SiC SBD

1200V 10A Diodo Schottky de SiC Convertidores AC/DC

Introducción

Introducción

Lugar de origen:	Zhejiang
Nombre de la Marca:	Inventchip Technology
Número de modelo:	IV1D12010T2
Certificación:

Cantidad mínima de empaquetado:	450 unidades
Precio:
Detalles de Empaque:
Tiempo de entrega:
Términos de pago:
Capacidad de suministro:

Características

Temperatura Máxima de la Unión 175°C
Alta Capacidad de Corriente Sobrecargada
Corriente de Recuperación Inversa Cero
Voltaje de recuperación directa cero
operación de alta frecuencia
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Coeficiente de Temperatura Positivo en VF

Aplicaciones

Impulso de Energía Solar
Diodos de Rueda Libre para Inversores
Vienna PFC de Tres Fases
Convertidores AC/DC
Fuentes de Alimentación en Modo Conmutado

Esquema

Diagrama de Marcado

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	valor	unidad
VIRM	Voltaje inverso (pico repetitivo)	1200	v
Vdc	Voltaje de bloqueo DC	1200	v
IF	Corriente directa (continua) @Tc=25°C	30	A. El
	Corriente directa (continua) @Tc=135°C	15.2	A. El
	Corriente directa (continua) @Tc=155°C	10	A. El
El IFSM	Aparece corriente directa no repetitiva (media onda de seno) @Tc=25°C tp=10ms	72	A. El
El número de personas	Corriente directa repetitiva (Freq=0.1Hz, 100 ciclos) media onda de seno @Tamb =25°C tp=10ms	56	A. El
Ptot	Disipación total de potencia @ Tc=25°C	176	W
	Disipación total de potencia @ Tc=150°C	29
	Valor I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Rango de temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C

Los esfuerzos que superen los indicados en la tabla de Clasificaciones Máximas pueden dañar el dispositivo. Si se supera cualquiera de estos límites, no se debe suponer que el dispositivo funcionará correctamente, puede producirse daño y su fiabilidad puede verse afectada.

Características Eléctricas

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VF	Voltaje de Adelante	1.48	1.7	v	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Corriente inversa	1	100	MA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Capacitancia Total	575		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Control de calidad	Carga Capacitiva Total	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Energía Almacenada en la Capacitancia	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5