SiC MOSFET pour onduleurs solaires 1700V 1000mΩ

Caractéristiques

Technologie de 2e génération de MOSFET en carbure de silicium avec une tension de commande comprise entre +15~+18V
Haute tension de blocage avec une faible résistance en marche
Commutation rapide avec une faible capacité
Capacité de température de jonction de fonctionnement à 175℃
Diode intrinsèque ultra rapide et robuste
Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande
Conforme à AEC-Q101

Applications

Le schéma:

Diagramme des marquages :

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Conditions d'essai	Remarque
VDS	Tension Drain-Source	1700	V. Le groupe	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transitoire)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V. Le groupe	Cycle de travail <1 %, et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension de mise en marche recommandée	15 à 18	V. Le groupe
VGSoff	Tension de mise hors tension recommandée	-5 à -2	V. Le groupe	Valeur typique -3,5 V
ID	Courant drain (continu)	6.3	Une	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	Une	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (impulsé)	15.7	Une	Largeur d'impulsion limitée par la SOA et Rθ(J-C) dynamique	Fig. 25, 26
ISM	Courant du diode de corps (impulsé)	15.7	Une	Largeur d'impulsion limitée par la SOA et Rθ(J-C) dynamique	Fig. 25, 26
Ptot	Dissipation totale de puissance	73	Le	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	°C
Tj	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	°C

Données thermiques

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Remarque
Rθ(J-C)	Résistance thermique de la jonction à l'étui	2.05	°C/W	Fig. 25

Caractéristiques électriques (TC =25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.
IDSS	Courant drain à la tension zéro de la grille		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Courant de fuite de grille			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tension de seuil de porte	1.8	3.0	4.5	V. Le groupe	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V. Le groupe	VGS =VDS, ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Résistance statique drain-source allumée		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Capacité d'entrée		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacité de sortie		15.3		PF
Crss	Capacité de transfert inverse		2.2		PF
Eoss	Énergie stockée dans Coss		11		μJ		Fig. 17
Le siège	Charge totale de la grille		16.5		NC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge de la porte-source		2.7		NC
Qgd	Charge de la porte-drain		12.5		NC
Rg	Résistance d'entrée de la porte		13		Oh	f=1MHz
Eon	Énergie de commutation		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V à 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		17.0		μJ
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		4.8		N.S.
le	Il est temps de monter.		13.2
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement		12.0
Tf	Temps d'automne		66.8
Eon	Énergie de commutation		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V à 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Caractéristiques du diode inverse (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
VSD	Tension Directe de Diode		4.0		V. Le groupe	ISD = 1A, VGS = 0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tension Directe de Diode		3.8		V. Le groupe	ISD = 1A, VGS = 0V, TJ = 175°C	Fig. 10, 11, 12
est	Courant continu du diode (direct)			11.8	Une	VGS = -2V, TC = 25°C
est	Courant continu du diode (direct)			6.8	Une	VGS = -2V, TC = 100°C
le	Temps de récupération inverse		20.6		N.S.	VGS = -3.5V/+18V, ISD = 2A, VR = 1000V, RG(ext) = 10Ω L = 2330μH di/dt = 5000A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement inversés		54.2		NC
RSI	Courant de récupération inverse maximal		8.2		Une