MOSFET SiC automobile Gen1200, 160 V, 2 mΩ

Lieu d'origine:	Zhejiang
Nom de marque:	Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:	IV2Q12160T4Z
Attestation:	AEC-Q101

Quantité minimum:	450PCS
Prix:
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Fonctionnalités

Applications

Aperçu:

Diagramme de marquage :

Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Conditions d'essai	Notes
SDV	Tension drain-source	1200	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC)	Tension CC maximale	-5 à 20	V	Statique (CC)
VGSmax (Pointe)	Tension de pointe maximale	-10 à 23	V	Cycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSon	Tension d'activation recommandée	18 0.5 ±	V
VGSoff	Tension de coupure recommandée	-3.5 à -2	V
ID	Courant de drain (continu)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Courant de drain (pulsé)	47	A	Largeur d'impulsion limitée par SOA	Fig. 26
PTOT	Dissipation de puissance totale	136	W	CT =25°C	Fig. 24
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	° C
TJ	Température de jonction de fonctionnement	-55 à 175	° C
TL	Température de soudure	260	° C	soudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s

Données thermiques

Symbole	Paramètre	Propositions	Unité	Notes
Rθ(JC)	Résistance thermique de la jonction au boîtier	1.1	° C / W	Fig. 25

Caractéristiques électriques(TC = 25.C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
		Min.	Taper.	Max.
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle		5	100	A	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Courant de fuite de porte			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTE	Tension de seuil de porte	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS, ID = 2 mA	Figures 8, 9
			2.1			VGS = VDS, ID = 2 mA @ TJ = 175.C
RON	Source de drain statique activée - résistance		160	208	m	VGS = 18 V, ID = 5 A @TJ = 25.C	Figures 4, 5, 6, 7
			285		m	VGS = 18 V, ID = 5 A @TJ = 175.C
Ciss	Capacité d'entrée		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
coss	Capacité de sortie		34		pF
CRSS	Capacité de transfert inverse		2.3		pF
Eos	Coût de l'énergie stockée		14		µJ		Fig. 17
Qg	Frais d'entrée totaux		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 à 18V	Fig. 18
Qgs	Charge porte-source		6.6		nC
Qgd	Charge porte-vidange		14.4		nC
Rg	Résistance d'entrée de porte		10		Ω	f=1 MHz
EON	Énergie de commutation d'activation		115		µJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Figures 19, 20
EOFF	Couper l'énergie de commutation		22		µJ
td(on)	Délai de mise en marche		2.5		ns
tr	Temps de montée		9.5
td (off)	Délai de désactivation		7.3
tf	Temps de chute		11.0
EON	Énergie de commutation d'activation		194		µJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Couper l'énergie de commutation		19		µJ

Caractéristiques des diodes inverses(TC = 25.C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Propositions			Unité	Conditions d'essai	Notes
Symbole	Paramètre	Min.	Taper.	Max.	Unité	Conditions d'essai	Notes
VSD	Tension directe de la diode		4.0		V	ISD = 5A, VGS = 0V	Figures 10, 11, 12
VSD	Tension directe de la diode		3.7		V	ISD = 5A, VGS = 0V, TJ = 175.C	Figures 10, 11, 12
trr	Temps de récupération inversé		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Frais de recouvrement inversés		92		nC
IRRM	Courant de récupération inverse de pointe		10.6		A