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SiC MOSFET Génération 2 pour automobile 650V 25mΩ

Introduction

Introduction

Lieu d'origine :	Zhejiang
Nom de la marque :	Inventchip Technology
Numéro du modèle :	IV2Q06025T4Z
Certification :	AEC-Q101

Caractéristiques

Technologie de MOSFET en SiC de 2e génération avec
+18V de tension de commande
Haute tension de blocage avec une faible résistance en marche
Commutation rapide avec une faible capacité
Capacité de température de jonction élevée
Diode intrinsèque très rapide et robuste
Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande

Applications

Pilotes de moteur
Onduleurs solaires
Convertisseurs DC/DC automobiles
Inverseurs de compresseur automobile
Alimentations électriques à mode commuté

Le schéma:

Diagramme des marquages :

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Conditions d'essai	Remarque
VDS	Tension Drain-Source	650	V. Le groupe	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	Tension CC Maximale	-5 à 20	V. Le groupe	Statique (CC)
VGSmax (Pic)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V. Le groupe	Cycle d'occupation <1 %, et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension de mise en marche recommandée	18±0,5	V. Le groupe
VGSoff	Tension de mise hors tension recommandée	-3,5 à -2	V. Le groupe
ID	Courant drain (continu)	99	Une	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	Une	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (impulsé)	247	Une	Largeur d'impulsion limitée par la SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipation totale de puissance	454	Le	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	°C
Tj	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	°C
TL	Température de soudage	260	°C	soudure par vague uniquement autorisée aux pattes, 1,6 mm à partir de l'étui pendant 10 s

Données thermiques

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Remarque
Rθ(J-C)	Résistance thermique de la jonction à l'étui	0.33	°C/W	Fig. 25

Caractéristiques électriques (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
IDSS	Courant drain à la tension zéro de la grille		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Courant de fuite de grille			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tension de seuil de porte	1.8	2.8	4.5	V. Le groupe	VGS=VDS, ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Tension de seuil de porte		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175°C	Fig. 8, 9
Ron	Résistance statique de canal drain-source		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Résistance statique de canal drain-source		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacité d'entrée		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacité de sortie		251		PF
Crss	Capacité de transfert inverse		19		PF
Eoss	Énergie stockée dans Coss		52		μJ		Fig. 17
Le siège	Charge totale de la grille		125		NC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge de la porte-source		35.7		NC
Qgd	Charge de la porte-drain		38.5		NC
Rg	Résistance d'entrée de la porte		1.5		Oh	f=1MHz
Eon	Énergie de commutation		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 à 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Fig. 19, 20
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		95.0		μJ
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		12.9		N.S.
le	Il est temps de monter.		26.5
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement		23.2
Tf	Temps d'automne		11.7
Eon	Énergie de commutation		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 à 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175°C	Fig. 22
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		99.7		μJ		Fig. 22

Caractéristiques du diode inverse (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
VSD	Tension Directe de Diode		3.7		V. Le groupe	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tension Directe de Diode		3.5		V. Le groupe	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Fig. 10, 11, 12
le	Temps de récupération inverse		32		N.S.	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement inversés		195.3		NC
RSI	Courant de récupération inverse maximal		20.2		Une