| Lugar de origen: | Shanghai |
| Marca: | Tecnología Inventchip |
| Número de modelo: | IV2Q12040T4Z |
| Titulación: | AEC-Q101 |
Caracteristicas
2ndTecnología MOSFET de generación SiC con
+15~+18V accionamiento de puerta
Alto voltaje de bloqueo con baja resistencia
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Capacidad de temperatura de unión operativa de 175 °C
Diodo de cuerpo intrínseco ultrarrápido y robusto
La entrada de puerta Kelvin facilita el diseño del circuito del controlador
AEC-Q101 calificado
Aplicaciones
Cargadores de vehículos eléctricos y OBC
Impulsores solares
Inversores de compresores para automóviles
Fuentes de alimentación de CA/CC
Esquema:
Diagrama de marcado:
Índices absolutos máximos(TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Value alto | Unidad | Condiciónes de la prueba | Nota |
| VDS | Voltaje drenaje-fuente | 1200 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
| VGSmáx (transitorio) | Tensión transitoria máxima | -10 a 23 | V | Ciclo de trabajo <1% y ancho de pulso <200 ns | |
| VGSon | Voltaje de encendido recomendado | 15 hasta 18 | V | ||
| VGS apagado | Voltaje de apagado recomendado | -5 a -2 | V | Típico -3.5 V | |
| ID | Corriente de drenaje (continua) | 65 | A | VGS = 18 V, TC = 25 °C | Figura 23 |
| 48 | A | VGS = 18 V, TC = 100 °C | |||
| IDM | Corriente de drenaje (pulsada) | 162 | A | Ancho de pulso limitado por SOA y Rθ(JC) dinámico | Figuras 25, 26 |
| ISM | Corriente del diodo del cuerpo (pulsada) | 162 | A | Ancho de pulso limitado por SOA y Rθ(JC) dinámico | Figuras 25, 26 |
| PTO | Disipación total de la energía | 375 | W | CT = 25°C | Figura 24 |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 175 | ° C | ||
| TJ | Temperatura de unión de funcionamiento | -55 a 175 | ° C | ||
| TL | Temperatura de soldadura | 260 | ° C | La soldadura por ola solo se permite en cables, a 1.6 mm de la caja durante 10 s. |
Datos termales
| Símbolo | Parámetro | Value alto | Unidad | Nota |
| Rθ(JC) | Resistencia térmica desde la unión hasta la caja | 0.4 | ° C / W | Figura 25 |
Características eléctricas (TC = 25。C a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Value alto | Unidad | Condiciónes de la prueba | Nota | ||
| Min. | Tipo. | Max. | |||||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero | 5 | 100 | µA | VDS = 1200 V, VGS = 0 V | ||
| IGSS | Corriente de fuga de puerta | ± 100 | nA | VDS = 0V, VGS = -5~20V | |||
| TARJETA VTH | Voltaje de umbral | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS = VDS, ID = 9 mA | Figuras 8, 9 |
| 2.1 | VGS =VDS, ID =9mA @ TJ =175。C | ||||||
| RON | Drenaje estático-fuente encendida - resistencia | 40 | 52 | mΩ | VGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 25。C | Figuras 4, 5, 6, 7 | |
| 75 | mΩ | VGS = 18 V, ID = 20 A @TJ = 175。C | |||||
| 50 | 65 | mΩ | VGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 25。C | ||||
| 80 | mΩ | VGS = 15 V, ID = 20 A @TJ = 175。C | |||||
| Ciss | Capacitancia de entrada | 2160 | pF | VDS=800V, VGS=0V, f=1MHz, VCA=25mV | Figura 16 | ||
| coss | Capacitancia de salida | 100 | pF | ||||
| crss | capacitancia de transferencia inversa | 5.8 | pF | ||||
| Eoss | Coss energía almacenada | 40 | µJ | Figura 17 | |||
| Qg | Cargo total de puerta | 110 | nC | VDS = 800 V, ID = 30 A, VGS = -3 a 18 V | Figura 18 | ||
| preguntas | Carga de fuente de puerta | 25 | nC | ||||
| Qgd | Carga de drenaje de compuerta | 59 | nC | ||||
| Rg | Resistencia de entrada de puerta | 2.1 | Ω | f=1MHz | |||
| EON | Encender la energía de conmutación | 446.3 | µJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Figuras 19, 20 | ||
| E-OFF | Apagar la energía de conmutación | 70.0 | µJ | ||||
| td (encendido) | Tiempo de retardo de encendido | 9.6 | ns | ||||
| tr | Hora de levantarse | 22.1 | |||||
| td (apagado) | Tiempo de retraso de apagado | 19.3 | |||||
| tf | Otoño | 10.5 | |||||
| EON | Encender la energía de conmutación | 644.4 | µJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C | Figura 22 | ||
| E-OFF | Apagar la energía de conmutación | 73.8 | µJ | ||||
Características del diodo inverso (TC = 25。C a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Value alto | Unidad | Condiciónes de la prueba | Nota | ||
| Min. | Tipo. | Max. | |||||
| VSD | Tensión directa del diodo | 4.2 | V | ISD = 20 A, VGS = 0 V | Figuras 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| IS | Corriente directa del diodo (continua) | 63 | A | VGS =-2V, TC =25。C | |||
| 36 | A | VGS =-2V, TC=100。C | |||||
| trr | Tiempo de recuperación inverso | 42.0 | ns | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| qrr | Cargo de recuperación inversa | 198.1 | nC | ||||
| IRRM | Corriente máxima de recuperación inversa | 17.4 | A | ||||
Rendimiento típico (curvas)
Dimensiones del paquete
Nota:
1. Referencia del paquete: JEDEC TO247, variación AD
2. Todas las dimensiones están en mm.
3. Se requiere ranura, la muesca puede ser redondeada
4. Las dimensiones D y E no incluyen la rebaba del molde
5. Sujeto a cambios sin previo aviso
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
