Inversores solares de SiC MOSFET de 1700V 1000mΩ

Características

Tecnología de 2ª Generación de MOSFET de SiC con voltaje de puerta entre +15~+18V
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido
Conmutación rápida con baja capacitancia
Capacidad de temperatura de unión operativa de 175℃
Diodo intrínseco ultra rápido y robusto
Entrada de puerta Kelvin que facilita el diseño del circuito del controlador
AEC-Q101 cualificado

Aplicaciones

Esquema:

Diagrama de marcado:

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	1700	v	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transitorio)	Voltaje de pico máximo	-10 a 23	v	Ciclo de trabajo <1%, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	15 a 18	v
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-5 a -2	v	Valor típico -3.5V
id	Corriente del drenador (continua)	6.3	A. El	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A. El	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	15.7	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA y Rθ(J-C) dinámico	Fig. 25, 26
ISM	Corriente del diodo de cuerpo (pulsada)	15.7	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA y Rθ(J-C) dinámico	Fig. 25, 26
Ptot	Disipación total de potencia	73	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Nota
Rθ(J-C)	Resistencia térmica desde la unión hasta el caso	2.05	°C/W	Fig. 25

Características Eléctricas (TC =25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
		Mín.	Es el tipo.	Máx.
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		1	10	MA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	3.0	4.5	v	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		v	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
¿ Qué pasa?	Resistencia estática de drenaje-fuente encendida		700 1280	910	MΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	MΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Capacidad de entrada		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacidad de salida		15.3		PF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		2.2		PF
Eoss	Energía almacenada en Coss		11		μJ		Fig. 17
El número de	Carga total de la puerta		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		2.7		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		12.5		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		13		Ω	f=1MHz
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V a 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		17.0		μJ
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		4.8		El Consejo
tr	Tiempo de ascenso		13.2
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		12.0
TF	Tiempo de caída		66.8
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V a 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Características del diodo inverso (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.0		v	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		3.8		v	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
es	Corriente continua hacia adelante del diodo			11.8	A. El	VGS =-2V, TC =25。C
es	Corriente continua hacia adelante del diodo			6.8	A. El	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Tiempo de recuperación inversa		20.6		El Consejo	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		54.2		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		8.2		A. El