जैसे ही तकनीक का विकास होता है, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) Mosfets या SiC Mosfet को उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों में बढ़ती संख्या में शामिल किया जाता है। जिन पावर सेमीकंडक उपकरणों पर यह केंद्रित है, उनमें कई फायदे हैं जो उन्हें कठिन अनुप्रयोगों के लिए अच्छी तरह से योग्य बनाते हैं। इस लेख में, हम SiC Mosfets का उपयोग उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए कई फायदों की चर्चा करेंगे: नवीन ऊर्जा और अन्य अनुप्रयोगों में कार्यक्षमता को संचालित करने का मतलब क्या है, वे पिछली प्रौद्योगिकी (पावर सेमीकंडक) की तुलना में कैसे प्रदर्शन करते हैं, समय के साथ विकास या निरंतर समर्थन के माध्यम से उनके आदर्श उपयोग के बारे में टिप्स, और उन नए अवधारणाओं के चारों ओर निकल रही रुझान और अवसर।
SiC Mosfets का उपयोग उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स के रूप में फायदे
नए सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) Mosfets में पारंपरिक शक्ति अर्धचालकों की तुलना में कई फायदे हैं, जिनमें बढ़ी हुई शक्ति घनत्व, कम स्विचिंग हानि और ऑन-प्रतिरोध में कमी शामिल है। SiC सामग्री के उपयोग से Sic Mosfets में शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स प्रणाली कहीं अधिक कुशल और विश्वसनीय हो जाती है। Sic Mosfets में अच्छी थर्मल चालकता भी होती है और ये उच्च तापमानों को सहन कर सकते हैं।
Sic Mosfets स्विचों के आकार को कम करते हैं और इसके साथ ही कम स्विचिंग हानि होती है जो अपशिष्ट ऊष्मा को कम करती है। यह ऑन स्थिति से ऑफ स्थिति में जाते समय जोड़ने की आवश्यकता वाले टर्नऑफ़ समय को कम करके किया जाता है और हम इसे स्विचिंग कुल में कम करते हैं। इसके अलावा, Sic Mosfets में अत्यधिक कम स्विचिंग हानि होती है क्योंकि इसमें कम-अनुप्रवाह और कम Qrr होता है।
इसके अलावा, सिसी मॉसफेट्स परंपरागत शक्ति के अर्धचालकों की तुलना में कई गुना अधिक आवृत्तियों पर काम कर सकते हैं। उनका तेज चालन समय और कम शक्ति हानि उन्हें डेटा सेंटर शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे उच्च-आवृत्ति उपयोग के लिए उपयुक्त बनाती है।
कुशल बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स सौर और पवन जैसी पुनर्जीवन शील ऊर्जा प्रौद्योगिकियों में क्रिटिकल भूमिका निभाते हैं, इन सिस्टमों के प्रदर्शन को अधिकतम करके। जैसे वे पुनर्जीवन शील ऊर्जा सिस्टमों को अधिक कुशलता के स्तर पर पहुँचने में मदद करते हैं और कार्बन प्रभाव को कम करते हैं, Sic Mosfets पारंपरिक विकल्पों को चुने जाने की संख्या में बढ़ोतरी कर रहे हैं।
इन शरीर डायोड्स में प्रतिगामी पुनर्स्थापन और चालू क्षति की सहज कमी होती है, जो सौर पैनल्स या पवन टर्बाइन जैसी स्रोतों से ऊर्जा स्थिति और रूपांतरण के अनुप्रयोगों में पड़ती है, जो Sic Mosfets में नहीं होती है। इसके अलावा, Sic Mosfets उच्च तापमान तक पहुँच सकते हैं बिना कुशलता का बलिदान दें, जिससे उन्हें कठोर संचालन परिवेश में प्रदान करने में सफलता मिलती है।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET विद्युत् ऊर्जा में दूसरे स्तर की परिवर्तन चरण में भी महत्वपूर्ण योगदान देते हैं, जो नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों का एक अभिन्न हिस्सा है। यह चरण नवीकरणीय ऊर्जा को ऐसे विद्युत् के रूप में परिवर्तित करता है जो वितरण और परिवहन ग्रिड पर विश्वसनीय रूप से उपयोग किया जा सके।
Tamko|EN9090 अन्य विद्युत् इलेक्ट्रॉनिक्स समाधानों की तुलना में अनुप्रयोग प्रदर्शन में भी उज्ज्वल है। SiC MOSFET पारंपरिक विद्युत् अर्धचालकों को पारित करते हैं, जिन्हें उत्कृष्ट थर्मल कंडक्शन प्रदर्शन प्रदान करते हैं, जिससे उच्च-तापमान पर संचालन योग्य समाधान प्राप्त होते हैं।
SiC MOSFET के पास अधिक वोल्टेज डायोड होते हैं और उन्हें बहुत बड़ी आवृत्तियों पर संचालित किया जा सकता है। एक ही समय में, वे कम ऑन-प्रतिरोध दिखाते हैं, जो विद्युत् घनत्व और आउटपुट सेंस को बढ़ाता है।
हालांकि, यह बताया जाना चाहिए कि सिसी मॉसफेट्स पुराने प्रकार की तुलना में महंगे होते हैं, जिससे कुछ अनुप्रयोगों के लिए उनका उपयोग व्यवहार्य नहीं होता। सिसी मॉसफेट के लिए एक और समस्या है कि यदि आप एक ही प्रणाली पैकेज में विभिन्न विक्रेताओं के उत्पादों का उपयोग करना चाहते हैं, तो निर्माताओं के बीच मानकीकरण की कमी है।
सिसी मॉसफेट्स से सर्वश्रेष्ठ प्रदर्शन का अनुभव करने के लिए, कुछ टिप्स का पालन करना और सही अभ्यासों का अनुसरण करना आवश्यक है।
ठंडा करना: यदि सिलिकॉन कार्बाइड मॉसफेट्स गर्म हो जाते हैं, तो उन्हें गर्मी से नष्ट हो सकता है। इसलिए, डिज़ाइन में सिसी मॉसफेट्स के साथ सर्किट का उपयोग करते समय उन्हें उचित रूप से ठंडा रखना महत्वपूर्ण है।
अच्छा गेट ड्राइवर डिज़ाइन: यह सिसी मॉसफेट की घटनाओं की आवृत्ति के लिए उचित रैखिकता मेल खाने की आवश्यकता होती है ताकि हम इसे अधिकतम गति और न्यूनतम हानि के साथ उपयोग कर सकें।
उचित बायसिंग: पहले से ही चर्चा की गई बायसिंग थर्मल रनएवे की ओर ले जा सकती है और इस प्रकार IC मॉसफेट को नुकसान पहुंचा सकती है। सर्किट के अतिताप के बढ़ते तनाव से बचने के लिए, डिजाइनर्स को इसे उचित रूप से बायस करना होगा।
सेफगार्ड: सिसी मॉसफेट प्रोटेक्शन कुछ सर्किट अधिक वोल्ट, अतिरिक्त धारा और पर्यावरणीय तनाव से प्रभावित हो सकते हैं। चोट से बचने के लिए जरूरी कदम, जैसे कि फ्यूज़ प्रोटेक्शन और TVS डायोड्स सिसी मॉसफेट के लिए विकसित किए गए हैं।
2021 तक की अवसरों के विकास में भाग :_पार्टिशन
सिसी मॉसफेट बाजार 2031 तक क्रान्तिकारी विकास का सामना करने जा रहा है, फैक्ट.एमआर कहते हैं। ऊर्जा कुशल प्रणालियों और नवीकरणीय विद्युत आपूर्ति की मांग बढ़ने से बाजार का विकास अन्य छोर से बढ़ने की संभावना है।
सिसी मॉसफेट इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों के लिए अधिक कुशल और विश्वसनीय हैं जो EV क्षेत्र में अभ्यासित हैं। इसके अलावा, उनकी सब्जी और तापमान प्रतिरोध की वजह से घटिया होने के बिना उच्च तापमान पर काम करने की क्षमता है, जो लाखों चक्रों जोड़कर EV प्रणाली की जीवनकाल को बढ़ाने की संभावना है।
औद्योगिक स्वचालन में Sic Mosfets का उपयोग ऊर्जा कुशलता में महत्वपूर्ण सुधार कर सकता है, रखरखाव की खर्च पर बचत हो सकती है और प्रणाली की विश्वसनीयता में सुधार हो सकता है। ये विशेष रूप से उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स प्रणालियों में अत्याधुनिक हैं, जो कई औद्योगिक स्वचालन अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाते हैं।
Sic Mosfets में बेहतर कुशलता, हल्की सामग्रियाँ और विमान उद्योग में उच्च तापमानों पर काम करने की क्षमता जैसी कई लाभजनक विशेषताएँ हैं। ये विशेषताएँ Sic Mosfets को ऐसे विमान इलेक्ट्रॉनिक प्रणाली के लिए आदर्श बनाती हैं जो उच्च विश्वसनीयता, कुशलता और स्थायित्व की आवश्यकता होती है।
उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स: SiC Mosfets के समाकलन से सामान्य शक्ति अर्धचालकों की तुलना में महत्वपूर्ण फायदे होते हैं। SiC Mosfets अधिक कुशलता, शक्ति घनत्व और चौड़े तापमान संचालन क्षमता प्रदान करते हैं, जो बहुत कठिन परिवेशों के लिए उपयुक्त है। SiC Mosfets का भविष्य चमकता है, विशेष रूप से EVs में और औद्योगिक स्वचालन और विमानन अनुसंधान के लिए बाजार बढ़ती प्रगति के कारण अपेक्षाकृत परिपक्व है। प्रौद्योगिकी के साथ, SiC Mosfets को कम ऊर्जा खपत वाले प्रणालियों के लिए मुख्य घटकों में से एक माना जाता है, जो इसके साथ-साथ सफेद ऊर्जा के रूप में लाभ देता है।
कंपनी में अत्यधिक सिसी मॉसफेट विश्लेषकों की टीम है, जो औद्योगिक श्रृंखला के विकास में सहायता करने के लिए बुनियादी जानकारी साझा कर सकती है।
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