IV1B12013HA1L – MODULE SiC 1200V 13mohm Solaire

Caractéristiques

Applications

Emballage

Diagramme de marquage

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Conditions d'essai	Remarque
VDS	Tension Drain-Source	1200	V. Le groupe
VGSmax (CC)	Tension CC Maximale	-5 à 22	V. Le groupe	Statique (CC)
VGSmax (Pic)	Tension de pointe maximale	-10 à 25	V. Le groupe	<1% cycle d'occupation, et largeur d'impulsion <200ns
VGSon	Tension de mise en marche recommandée	20±0,5	V. Le groupe
VGSoff	Tension de coupure recommandée	-3,5 à -2	V. Le groupe
ID	Courant drain (continu)	96	Une	VGS = 20V, Th = 50°C, Tvj ≤ 150℃
		102	Une	VGS = 20V, Th = 50°C, Tvj ≤ 175℃
IDM	Courant de drain (impulsé)	204	Une	Largeur d'impulsion limitée par la SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipation totale de puissance	210	Le	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Plage de température de stockage	-40 à 150	°C
Tj	Température maximale du jonction virtuelle sous conditions de commutation	-40 à 150	°C	Fonctionnement
Tj		-55 à 175	°C	Intermittent avec une durée de vie réduite

Données thermiques

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Remarque
Rθ(J-H)	Résistance thermique du jonction à l'étalement	0.596	°C/W	Fig.25

Caractéristiques électriques (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.
IDSS	Courant drain à la tension zéro de la grille		10	200	μA	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de grille			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tension de seuil de porte	1.8	3.2	5	V. Le groupe	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Résistance statique de canal drain-source		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss	Capacité d'entrée		11		NF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Fig. 16
Coss	Capacité de sortie		507		PF
Crss	Capacité de transfert inverse		31		PF
Eoss	Énergie stockée dans Coss		203		μJ		Fig. 17
Le siège	Charge totale de la grille		480		NC	VDS = 800V, ID = 80A, VGS = -5 à 20V	Fig. 18
Qgs	Charge de la porte-source		100		NC
Qgd	Charge de la porte-drain		192		NC
Rg	Résistance d'entrée de la porte		1.0		Oh	f = 100 kHz
Eon	Énergie de commutation		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 à 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		182		μJ
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		30		N.S.
le	Il est temps de monter.		5.9
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement		37
Tf	Temps d'automne		21
LsCE	Inductivité de déplacement		7.6		NH

Caractéristiques du diode inverse (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
VSD	Tension Directe de Diode		4.9		V. Le groupe	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
VSD	Tension Directe de Diode		4.5		V. Le groupe	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C	Fig.10- 12
le	Temps de récupération inverse		17.4		N.S.	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Je suis désolé.	Frais de recouvrement inversés		1095		NC
RSI	Courant de récupération inverse maximal		114		Une

Caractéristiques du thermistance NTC