SiC MOSFET

SiC MOSFET Gen2 Automotriz de 1200V 40mΩ

Introducción

Introducción

Lugar de origen:	Shanghái
Nombre de la Marca:	Inventchip Technology
Número de modelo:	IV2Q12040T4Z
Certificación:	AEC-Q101

Características

2^yTecnología de MOSFET de SiC de Generación con
+15~+18V de conducción de puerta
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido
Conmutación rápida con baja capacitancia
Capacidad de temperatura de unión operativa de 175°C
Diodo intrínseco ultra rápido y robusto
Entrada de puerta Kelvin que facilita el diseño del circuito del controlador
AEC-Q101 cualificado

Aplicaciones

Cargadores EV y OBCs
Impulsores solares
Inversores de compresor automotriz
Fuentes de alimentación AC/DC

Esquema:

Diagrama de marcado:

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	1200	v	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transitorio)	Voltaje transitorio máximo	-10 a 23	v	Ciclo de trabajo <1%, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	15 a 18	v
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-5 a -2	v	Típico -3.5V
id	Corriente del drenador (continua)	65	A. El	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
id	Corriente del drenador (continua)	48	A. El	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	162	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA y Rθ(J-C) dinámico	Fig. 25, 26
ISM	Corriente del diodo de cuerpo (pulsada)	162	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA y Rθ(J-C) dinámico	Fig. 25, 26
Ptot	Disipación total de potencia	375	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C
ES	Temperatura de soldadura	260	°C	soldering only allowed at leads, 1.6mm from case for 10 s

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	valor	unidad	Nota
Rθ(J-C)	Resistencia térmica desde la unión hasta el caso	0.4	°C/W	Fig. 25

Características Eléctricas (TC = 25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		5	100	MA	VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	2.8	4.5	v	VGS =VDS, ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Voltagem de umbral de la puerta		2.1			VGS =VDS, ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
¿ Qué pasa?	Resistencia estática de drenaje-fuente encendida		40	52	MΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		MΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	MΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		MΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Capacidad de entrada		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacidad de salida		100		PF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		5.8		PF
Eoss	Energía almacenada en Coss		40		μJ		Fig. 17
El número de	Carga total de la puerta		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		25		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		59		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		2.1		Ω	f=1MHz
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		70.0		μJ
En el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		9.6		El Consejo
tr	Tiempo de ascenso		22.1
El número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		19.3
TF	Tiempo de caída		10.5
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		73.8		μJ		Fig. 22

Características del Diodo Inverso (TC =25。C salvo que se indique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor			unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.2		v	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.0		v	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
es	Corriente continua hacia adelante del diodo			63	A. El	VGS =-2V, TC =25。C
es	Corriente continua hacia adelante del diodo			36	A. El	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Tiempo de recuperación inversa		42.0		El Consejo	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		198.1		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		17.4		A. El