MOSFET DE SiC

MOSFET de SiC automotriz Gen650 de 25V y 2mΩ

Introducción

Introducción

Lugar de origen:	Zhejiang
Marca:	Tecnología Inventchip
Número de modelo:	IV2Q06025T4Z
Titulación:	AEC-Q101

Características

Tecnología MOSFET SiC de 2.ª generación con
Unidad de puerta de +18 V
Alto voltaje de bloqueo con baja resistencia
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Capacidad de alta temperatura de unión operativa
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.
La entrada de puerta Kelvin facilita el diseño del circuito del controlador

Aplicaciones

Conductores de motor
Inversores solares
Convertidores CC/CC para automoción
Inversores de compresores para automóviles
Fuentes de alimentación conmutadas

Esquema:

imagen

Diagrama de marcado:

Índices absolutos máximos(TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto	Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
VDS	Voltaje drenaje-fuente	650	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmáx (CC)	Tensión CC máxima	-5 hasta 20	V	Estático (CC)
VGSmáx (pico)	Tensión máxima de pico	-10 a 23	V	Ciclo de trabajo <1% y ancho de pulso <200 ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	18±0.5	V
VGS apagado	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	V
ID	Corriente de drenaje (continua)	99	A	VGS = 18 V, TC = 25 °C	Figura 23
		72	A	VGS = 18 V, TC = 100 °C
IDM	Corriente de drenaje (pulsada)	247	A	Ancho de pulso limitado por SOA	Figura 26
PTO	Disipación total de la energía	454	W	CT = 25°C	Figura 24
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 175	° C
TJ	Temperatura de unión de funcionamiento	-55 a 175	° C
TL	Temperatura de soldadura	260	° C	La soldadura por ola solo se permite en cables, a 1.6 mm de la caja durante 10 s.

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Value alto	Unidad	Nota
Rθ(JC)	Resistencia térmica desde la unión hasta la caja	0.33	° C / W	Figura 25

Características eléctricas(TC = 25。C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto			Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
Símbolo	Parámetro	Min.	Tipo.	Max.	Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero		3	100	µA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
IGSS	Corriente de fuga de puerta			± 100	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
TARJETA VTH	Voltaje de umbral	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, identificación =12mA	Figuras 8, 9
TARJETA VTH	Voltaje de umbral		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175。C	Figuras 8, 9
RON	Resistencia estática de la fuente de drenaje		25	33	mΩ	VGS = 18 V, ID = 40 A @TJ = 25。C	Figuras 4, 5, 6, 7
RON	Resistencia estática de la fuente de drenaje		38		mΩ	VGS = 18 V, ID = 40 A @TJ = 175。C	Figuras 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacitancia de entrada		3090		pF	VDS=600V, VGS=0V, f=1MHz, VCA=25mV	Figura 16
coss	Capacitancia de salida		251		pF
crss	capacitancia de transferencia inversa		19		pF
Eoss	Coss energía almacenada		52		µJ		Figura 17
Qg	Cargo total de puerta		125		nC	VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -3 a 18 V	Figura 18
preguntas	Carga de fuente de puerta		35.7		nC
Qgd	Carga de drenaje de compuerta		38.5		nC
Rg	Resistencia de entrada de puerta		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Encender la energía de conmutación		218.8		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figuras 19, 20
E-OFF	Apagar la energía de conmutación		95.0		µJ
td (encendido)	Tiempo de retardo de encendido		12.9		ns
tr	Hora de levantarse		26.5
td (apagado)	Tiempo de retraso de apagado		23.2
tf	Otoño		11.7
EON	Encender la energía de conmutación		248.5		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Figura 22
E-OFF	Apagar la energía de conmutación		99.7		µJ		Figura 22

Características del diodo inverso(TC = 25。C a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Value alto			Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
Símbolo	Parámetro	Min.	Tipo.	Max.	Unidad	Condiciónes de la prueba	Nota
VSD	Tensión directa del diodo		3.7		V	ISD = 20 A, VGS = 0 V	Figuras 10, 11, 12
VSD	Tensión directa del diodo		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figuras 10, 11, 12
trr	Tiempo de recuperación inverso		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
qrr	Cargo de recuperación inversa		195.3		nC
IRRM	Corriente máxima de recuperación inversa		20.2		A