SiC MOSFET

SiC MOSFET Gen2 Automotriz de 650V 25mΩ

Introducción

Introducción

Lugar de origen:	Zhejiang
Nombre de la Marca:	Inventchip Technology
Número de modelo:	IV2Q06025T4Z
Certificación:	AEC-Q101

Características

Tecnología de MOSFET de SiC de 2ª generación con
+18V voltaje de puerta
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido
Conmutación rápida con baja capacitancia
Alta capacidad de temperatura de unión operativa
Diodo intrínseco muy rápido y robusto
Entrada de puerta Kelvin que facilita el diseño del circuito del controlador

Aplicaciones

Conducidores de automóviles
Inversores solares
Convertidores DC/DC automotrices
Inversores de compresor automotriz
Fuentes de Alimentación en Modo Conmutado

Esquema:

Diagrama de marcado:

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	650	v	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	tensión máxima en CC	-5 a 20	v	Estatico (CC)
VGSmax (Pico)	Voltaje de pico máximo	-10 a 23	v	Ciclo de trabajo <1%, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	18±0.5	v
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	v
id	Corriente del drenador (continua)	99	A. El	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A. El	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	247	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA	Fig. 26
Ptot	Disipación total de potencia	454	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C
ES	Temperatura de soldadura	260	°C	soldering only allowed at leads, 1.6mm from case for 10 s

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Nota
Rθ(J-C)	Resistencia térmica desde la unión hasta el caso	0.33	°C/W	Fig. 25

Características Eléctricas (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		3	100	MA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	2.8	4.5	v	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Voltagem de umbral de la puerta		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
¿ Qué pasa?	Resistencia de drenaje-fuente estática en estado de encendido		25	33	MΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
¿ Qué pasa?			38		MΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacidad de entrada		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacidad de salida		251		PF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		19		PF
Eoss	Energía almacenada en Coss		52		μJ		Fig. 17
El número de	Carga total de la puerta		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		35.7		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		38.5		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		1.5		Ω	f=1MHz
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		95.0		μJ
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		12.9		El Consejo
tr	Tiempo de ascenso		26.5
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		23.2
TF	Tiempo de caída		11.7
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		99.7		μJ		Fig. 22

Características del diodo inverso (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		3.7		v	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		3.5		v	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tiempo de recuperación inversa		32		El Consejo	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		195.3		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		20.2		A. El