علاوه بر این، ماسفتهای کربور سیلیکون دارای مزایای فراوانی نسبت به ماسفتهای مبتنی بر سیلیکون سنتی هستند. اول اینکه آنها کارآمدتر هستند زیرا مقاومت کمتری دارند و سرعت جابجایی سریع‌تر است. دوم، آنها نسبت به سلول‌های سنتی در برابر شکست در ولتاژ بالا مقاوم‌تر هستند که این موضوع آنها را مناسب کاربردهای ولتاژ بالا می‌سازد. سوم، آنها به دامنه گسترده‌ای از دما واکنش نشان می‌دهند و عملکرد آنها در این دامنه ثابت خواهد ماند - بنابراین آنها برای استفاده در محیطی که دماهای بالا وجود دارد انتخاب مناسبی هستند. در نهایت، با ساختار مهندسی قوی، آنها در کاربردهای بحرانی در محیط‌های سخت بسیار قابل اعتماد هستند.
هرچند ترانزیستورهای MOSFET سیلیکون کربید دارای بسیاری از مزایا هستند، اما با برخی محدودیت‌ها نیز همراهند. کاربردها: ترانزیستورهای MOSFET معمولی ارزان‌تر هستند و این موضوع آنها را در کاربردهایی که در آنها FETهای eGaN ممکن است خیلی گران باشند، یک راه‌حل جذاب می‌کند. علاوه بر این، آنها حساس هستند و نیاز به بسته‌بندی دقیق دارند، به این معنی که باید قبل از مونتاژ، ماشین‌کاری مناسب صورت گیرد. همچنین، آنها نیاز به مدار اندازه‌گیری متفاوتی برای MOSFETهای معمولی دارند و بنابراین طراحی مدارها باید تغییر کند. با این حال، این محدودیت‌ها نسبت به مزایایی که ترانزیستورهای MOSFET سیلیکون کربید ارائه می‌دهند، از جمله عملکرد با کارایی بالا و قابلیت اعتماد زیاد حتی در شرایط خیلی چالش‌برانگیز یا ثبات دمایی، کمتر اهمیت هستند.
رسیدن به مساف تابان سیلیکون کربنید (SiC) یا مساف تابان فلز اکسید نیم رسانا (MOSFET) انقلابی در صنعت الکترونیک قدرت ایجاد کرده است. مساف‌های SiC در جنبه‌های کارایی، قابلیت اعتماد و عملکرد در دمای بالا، همتایان معمولی سیلیکون (Si) خود را پشت سر گذاشته‌اند. این مقاله به بررسی مزایای مساف‌های SiC، حوزه‌های کاربردی آنها و چالش‌هایی که صنعت با آن مواجه است، می‌پردازد.
موسمفتهای SiC چندین مزیت نسبت به موسمفتهای Si دارند. اولین مزیت این است که نیمه‌رساناهاي SiC دارای باندگپ گسترده‌ای هستند که منجر به کاهش ازدیاد رسانایی و ولتاژ شکست بالا می‌شود. این ویژگی باعث کارایی بالا و کاهش تابش گرما نسبت به دستگاه‌های Si می‌شود. دوم، موسمفتهای SiC سرعت سوئیچینگ بالاتر و ظرفیت دروازه پایین‌تری دارند که می‌تواند عملکرد فرکانس بالا و کاهش ازدیاد سوئیچینگ را امکان‌پذیر سازد. سوم، موسمفتهای SiC دارای رسانایی گرمایی بالاتری هستند که باعث می‌شود مقاومت دستگاه کمتر باشد و عملکرد قابل اعتماد حتی در حالت‌های دمای بالا نیز ارائه دهد.
موسمفتهای SiC به طور گسترده در صنایع مختلفی از جمله خودرو، فضایی، تولید انرژی و انرژی تجدیدپذیر مورد استفاده قرار گرفته‌اند. صنعت خودرو یکی از بزرگترین پذیرندگان این دستگاه‌ها بوده است. سرعت‌های بالا در جابجایی و کاهش زیاد در ضیاعات، توسعه وسایل نقلیه الکتریکی کارآمدتر با محدوده بیشتر و شارژ سریع‌تر را ممکن ساخته است. در صنعت فضایی، استفاده از موسمفتهای SiC منجر به کاهش وزن و افزایش قابلیت اطمینان شده است که این موضوع منجر به صرفه‌جویی در سوخت و افزایش مدت زمان پرواز شده است. همچنین، موسمفتهای SiC بهره‌برداری کارآمد از منابع تجدیدپذیر مانند خورشید و باد را ممکن ساخته است که این موضوع منجر به کاهش اثرپا کربنی و تأثیرات محیط زیستی شده است.
استفاده از ماسفتهای SiC هنوز توسط چندین چالش محدود شده است. اولینا، این دستگاه‌ها نسبت به رقیب‌های معمولی سیخودانی با قیمت بالاتر هستند که این موضوع اتخاذ آنها در مقیاس بزرگ را محدود می‌کند. دومینا، عدم دسترسی به راه‌حل‌های بسته‌بندی استاندارد و مدارهای راننده گیت، مانع تولید انبوه آنهاست. سومینا، قابلیت اطمینان دستگاه‌های SiC، به خصوص تحت عملیات فشار الکتریکی بالا و دمای بالا، باید بررسی و حل شود.
کنترل کیفیت کلیه SiC MOSFET در آزمایشگاه‌های حرفه‌ای با بررسی‌های استاندارد بالا.
ارائه به مشتریان محصولات و خدمات SiC MOSFET با کیفیت بالا در کمترین هزینه.
کمک به توصیه طراحی شما در صورت دریافت محصولات معیوب SiC MOSFET و حل مسائل مربوط به محصولات Allswell. پشتیبانی فنی Allswell در دسترس است.
تیم تحلیل‌گر تجربه‌دار که اطلاعات جدیدترین درباره SiC MOSFET و توسعه زنجیره صنعتی را ارائه می‌دهد.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
