SiC MOSFET Génération 2 pour automobile 1200V 160mΩ

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Caractéristiques

Applications

Le schéma:

Diagramme des marquages :

Rating absolu maximum (TC=25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Conditions d'essai	Remarque
VDS	Tension Drain-Source	1200	V. Le groupe	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	Tension CC Maximale	-5 à 20	V. Le groupe	Statique (CC)
VGSmax (Pic)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V. Le groupe	Cycle d'occupation <1 %, et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension de mise en marche recommandée	18±0,5	V. Le groupe
VGSoff	Tension de mise hors tension recommandée	-3,5 à -2	V. Le groupe
ID	Courant drain (continu)	19	Une	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	Une	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (impulsé)	47	Une	Largeur d'impulsion limitée par la SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipation totale de puissance	136	Le	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	°C
Tj	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	°C
TL	Température de soudage	260	°C	soudure par vague uniquement autorisée aux pattes, 1,6 mm à partir de l'étui pendant 10 s

Données thermiques

Le symbole	Paramètre	valeur	unité	Remarque
Rθ(J-C)	Résistance thermique de la jonction à l'étui	1.1	°C/W	Fig. 25

Caractéristiques électriques (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.
IDSS	Courant drain à la tension zéro de la grille		5	100	μA	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de grille			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tension de seuil de porte	1.8	2.8	4.5	V. Le groupe	VGS =VDS, ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS, ID =2mA @ TJ =175°C
Ron	Résistance statique drain-source allumée		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss	Capacité d'entrée		575		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacité de sortie		34		PF
Crss	Capacité de transfert inverse		2.3		PF
Eoss	Énergie stockée dans Coss		14		μJ		Fig. 17
Le siège	Charge totale de la grille		29		NC	VDS = 800V, ID = 10A, VGS = -3 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge de la porte-source		6.6		NC
Qgd	Charge de la porte-drain		14.4		NC
Rg	Résistance d'entrée de la porte		10		Oh	f=1MHz
Eon	Énergie de commutation		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 à 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		22		μJ
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		2.5		N.S.
le	Il est temps de monter.		9.5
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement		7.3
Tf	Temps d'automne		11.0
Eon	Énergie de commutation		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 à 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
Je vous en prie.	Énergie de commutation de débranchement		19		μJ

Caractéristiques du diode inverse (TC = 25°C sauf indication contraire)

Le symbole	Paramètre	valeur			unité	Conditions d'essai	Remarque
Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité	Conditions d'essai	Remarque
VSD	Tension Directe de Diode		4.0		V. Le groupe	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tension Directe de Diode		3.7		V. Le groupe	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
le	Temps de récupération inverse		26		N.S.	VGS =-3,5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement inversés		92		NC
RSI	Courant de récupération inverse maximal		10.6		Une