SiC SBD

Μετατροπείς AC/DC διόδου 1200V 10A SiC Schottky Ελλάδα

Εισαγωγή

Εισαγωγή

Τόπος καταγωγής:	Zhejiang
Μάρκα:	Τεχνολογία Inventchip
Αριθμός μοντέλου:	IV1D12010T2
Πιστοποίηση:

Ελάχιστη ποσότητα συσκευασίας:	450PCS
Τιμή:
Λεπτομέρειες συσκευασίας:
Χρόνος παράδοσης:
Όροι Πληρωμής:
Προμήθεια Ικανότητα:

Χαρακτηριστικά

Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης 175°C
Υψηλή χωρητικότητα ρεύματος υπέρτασης
Μηδενικό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης
Μηδενική μπροστινή τάση ανάκτησης
Λειτουργία υψηλών συχνοτήτων
συμπεριφορά μεταγωγής ανεξάρτητης θερμοκρασίας
Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VF

Εφαρμογές

Ενίσχυση ηλιακής ενέργειας
Δίοδοι τροχού χωρίς μετατροπέα
Βιέννη 3-φασικό PFC
Μετατροπείς AC/DC
Τροφοδοτικά Switch Mode

Περίγραμμα

εικόνα

Διάγραμμα σήμανσης

εικόνα

Απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες(Tc=25°C εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	αξία	Μονάδα
VRRM	Αντίστροφη τάση (επαναλαμβανόμενη κορυφή)	1200	V
VDC	Τάση μπλοκαρίσματος DC	1200	V
IF	Μπροστινό ρεύμα (συνεχές) @Tc=25°C	30	A
	Μπροστινό ρεύμα (συνεχές) @Tc=135°C	15.2	A
	Μπροστινό ρεύμα (συνεχές) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Ημικύμα ημιτονοειδούς μη επαναλαμβανόμενου κύματος προς τα εμπρός @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Επαναλαμβανόμενο ρεύμα υπέρτασης προς τα εμπρός (Συχνότητα=0.1Hz, 100 κύκλοι) ημιτονικό ημικύμα @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Πτοτ	Ολική απαγωγή ισχύος @ Tc=25°C	176	W
	Ολική απαγωγή ισχύος @ Tc=150°C	29
	Τιμή I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 175	° C
Tj	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 175	° C

Καταπονήσεις που υπερβαίνουν αυτές που αναφέρονται στον πίνακα Μέγιστες Βαθμολογίες μπορεί να βλάψουν τη συσκευή. Σε περίπτωση υπέρβασης οποιουδήποτε από αυτά τα όρια, η λειτουργικότητα της συσκευής δεν θα πρέπει να θεωρείται δεδομένο, μπορεί να προκληθεί ζημιά και να επηρεαστεί η αξιοπιστία.

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Σύμβολο	Παράμετρος	Τύπος.	Max.	Μονάδα	Συνθήκες δοκιμής	Σημείωση
VF	Τάση προς τα εμπρός	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Σχ. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
IR	Αντίστροφο ρεύμα	1	100	μΑ	VR = 1200 V TJ = 25°C	Σχ. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ = 175°C
C	Συνολική χωρητικότητα	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Σχ. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Ολική χωρητική φόρτιση	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Σχ. 4
EC	Χωρητικότητα Αποθηκευμένη Ενέργεια	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Σχ. 5

Θερμικά χαρακτηριστικά

Σύμβολο	Παράμετρος	Τύπος.	Μονάδα	Σημείωση
Rth(jc)	Θερμική αντίσταση από διασταύρωση σε θήκη	0.85	° C / Δ	Fig.7