Onduleurs solaires SiC MOSFET 1700V 1000mΩ

Lieu d'origine:	Zhejiang
Nom de marque:	Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:	IV2Q171R0D7Z
Attestation:	Qualifié AEC-Q101

Fonctionnalités

• Technologie SiC MOSFET de 2e génération avec commande de grille +15~+18V

• Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

• Commutation haute vitesse avec faible capacité

• Capacité de température de jonction de fonctionnement de 175 ℃

• Diode de corps intrinsèque ultra rapide et robuste

• Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande

• Qualifié AEC-Q101

Applications

• Onduleurs solaires

• Alimentations auxiliaires

• Alimentations à découpage

• Les compteurs intelligents

Aperçu:

 

Diagramme de marquage :

Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Conditions d'essai	Notes
SDV	Tension drain-source	1700	V	VGS = 0 V, ID = 10 μA
VGSmax (Transitoire)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V	Cycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension d'activation recommandée	15 à 18	V
VGSoff	Tension de coupure recommandée	-5 à -2	V	Valeur typique -3.5 V
ID	Courant de drain (continu)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (pulsé)	15.7	A	Largeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamique	Figures 25, 26
ISM	Courant de diode corporelle (pulsé)	15.7	A	Largeur d'impulsion limitée par SOA et Rθ(JC) dynamique	Figures 25, 26
PTOT	Dissipation de puissance totale	73	W	CT =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	° C
TJ	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	° C

Données thermiques

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Notes
Rθ(JC)	Résistance thermique de la jonction au boîtier	2.05	° C / W	Fig. 25

Caractéristiques électriques(TC =25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle		1	10	A	VDS = 1700 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de porte			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTE	Tension de seuil de porte	1.8	3.0	4.5	V	VGS = VDS, ID = 380uA	Figures 8, 9
			2.0		V	VGS = VDS, ID = 380 µA à TJ = 175 °C
RON	Source de drain statique activée - résistance		700 1280	910	m	VGS = 18 V, ID = 1 A à TJ = 25 °C à TJ = 175 °C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	m	VGS = 15 V, ID = 1 A à TJ = 25 °C à TJ = 175 °C
Ciss	Capacité d'entrée		285		pF	VDS = 1000 0 V, VGS = 1 V, f = 25 MHz, VAC = XNUMX mV	Fig. 16
coss	Capacité de sortie		15.3		pF
CRSS	Capacité de transfert inverse		2.2		pF
Eos	Coût de l'énergie stockée		11		µJ		Fig. 17
Qg	Frais d'entrée totaux		16.5		nC	VDS = 1000 V, ID = 1 A, VGS = -5 à 18 V	Fig. 18
Qgs	Charge porte-source		2.7		nC
Qgd	Charge porte-vidange		12.5		nC
Rg	Résistance d'entrée de porte		13		Ω	f=1 MHz
EON	Énergie de commutation d'activation		51.0		µJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Figures 19, 20
EOFF	Couper l'énergie de commutation		17.0		µJ
td(on)	Délai de mise en marche		4.8		ns
tr	Temps de montée		13.2
td (off)	Délai de désactivation		12.0
tf	Temps de chute		66.8
EON	Énergie de commutation d'activation		90.3		µJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Caractéristiques des diodes inverses(TC = 25.C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
VSD	Tension directe de la diode		4.0		V	ISD = 1A, VGS = 0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD = 1 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C
IS	Courant direct de la diode (continu)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25.C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100.C
trr	Temps de récupération inversé		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Frais de recouvrement inversés		54.2		nC
IRRM	Courant de récupération inverse de pointe		8.2		A

Performance typique (courbes)

 

Dimensions de l'emballage

Remarque:

1. Référence du colis : JEDEC TO263, variante AD

2. Toutes les dimensions sont en mm

3. Sujet à changement sans préavis