SBD en SiC

Diode Schottky SiC 1200V 10A Convertisseurs AC/DC

Introduction

Introduction

Lieu d'origine :	Zhejiang
Nom de la marque :	Inventchip Technology
Numéro du modèle :	IV1D12010T2
Certification :

Quantité minimale d'emballage :	450 pièces
Prix :
Détails d'emballage :
Délai de livraison :
Conditions de paiement :
Capacité d'approvisionnement :

Caractéristiques

Température maximale de la jonction 175°C
Fort courant de surtension
Courant de récupération inverse nul
Tension de récupération directe nulle
Fonctionnement haute fréquence
Comportement de commutation indépendant de la température
Coefficient de température positif sur VF

Applications

Renforcement de l'énergie solaire
Diodes de roue libre à inverseur
Vienne 3-Phase PFC
Convertisseurs AC/DC
Alimentations électriques à mode commuté

Le schéma

Diagramme de marquage

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur	unité
RRVM	Tension inverse (pic répétitif)	1200	V. Le groupe
VDC	Tension de blocage CC	1200	V. Le groupe
Si	Courant continu (continu) @Tc=25°C	30	Une
	Courant continu (continu) @Tc=135°C	15.2	Une
	Courant direct (continu) @Tc=155°C	10	Une
MFI	Courant de surtension non répétitif en demi-vague sinusoïdale @Tc=25°C tp=10ms	72	Une
RFI	Courant de surtension répétitif (Freq=0,1Hz, 100cycles) en demi-vague sinusoïdale @Tamb =25°C tp=10ms	56	Une
Ptot	Dissipation de puissance totale @ Tc=25°C	176	Le
	Dissipation de puissance totale @ Tc=150°C	29
	Valeur I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	°C
Tj	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	°C

Les contraintes dépassant celles figurant dans le tableau des caractéristiques maximales peuvent endommager l'appareil. Si l'une de ces limites est dépassée, le fonctionnement de l'appareil ne doit pas être supposé, des dommages peuvent survenir et la fiabilité peut en être affectée.

Caractéristiques électriques

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
VF	Voltage avant	1.48	1.7	V. Le groupe	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Courant inverse	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Capacité totale	575		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
CQ	Charge Capacitive Totale	62		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Énergie de la Capacitance	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5