije s +15~+18V vođenjem vrata

• Visoka blokirajuća napetost s nizom upornom priključkom

• Visoka brzina prebacivanja s niskom kapacitetom

• Mogućnost rada uz temperaturu spojnica od 175℃

• Ultra brza i čvrsta intrinzika dioda u tijelu

• Kelvin ulaz za vrata olakšava dizajn voznog kruga

• Odobren prema AEC-Q101

Prijave

• električni uređaji za proizvodnju električnih goriva

• Pomoćne napojne naprave

• Napajanja u prekidnom režimu rada

• Pametni brojači

Prikaz:

 

Oznaka sheme:

Apsolutni maksimalni ratingi (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Tranzitorno)	Maksimalna pječuća napetost	-10 do 23	V	Dutycycle <1%, i širina impulsa <200ns
VGSon	Preporučena uključiva napetost	15 do 18	V
VGSoff	Preporučena isključiva napetost	-5 do -2	V	Tipična vrijednost -3.5V
id	Struja drena (kontinuirano)	6.3	A.	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
		4.8	A.	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja drena (pulsirajuća)	15.7	A.	Duljina pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
ISM	Struja dioda tijela (pulsirajuća)	15.7	A.	Duljina pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
PTOT	Ukupna disipacija snage	73	W	TC = 25°C	Slika 24
Tstg	Razmak temperature skladištenja	-55 do 175	°C
TJ	Radna temperatura spoja	-55 do 175	°C

Termički podaci

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost	Jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termički otpor od spoja do omota	2.05	°C/W	Slika 25

Električne karakteristike (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
		Min.	Tip.	Maks.
IDSS	Struja na izlazu pri nuli na ulaznom voltu		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Struja promjera kapije			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prag napona kapije	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Slika 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Statički otpor drena-izvora u stanju uključeno		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Slika 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Ulazna kapaciteta		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Izlazna kapacitetnost		15.3		PF
Crss	Obrnuta transferna kapacitetnost		2.2		PF
Eoss	Pohranjena energija u Coss		11		μJ		Slika 17
Qg	Ukupni naboj zateznika		16.5		NC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 do 18V	Slika 18
Qgs	Napojna struja između vrata i izvora		2.7		NC
Qgd	Napojna struja između vrata i drena		12.5		NC
Rg	Ulazni otpor vrata		13		Ω	f=1MHz
EON	Energija prijelaza uključivanja		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V do 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Slika 19, 20
EOFF	Energija prijelaza isključivanja		17.0		μJ
td(uključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri uključivanju		4.8		NS
TR	Vrijeme rasta		13.2
td(isključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri isključivanju		12.0
TF	Vrijeme pada		66.8
EON	Energija prijelaza uključivanja		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V do 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Slika 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
		Min.	Tip.	Maks.
VSD	Napojna napetost dioda		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Slika 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175. C
je	Neprekidni prolazni strujni tok dioda			11.8	A.	VGS =-2V, TC =25. C
				6.8	A.	VGS =-2V, TC=100. C
trr	Vrijeme obrnute oporave		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Naboj obrnute oporave		54.2		NC
IRRM	Pikovni obrnuti tok oporave		8.2		A.

Tipična performans (krivulje)

 

Dimenzije pakiranja

Napomena:

1. Referentni paket: JEDEC TO263, Varijacija AD

2. Sve dimenzije su u mm

3. Predmet je promjene bez obavijesti