Pilotes de moteur MODULE SiC 1200V 25mohm

Lieu d'origine:	Zhejiang
Nom de marque:	Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:	IV1B12025HC1L
Attestation:	AEC-Q101

Fonctionnalités

• Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

• Commutation haute vitesse avec faible capacité

• Capacité de température de jonction élevée

• Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste

Applications

• Applications solaires

• Système UPS

• Conducteurs de moteur

• Convertisseurs DC/DC haute tension

Forfait

Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Conditions d'essai	Notes
SDV	Tension drain-source	1200	V	VGS = 0 V, ID = 200 μA
VGSmax (DC)	Tension CC maximale	-5 à 22	V	Statique (CC)
VGSmax (Pointe)	Tension de pointe maximale	-10 à 25	V	Cycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension de mise sous tension recommandée	20 0.5 ±	V
VGSoff	Tension de coupure recommandée	-3.5 à -2	V
ID	Courant de drain (continu)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Courant de drain (pulsé)	185	A	Largeur d'impulsion limitée par SOA	Fig.26
PTOT	Dissipation de puissance totale	250	W	CT =25°C	Fig.24
TSTG	Plage de température de stockage	-40 à 150	° C
TJ	Température maximale de jonction virtuelle dans des conditions de commutation	-40 à 150	° C	Opération
		-55 à 175	° C	Intermittent avec durée de vie réduite

Données thermiques

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Notes
Rθ(JC)	Résistance thermique de la jonction au boîtier	0.5	° C / W	Fig.25

Caractéristiques électriques(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle		10	200	A	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de porte		2	± 200	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTE	Tension de seuil de porte		3.2		V	VGS = VDS, ID = 12 mA	Fig.9
			2.3			VGS = VDS, ID = 12 mA @ TC = 150.C
RON	Source de drain statique activée - résistance		25	33	m	VGS = 20 V, ID = 40 A @TJ = 25.C	4-7
			36		m	VGS = 20 V, ID = 40 A @TJ = 150.C
Ciss	Capacité d'entrée		5.5		nF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VCA = 25 mV	Fig.16
coss	Capacité de sortie		285		pF
CRSS	Capacité de transfert inverse		20		pF
Eos	Coût de l'énergie stockée		105		µJ		Fig.17
Qg	Frais d'entrée totaux		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 à 20V	Fig.18
Qgs	Charge porte-source		50		nC
Qgd	Charge porte-vidange		96		nC
Rg	Résistance d'entrée de porte		1.4		Ω	f=100 kHz
EON	Énergie de commutation d'activation		795		µJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	19-22
EOFF	Couper l'énergie de commutation		135		µJ
td(on)	Délai de mise en marche		15		ns
tr	Temps de montée		4.1
td (off)	Délai de désactivation		24
tf	Temps de chute		17
LsCE	Inductance parasite		8.8		nH

Caractéristiques des diodes inverses(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
VSD	Tension directe de la diode		4.9		V	ISD = 40A, VGS = 0V	Fig.10-12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Temps de récupération inversé		18		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Frais de recouvrement inversés		1068		nC
IRRM	Courant de récupération inverse de pointe		96.3		A

Caractéristiques de la thermistance NTC

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
RNTC	Résistance nominale		5		kQ	TNTC = 25 ℃	Fig.27
ΔR/R	Tolérance de résistance à 25℃	-5		5	%
β25/50	Valeur bêta		3380		K	± 1%
Pmax	Dissipation de puissance		5		mW

Performance typique (courbes)

         

Dimensions du colis (mm)

Remarques

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