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Módulo de SiC

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Módulo de SiC

1200V 25mohm MÓDULO SiC Controladores de motores
1200V 25mohm MÓDULO SiC Controladores de motores

1200V 25mohm MÓDULO SiC Controladores de motores

  • Introducción

Introducción

Lugar de origen: Zhejiang
Nombre de la Marca: Inventchip Technology
Número de modelo: IV1B12025HC1L
Certificación: AEC-Q101


Características

  • Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido

  • Conmutación rápida con baja capacitancia

  • Alta capacidad de temperatura de unión operativa

  • Diodo intrínseco muy rápido y robusto


Aplicaciones

  • Aplicaciones solares

  • sistema UPS

  • Conducidores de automóviles

  • Convertidores DC/DC de alta tensión


Embalaje

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Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro valor unidad Condiciones de ensayo Nota
VDS Voltaje de drenaje-fuente 1200v VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (CC) tensión máxima en CC -5 a 22 v Estatico (CC)
VGSmax (Pico) Voltaje de pico máximo -10 a 25 v <1% ciclo de trabajo, y ancho de pulso <200ns
VGSon Voltaje recomendado para encendido 20±0.5 v
VGSoff Voltaje de apagado recomendado -3.5 a -2 v
id Corriente del drenador (continua) 74A. El VGS =20V, TC =25°C
50A. El VGS =20V, TC =94°C
IDM Corriente del drenador (pulsada) 185A. El Anchura de pulso limitada por SOA Fig.26
Ptot Disipación total de potencia 250W TC =25°C Fig.24
TSTG Rango de Temperatura de Almacenamiento -40 a 150 °C
Tj Temperatura máxima del junta virtual bajo condiciones de conmutación -40 a 150 °C Operación
-55 a 175 °C Intermitente con vida útil reducida


Datos térmicos

El símbolo Parámetro valor unidad Nota
Rθ(J-C) Resistencia térmica desde la unión hasta el caso 0.5°C/W Fig.25


Características Eléctricas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro valor unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
IDSS Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta 10200MA VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS Corriente de fuga de la puerta 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Voltagem de umbral de la puerta 3.2v VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
¿ Qué pasa? Resistencia estática de drenaje-fuente encendida 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Capacidad de entrada 5.5NF (número de trabajo) VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Fig.16
Coss Capacidad de salida 285PF
Crss Capacidad de transferencia inversa 20PF
Eoss Energía almacenada en Coss 105μJ Fig.17
El número de Carga total de la puerta 240nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 a 20V Fig.18
Qgs Carga de la puerta-fuente 50nC
Qgd Carga de la puerta-drenador 96nC
Rg Resistencia de entrada de la puerta 1.4Ω f=100kHZ
El EON Energía de Conmutación de Encendido 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
El número de personas Energía de Conmutación de Apagado 135μJ
En el momento en que se inicia Tiempo de retraso de encendido 15El Consejo
tr Tiempo de ascenso 4.1
El número de teléfono Tiempo de retraso de apagado 24
TF Tiempo de caída 17
LsCE Inductividad de alejamiento 8.8nH


Características del diodo inverso (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro valor unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
VSD Voltado del diodo hacia adelante 4.9v ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5v ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Tiempo de recuperación inversa 18El Consejo VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
¿Qué es eso? Carga de Recuperación Inversa 1068nC
MIRR Corriente de recuperación inversa pico 96.3A. El


Características del Termistor NTC

El símbolo Parámetro valor unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
RNTC Resistencia nominal 5TNTC = 25℃ Fig. 27
ΔR/R Tolerancia de Resistencia a 25℃ -55%
β25/50 Valor Beta 3380K ±1%
Pmax disipación de potencia 5mW


Rendimiento típico (curvas)

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Dimensiones del Envoltorio (mm)

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Notas


Para más información, por favor contacte la Oficina de Ventas de IVCT.

Derechos de autor © 2022 InventChip Technology Co., Ltd. Todos los derechos reservados.

La información en este documento está sujeta a cambios sin previo aviso.


Enlaces relacionados


http://www.inventchip.com.cn


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