Όλες οι Κατηγορίες
ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΗΣΤΕ ΜΑΖΙ ΜΑΣ
SiC MOSFET

Αρχική σελίδα /  Προϊόντα /  Συστατικά /  SiC MOSFET

1700V 1000mΩ Βοηθητικές παροχές δύναμης SiC MOSFET
1700V 1000mΩ Βοηθητικές παροχές δύναμης SiC MOSFET

1700V 1000mΩ Βοηθητικές παροχές δύναμης SiC MOSFET

  • Εισαγωγή

Εισαγωγή

Τόπος προέλευσης:

Zhejiang

Όνομα Μάρκας:

Inventchip

Αριθμός Μοντέλου:

IV2Q171R0D7

Ελάχιστη ποσότητα συσκευασίας:

450

 

Χαρακτηριστικά
⚫ 2η Γενιά Τεχνολογίας SiC MOSFET με
+15~+18V οδηγός πύλης
⚫ Υψηλή θάλαμβησης έντασης με χαμηλή σύνδεση ενός
⚫ Υψηλή ταχύτητα καταχώρησης με χαμηλή ικανότητα
⚫ Δυνατότητα λειτουργίας θερμοκρασίας συνδέσεως 175℃
⚫ Υπερχαμηλός και αξιόπιστος ενδογενής φυσικός διόδος
⚫ Κελβίν εισαγωγής πύλης επιτάχυνοντας την σχεδίαση κυκλώματος κινητήρα
 
Εφαρμογές
⚫ Ηλιακά αντιστροφή
⚫ Βοηθητικά παρεμφυέντα διαστημάτια
⚫ Εφοδιαστές δυναμικής με κατάσταση αντιστροφής
⚫ Νοηματικά μετρητές
 
Περίγραμμα:
IV2Q171R0D7-1.jpg
 
Διάγραμμα Σημειώσεων:
IV2Q171R0D7-1.png
 
Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο

Παράμετρος

αξία

μονάδα

Συνθήκες Δοκιμασίας

Σημείωση

VDS

Τασή Drain-Source

1700

V

VGS=0V, ID=10μA

VGSmax (Προσωρινό)

Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος

-10 έως 23

V

Συντελεστής εργασίας <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns

VGSon

Συστεματική θέση ενεργοποίησης

15 έως 18

V

 

 

VGSoff

Συστεματική θέση απενεργοποίησης

-5 έως -2

V

Τυπική τιμή -3.5V

 

Δ.Μ.

Ρεύμα δρενού (συνεχές)

6.3

Α

VGS=18V, TC=25°C

Σχήμ. 23

Δ.Μ.

Ρεύμα δρενού (συνεχές)

4.8

Α

VGS=18V, TC=100°C

Σχήμ. 23

IDM

Ρεύμα δρενού (διακοπτό)

15.7

Α

Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)

Σχήμ. 25, 26

ISM

Ρεύμα διόδου σώματος (διακοπτό)

15.7

Α

Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)

Σχήμ. 25, 26

Ptot

Συνολική διαφορά ενέργειας

73

W

ΤΚ=25°C

Σχ. 24

Tstg

Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης

-55 μέχρι 175

°C

Tj

Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης

-55 μέχρι 175

°C

 

 

 

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο

Παράμετρος

αξία

μονάδα

Σημείωση

Rθ(J-C)

Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη

2.05

°C/W

Σχ. 25

 

ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο

Παράμετρος

αξία

μονάδα

Συνθήκες Δοκιμασίας

Σημείωση

Ελάχιστο.

Τυπικά

Μέγ.

IDSS

Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης

1

10

μΑ

VDS=1700V, VGS=0V

IGSS

Ρεύμα εξαγωγής πύλης

±100

ΟΧΙ

VDS=0V, VGS=-5~20V

VTH

Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης

1.8

3.0

4.5

V

VGS=VDS, ID=380uA

Σχήμ. 8, 9

2.0

V

VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C

τράβα

Αντίσταση συνδυασμένων δρεπανών-πηγής

700 1280

910

VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C

Σχ. 4, 5, 6, 7

950 1450

1250

VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C

Ciss

Εισαγωγική ικανότητα

285

PF

VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV

Σχ. 16

Coss

Έξοδος ικανότητας

15.3

PF

Crss

Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα

2.2

PF

Eoss

Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss

11

μJ

Κάν. 17

Qg

Συνολικό φορτίο πύλης

16.5

NC

VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 μέχρι 18V

Κάν. 18

Qgs

Φορτίο πύλης-πηγής

2.7

NC

Qgd

Φορτίο πύλης-διακόμβων

12.5

NC

Rg

Αντίσταση εισόδου πύλης

13

Ω

f=1MHz

EON

Ενέργεια κατά την ανάπτυξη

51.0

μJ

VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V μέχρι 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C

Σχήμα 19, 20

EOFF

Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης

17.0

μJ

td(εν)

Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης

4.8

NS

ΤΡ

Χρόνος ανύψωσης

13.2

td(απ)

Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης

12.0

TF

Χρόνος πτώσης

66.8

EON

Ενέργεια κατά την ανάπτυξη

90.3

μJ

VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V μέχρι 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C

Σχήμ. 22

EOFF

Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης

22.0

μJ

 

Χαρακτηριστικά αντίστροφου διόδου (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο

Παράμετρος

αξία

μονάδα

Συνθήκες Δοκιμασίας

Σημείωση

Ελάχιστο.

Τυπικά

Μέγ.

VSD

Στροφική ένταση διόδου

4.0

V

ISD=1A, VGS=0V

Σχ. 10, 11, 12

3.8

V

ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C

είναι

Στροφική ένταση διόδου (συνεχής)

11.8

Α

VGS=-2V, TC=25°C

6.8

Α

VGS=-2V, TC=100°C

trr

Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης

20.6

NS

VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs

Qrr

Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση

54.2

NC

IRRM

Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση

8.2

Α

 
ΤΥΠΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ (γραφικές παραστάσεις)
IV2Q171R0D7-3.png

IV2Q171R0D7-4.png

IV2Q171R0D7-5.pngIV2Q171R0D7-6.pngIV2Q171R0D7-7.png

 

Στοιχεία πακέτου
IV2Q171R0D7-8.png
 
Σημείωμα:
1. Αναφορά Πακέτου: JEDEC TO263, Μεταβλητή AD
2. Όλες οι Διαστάσεις είναι σε mm
3. Υποκείμενο σε
Αλλαγή Χωρίς Ειδοποίηση

ΣΧΕΤΙΚΟ ΠΡΟΪΟΝ