SiC Μονάδα

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Ηλιακή ενέργεια

Εισαγωγή

Εισαγωγή

Τόπος προέλευσης:	Zhejiang
Όνομα Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV1B12013HA1L
Πιστοποίηση:	AEC-Q101

Χαρακτηριστικά

Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης
Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα
Υψηλή δυνατότητα λειτουργίας σε υψηλή θερμοκρασία συνδέσεως
Πολύ γρήγορο και αξιόπιστο ενδογενές σώμα διόδου

Εφαρμογές

Ηλιακές Εφαρμογές
σύστημα ups
Οδηγοί μοτέρ
Μετατροπείς Ύψος Τάσης DC/DC

Συσκευασία

Διάγραμμα Σημειώσεων

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία	μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VDS	Τασή Drain-Source	1200	V
VGSmax (DC)	μέγιστη τάση συνεχούς	-5 με 22	V	Στατικό (DC)
VGSmax (Σπίκ)	Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος	-10 με 25	V	<1% κύκλος εργασίας, και πλάτος σήματος <200ns
VGSon	Συνιστώμενη θερμοκρασία ενεργοποίησης	20±0.5	V
VGSoff	Συνιστώμενη θερμοκρασία απενεργοποίησης	-3.5 μέχρι -2	V
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	96	Α	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	Α	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Ρεύμα δρενού (διακοπτό)	204	Α	Πλάτος διαδοχικού περιορισμένο από το SOA	Σχ.26
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας	210	W	Tvj≤150℃	Σχ.24
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-40 μέχρι 150	°C
Tj	Μέγιστη εικονική θερμοκρασία κατόπιν υπό συνθήκες διακοπής	-40 μέχρι 150	°C	Λειτουργία
Tj	Μέγιστη εικονική θερμοκρασία κατόπιν υπό συνθήκες διακοπής	-55 μέχρι 175	°C	Διαδραματικά με μειωμένη ζωή

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία	μονάδα	Σημείωση
Rθ(J-H)	Θερμική Αντίσταση από το Κατόπιν ως το Φρεάτι	0.596	°C/W	Σχ.25

ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία			μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
IDSS	Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης		10	200	μΑ	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Ρεύμα εξαγωγής πύλης			±200	ΟΧΙ	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Κεφ.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
τράβα	Ημιτροπική αντίσταση μεταξύ δρεν και πηγής		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Κεφ.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Εισαγωγική ικανότητα		11		Εθνική Οικονομική Χώρα	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Σχήμ.16
Coss	Έξοδος ικανότητας		507		PF
Crss	Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα		31		PF
Eoss	Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss		203		μJ		Σχήμ.17
Qg	Συνολικό φορτίο πύλης		480		NC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 με 20V	Σχήμ.18
Qgs	Φορτίο πύλης-πηγής		100		NC
Qgd	Φορτίο πύλης-διακόμβων		192		NC
Rg	Αντίσταση εισόδου πύλης		1.0		Ω	f=100kHz
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 έως 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Σχ.19-22
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		182		μJ
td(εν)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης		30		NS
ΤΡ	Χρόνος ανύψωσης		5.9
td(απ)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		37
TF	Χρόνος πτώσης		21
LsCE	Αλλοτριοδύναμη ενδοφάση		7.6		Επ.

Χαρακτηριστικά αντίστροφου διόδου (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία			μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
Σύμβολο	Παράμετρος	Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.	μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Σχ.10- 12
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C	Σχ.10- 12
trr	Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης		17.4		NS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/μs, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		1095		NC
IRRM	Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		114		Α

Ιδιότητες Θερμοστατικού NTC

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία			μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
RNTC	Κανονική Αντίσταση		5		kΩ	TNTC =25℃	Σχ.27
ΔR/R	Ανερέσεις Αντοχής στα 25℃	-5		5	%
β25/50	Τιμή Beta		3380		Κ	±1%
Pmax	δαπάνη ενέργειας		5		mw