SiC MOSFET 1700V 1000mΩ Για Φωτοβολταϊκούς Μετατροπείς

Τόπος προέλευσης:	Zhejiang
Όνομα Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV2Q171R0D7Z
Πιστοποίηση:	Προσαρμογή AEC-Q101

Χαρακτηριστικά

• Τεχνολογία 2ης Γενιάς SiC MOSFET με +15~+18V οδηγό πύλης

• Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης

• Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα

• Δυνατότητα λειτουργίας σε θερμοκρασία φυσικής ενόπλωσης 175℃

• Εξαιρετικά γρήγορος και δυνατός ενδογενής παραγωγικός διόδος

• Είσοδος πύλης Kelvin επιτρέποντας εύκολη σχεδίαση κυκλώματος κιβώτιου

• Προσαρμογή AEC-Q101

Εφαρμογές

• Ηλιακοί μετατροπείς

• Βοηθητικές παροχές δυναμικής

• Εφοδιαστές Δυναμικής Σε Κύματα Αλλαγής

• Έξυπνα μετρητά

Περίγραμμα:

 

Διάγραμμα Σημειώσεων:

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία	μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VDS	Τασή Drain-Source	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Προσωρινό)	Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος	-10 έως 23	V	Συντελεστής εργασίας <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns
VGSon	Συστεματική θέση ενεργοποίησης	15 έως 18	V
VGSoff	Συστεματική θέση απενεργοποίησης	-5 έως -2	V	Τυπική τιμή -3.5V
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	6.3	Α	VGS =18V, TC =25°C	Σχήμ. 23
		4.8	Α	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Ρεύμα δρενού (διακοπτό)	15.7	Α	Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)	Σχήμ. 25, 26
ISM	Ρεύμα διόδου σώματος (διακοπτό)	15.7	Α	Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)	Σχήμ. 25, 26
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας	73	W	ΤΚ = 25°C	Σχ. 24
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 μέχρι 175	°C
Tj	Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης	-55 μέχρι 175	°C

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία	μονάδα	Σημείωση
Rθ(J-C)	Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη	2.05	°C/W	Σχ. 25

ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TC = 25°C εάν δεν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία			μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
IDSS	Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης		1	10	μΑ	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Ρεύμα εξαγωγής πύλης			±100	ΟΧΙ	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Σχήμ. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
τράβα	Στατική οχυρό-πηγής αντίσταση		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Σχ. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Εισαγωγική ικανότητα		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Σχ. 16
Coss	Έξοδος ικανότητας		15.3		PF
Crss	Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα		2.2		PF
Eoss	Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss		11		μJ		Κάν. 17
Qg	Συνολικό φορτίο πύλης		16.5		NC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 μέχρι 18V	Κάν. 18
Qgs	Φορτίο πύλης-πηγής		2.7		NC
Qgd	Φορτίο πύλης-διακόμβων		12.5		NC
Rg	Αντίσταση εισόδου πύλης		13		Ω	f=1MHz
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V μέχρι 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Σχήμα 19, 20
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		17.0		μJ
td(εν)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης		4.8		NS
ΤΡ	Χρόνος ανύψωσης		13.2
td(απ)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		12.0
TF	Χρόνος πτώσης		66.8
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V έως 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Σχήμ. 22

Χαρακτηριστικά αντίστροφου διόδου (TC =25。C εάν δεν οριστεί άλλο)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία			μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Σχ. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175°C
είναι	Στροφική ένταση διόδου (συνεχής)			11.8	Α	VGS =-2V, TC =25°C
				6.8	Α	VGS =-2V, TC=100°C
trr	Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		54.2		NC
IRRM	Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		8.2		Α

Τυπική Απόδοση (καμπύλες)

 

Στοιχεία πακέτου

Σημείωμα:

1. Αναφορά Πακέτου: JEDEC TO263, Μεταβλητή AD

2. Όλες οι Διαστάσεις είναι σε mm

3. Υποκείμενο σε αλλαγές χωρίς προειδοποίηση