SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky dioda AC/DC pretvarači Hrvatska

Uvod

Uvod

Mjesto podrijetla:	Zhejiang
Brand Name:	Tehnologija Inventchip
Broj modela:	IV1D12010T2
Certifikacija:

Minimalna količina pakiranja:	450PCS
Cijena:
Pakiranje Detalji:
Vrijeme isporuke:
Uvjeti plaćanja:
Nabava Sposobnost:

Značajke

Maksimalna temperatura spoja 175°C
Visoki kapacitet udarne struje
Nulta povratna struja oporavka
Zero Forward Recovery Voltag
Visokofrekventni rad
temperaturno neovisno ponašanje sklopke
Pozitivan temperaturni koeficijent na VF

Aplikacije

Pojačanje solarne energije
Inverterske slobodno zakretne diode
Beč 3-fazni PFC
AC/DC pretvarači
Preklopni način napajanja

obris

slika

Dijagram označavanja

slika

Apsolutna maksimalna ocjena(Tc=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Simbol	Parametar	Još malo brojeva	Jedinica
VRRM	Obrnuti napon (vrh koji se ponavlja)	1200	V
VDC	DC blokirajući napon	1200	V
IF	Prava struja (kontinuirana) @Tc=25°C	30	A
	Prava struja (kontinuirana) @Tc=135°C	15.2	A
	Prava struja (kontinuirana) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Prenaponska struja bez ponavljanja sinusni poluval @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Prenaponska struja koja se ponavlja (Frekvencija=0.1Hz, 100 ciklusa) sinusni poluval @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Ukupna disipacija snage @ Tc=25°C	176	W
	Ukupna disipacija snage @ Tc=150°C	29
	I2t vrijednost @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Raspon temperature skladištenja	-55 do 175	° C
Tj	Raspon radnih temperatura spoja	-55 do 175	° C

Naprezanja koja prelaze ona navedena u tablici maksimalnih ocjena mogu oštetiti uređaj. Ako se prekorači bilo koje od ovih ograničenja, ne treba pretpostaviti funkcionalnost uređaja, može doći do oštećenja i može utjecati na pouzdanost.

Električka svojstva

Simbol	Parametar	Tip.	Maks.	Jedinica	Uvjeti ispitivanja	bilješke
VF	Napon naprijed	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Sl. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
IR	Obrnuta struja	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Sl. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Ukupni kapacitet	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Sl. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Ukupni kapacitivni naboj	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Sl. 4
EC	Kapacitivnost pohranjene energije	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Sl. 5