SiC SBD

1200V 40A Diodo Schottky de SiC Automotriz

Introducción

Introducción

Lugar de origen:	Zhejiang
Nombre de la Marca:	Inventchip Technology
Número de modelo:	IV1D12040U3Z
Certificación:	AEC-Q101 cualificado

Cantidad mínima de empaquetado:	450 unidades
Precio:
Detalles de Empaque:
Tiempo de entrega:
Términos de pago:
Capacidad de suministro:

Características

Temperatura Máxima de la Unión 175°C
Alta Capacidad de Corriente Sobrecargada
Corriente de Recuperación Inversa Cero
Voltaje de Recuperación Directa Cero
operación de alta frecuencia
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Coeficiente de Temperatura Positivo en VF
AEC-Q101 cualificado

Aplicaciones

Diodos de Rueda Libre para Inversores Automotrices
Puntos de carga para vehículos eléctricos
Vienna PFC de Tres Fases
Impulso de Energía Solar
Fuentes de Alimentación en Modo Conmutado

Esquema

Diagrama de Marcado

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor	unidad
VIRM	Voltaje inverso (pico repetitivo)	1200	v
Vdc	Voltaje de bloqueo DC	1200	v
IF	Corriente directa (continua) @Tc=25°C	54*	A. El
	Corriente directa (continua) @Tc=135°C	28*	A. El
	Corriente directa (continua) @Tc=151°C	20*	A. El
El IFSM	Aparece corriente directa no repetitiva (media onda de seno) @Tc=25°C tp=10ms	140*	A. El
El número de personas	Corriente directa repetitiva (Freq=0.1Hz, 100 ciclos) media onda de seno @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A. El
Ptot	Disipación total de potencia @ Tc=25°C	272*	W
	Disipación total de potencia @ Tc=150°C	45*
	Valor I2t @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Rango de temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C

*Por pierna

Los esfuerzos que superen los valores enumerados en la tabla de Clasificaciones Máximas pueden dañar el dispositivo. Si se supera cualquiera de estos límites, no se debe asumir la funcionalidad del dispositivo, puede ocurrir daño y la confiabilidad puede verse afectada.

La funcionalidad no debe ser asumida, puede ocurrir daño y la confiabilidad puede verse afectada.

Características Eléctricas

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VF	Voltaje de Adelante	1.48*	1.8*	v	IF = 20 A TJ = 25°C	Fig. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Corriente inversa	10*	200*	MA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Capacitancia Total	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Control de calidad	Carga Capacitiva Total	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Energía Almacenada en la Capacitancia	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5