SiC mosfet

1200V 40mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

Uvod

Uvod

Mjesto podrijetla:	Shanghai
Naziv marke:	Inventchip Technology
Broj modela:	IV2Q12040T4Z
Certifikacija:	AEC-Q101

Osobine

2^ndGeneracija SiC MOSFET tehnologije s
+15~+18V vođenjem vrata
Visoka blokirajuća napetost s nizom upornom priključkom
Visoka brzina prebacivanja s niskom kapacitetom
Mogućnost rada na spojnoj temperaturi od 175°C
Ultra brza i čvrsta intrinzika dioda u tijelu
Kelvin ulaz za vrata olakšava dizajn voznog kruga
Odobren prema AEC-Q101

Prijave

Nabavni uređaji za EV i OBC-e
Povećivači za sunčevu energiju
Inverteri za automobilsku kompresoru
Napajanja AC/DC

Prikaz:

Oznaka sheme:

Apsolutni maksimalni ratingi (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Tranzitorno)	Maksimalni tranzitorni napon	-10 do 23	V	Ciklus obaveze<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon	Preporučena uključiva napetost	15 do 18	V
VGSoff	Preporučena isključiva napetost	-5 do -2	V	Tipično -3.5V
id	Struja drena (kontinuirano)	65	A.	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
id	Struja drena (kontinuirano)	48	A.	VGS =18V, TC =100°C	Slika 23
IDM	Struja drena (pulsirajuća)	162	A.	Duljina pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
ISM	Struja dioda tijela (pulsirajuća)	162	A.	Duljina pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
PTOT	Ukupna disipacija snage	375	W	TC = 25°C	Slika 24
Tstg	Razmak temperature skladištenja	-55 do 175	°C
TJ	Radna temperatura spoja	-55 do 175	°C
TL	Temperatura ljepljenja	260	°C	dopušteno je samo valno ljepljenje na voditelje, 1.6mm od omotača tijekom 10 s

Termički podaci

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost	Jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termički otpor od spoja do omota	0.4	°C/W	Slika 25

Električne karakteristike (TC = 25、C, osim ako nije drukčije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
IDSS	Struja na izlazu pri nuli na ulaznom voltu		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Struja promjera kapije			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prag napona kapije	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Slika 8, 9
VTH	Prag napona kapije		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Slika 8, 9
RON	Statički otpor drena-izvora u stanju uključeno		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Slika 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Ulazna kapaciteta		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Izlazna kapacitetnost		100		PF
Crss	Obrnuta transferna kapacitetnost		5.8		PF
Eoss	Pohranjena energija u Coss		40		μJ		Slika 17
Qg	Ukupni naboj zateznika		110		NC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 do 18V	Slika 18
Qgs	Napojna struja između vrata i izvora		25		NC
Qgd	Napojna struja između vrata i drena		59		NC
Rg	Ulazni otpor vrata		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Energija prijelaza uključivanja		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Slika 19, 20
EOFF	Energija prijelaza isključivanja		70.0		μJ
td(uključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri uključivanju		9.6		NS
TR	Vrijeme rasta		22.1
td(isključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri isključivanju		19.3
TF	Vrijeme pada		10.5
EON	Energija prijelaza uključivanja		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Slika 22
EOFF	Energija prijelaza isključivanja		73.8		μJ		Slika 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25. C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
Sljedeći članak	Uređaj za upravljanje	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VSD	Napojna napetost dioda		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Slika 10, 11, 12
VSD	Napojna napetost dioda		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175. C	Slika 10, 11, 12
je	Neprekidni prolazni strujni tok dioda			63	A.	VGS =-2V, TC =25. C
je	Neprekidni prolazni strujni tok dioda			36	A.	VGS =-2V, TC=100. C
trr	Vrijeme obrnute oporave		42.0		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Naboj obrnute oporave		198.1		NC
IRRM	Pikovni obrnuti tok oporave		17.4		A.