Τόπος προέλευσης: |
Zhejiang |
Όνομα Μάρκας: |
Inventchip |
Αριθμός Μοντέλου: |
IV2Q171R0D7 |
Ελάχιστη ποσότητα συσκευασίας: |
450 |
Σύμβολο |
Παράμετρος |
αξία |
μονάδα |
Συνθήκες Δοκιμασίας |
Σημείωση |
VDS |
Τασή Drain-Source |
1700 |
V |
VGS=0V, ID=10μA |
|
VGSmax (Προσωρινό) |
Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος |
-10 έως 23 |
V |
Συντελεστής εργασίας <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns |
|
VGSon |
Συστεματική θέση ενεργοποίησης |
15 έως 18 |
V |
|
|
VGSoff |
Συστεματική θέση απενεργοποίησης |
-5 έως -2 |
V |
Τυπική τιμή -3.5V |
|
Δ.Μ. |
Ρεύμα δρενού (συνεχές) |
6.3 |
Α |
VGS=18V, TC=25°C |
Σχήμ. 23 |
Δ.Μ. |
Ρεύμα δρενού (συνεχές) |
4.8 |
Α |
VGS=18V, TC=100°C |
Σχήμ. 23 |
IDM |
Ρεύμα δρενού (διακοπτό) |
15.7 |
Α |
Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C) |
Σχήμ. 25, 26 |
ISM |
Ρεύμα διόδου σώματος (διακοπτό) |
15.7 |
Α |
Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C) |
Σχήμ. 25, 26 |
Ptot |
Συνολική διαφορά ενέργειας |
73 |
W |
ΤΚ=25°C |
Σχ. 24 |
Tstg |
Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης |
-55 μέχρι 175 |
°C |
||
Tj |
Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης |
-55 μέχρι 175 |
°C |
|
|
Σύμβολο |
Παράμετρος |
αξία |
μονάδα |
Σημείωση |
Rθ(J-C) |
Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη |
2.05 |
°C/W |
Σχ. 25 |
Σύμβολο |
Παράμετρος |
αξία |
μονάδα |
Συνθήκες Δοκιμασίας |
Σημείωση |
||
Ελάχιστο. |
Τυπικά |
Μέγ. |
|||||
IDSS |
Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης |
1 |
10 |
μΑ |
VDS=1700V, VGS=0V |
||
IGSS |
Ρεύμα εξαγωγής πύλης |
±100 |
ΟΧΙ |
VDS=0V, VGS=-5~20V |
|||
VTH |
Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης |
1.8 |
3.0 |
4.5 |
V |
VGS=VDS, ID=380uA |
Σχήμ. 8, 9 |
2.0 |
V |
VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C |
|||||
τράβα |
Αντίσταση συνδυασμένων δρεπανών-πηγής |
700 1280 |
910 |
mΩ |
VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C |
Σχ. 4, 5, 6, 7 |
|
950 1450 |
1250 |
mΩ |
VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C |
||||
Ciss |
Εισαγωγική ικανότητα |
285 |
PF |
VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV |
Σχ. 16 |
||
Coss |
Έξοδος ικανότητας |
15.3 |
PF |
||||
Crss |
Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα |
2.2 |
PF |
||||
Eoss |
Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss |
11 |
μJ |
Κάν. 17 |
|||
Qg |
Συνολικό φορτίο πύλης |
16.5 |
NC |
VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 μέχρι 18V |
Κάν. 18 |
||
Qgs |
Φορτίο πύλης-πηγής |
2.7 |
NC |
||||
Qgd |
Φορτίο πύλης-διακόμβων |
12.5 |
NC |
||||
Rg |
Αντίσταση εισόδου πύλης |
13 |
Ω |
f=1MHz |
|||
EON |
Ενέργεια κατά την ανάπτυξη |
51.0 |
μJ |
VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V μέχρι 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C |
Σχήμα 19, 20 |
||
EOFF |
Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης |
17.0 |
μJ |
||||
td(εν) |
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης |
4.8 |
NS |
||||
ΤΡ |
Χρόνος ανύψωσης |
13.2 |
|||||
td(απ) |
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης |
12.0 |
|||||
TF |
Χρόνος πτώσης |
66.8 |
|||||
EON |
Ενέργεια κατά την ανάπτυξη |
90.3 |
μJ |
VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V μέχρι 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C |
Σχήμ. 22 |
||
EOFF |
Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης |
22.0 |
μJ |
Σύμβολο |
Παράμετρος |
αξία |
μονάδα |
Συνθήκες Δοκιμασίας |
Σημείωση |
||
Ελάχιστο. |
Τυπικά |
Μέγ. |
|||||
VSD |
Στροφική ένταση διόδου |
4.0 |
V |
ISD=1A, VGS=0V |
Σχ. 10, 11, 12 |
||
3.8 |
V |
ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C |
|||||
είναι |
Στροφική ένταση διόδου (συνεχής) |
11.8 |
Α |
VGS=-2V, TC=25°C |
|||
6.8 |
Α |
VGS=-2V, TC=100°C |
|||||
trr |
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης |
20.6 |
NS |
VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs |
|||
Qrr |
Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση |
54.2 |
NC |
||||
IRRM |
Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση |
8.2 |
Α |