IV1B12013HA1L – MÓDULO SiC 1200V 13mohm Solar

Lugar de origen:	Zhejiang
Marca:	Tecnología Inventchip
Número de modelo:	IV1B12013HA1L
Titulación:	AEC-Q101

Características

• Alto voltaje de bloqueo con baja resistencia

• Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

• Capacidad de alta temperatura de unión operativa

• Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.

Aplicaciones

• Aplicaciones solares

• Sistema UPS

• Conductores de motor

• Convertidores CC/CC de alto voltaje

PREMIUM

Diagrama de marcado

Índices absolutos máximos(TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto	Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
VDS	Voltaje drenaje-fuente	1200	V
VGSmáx (CC)	Tensión CC máxima	-5 hasta 22	V	Estático (CC)
VGSmáx (pico)	Tensión máxima de pico	-10 a 25	V	<1% de ciclo de trabajo y ancho de pulso <200 ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	20±0.5	V
VGS apagado	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	V
ID	Corriente de drenaje (continua)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corriente de drenaje (pulsada)	204	A	Ancho de pulso limitado por SOA	Fig.26
PTO	Disipación total de la energía	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-40 a 150	° C
TJ	Temperatura máxima de unión virtual en condiciones de conmutación	-40 a 150	° C	Operación
		-55 a 175	° C	Intermitente con vida reducida

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Value alto	Unidad	Nota
Rθ(JH)	Resistencia térmica desde la unión hasta el disipador de calor	0.596	° C / W	Fig.25

Características eléctricas(TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto			Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero		10	200	µA	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Corriente de fuga de puerta			± 200	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
TARJETA VTH	Voltaje de umbral	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, identificación =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID =24mA @ TC =150。C
RON	Resistencia estática de la fuente de drenaje		12.5	16.3	mΩ	VGS = 20 V, ID = 80 A @TJ = 25。C	Figura 4-7
			18		mΩ	VGS = 20 V, ID = 80 A @TJ = 150。C
Ciss	Capacitancia de entrada		11		nF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VCA = 25 mV	Fig.16
coss	Capacitancia de salida		507		pF
crss	capacitancia de transferencia inversa		31		pF
Eoss	Coss energía almacenada		203		µJ		Fig.17
Qg	Cargo total de puerta		480		nC	VDS = 800 V, ID = 80 A, VGS = -5 a 20 V	Fig.18
preguntas	Carga de fuente de puerta		100		nC
Qgd	Carga de drenaje de compuerta		192		nC
Rg	Resistencia de entrada de puerta		1.0		Ω	f=100kHZ
EON	Encender la energía de conmutación		783		µJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Figura 19-22
E-OFF	Apagar la energía de conmutación		182		µJ
td (encendido)	Tiempo de retardo de encendido		30		ns
tr	Hora de levantarse		5.9
td (apagado)	Tiempo de retraso de apagado		37
tf	Otoño		21
LsCE	Inductancia parásita		7.6		nH

Características del diodo inverso(TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto			Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
VSD	Tensión directa del diodo		4.9		V	ISD = 80 A, VGS = 0 V	Figura 10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tiempo de recuperación inverso		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
qrr	Cargo de recuperación inversa		1095		nC
IRRM	Corriente máxima de recuperación inversa		114		A

Características del termistor NTC

Símbolo	Parámetro	Value alto			Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
		Min.	Tipo.	Max.
RNTC	Resistencia nominal		5		kW	TNTC = 25 ℃	Fig.27
ΔR/R	Tolerancia de resistencia a 25 ℃	-5		5	%
β25/50	Valor beta		3380		K	± 1%
Pmax	Disipación de potencia		5		mW

Rendimiento típico (curvas)

         

Dimensiones del paquete (mm)